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描述
庫存
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EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR
EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 1Gb (32M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 125°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 134-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 134-VFBGA (10x11.5)
庫存3,330
EDB1332BDBH-1DIT-F-D
EDB1332BDBH-1DIT-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 1Gb (32M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 134-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 134-VFBGA (10x11.5)
庫存4,464
EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR
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Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 1Gb (32M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 134-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 134-VFBGA (10x11.5)
庫存6,318
EDB1332BDPA-1D-F-D
EDB1332BDPA-1D-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 1Gb (32M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 168-WFBGA (12x12)
庫存7,272
EDB1332BDPC-1D-F-D
EDB1332BDPC-1D-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 1Gb (32M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 134-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 134-VFBGA (10x11.5)
庫存5,778
EDB1332BDPC-1D-F-R TR
EDB1332BDPC-1D-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 1Gb (32M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 134-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 134-VFBGA (10x11.5)
庫存3,600
EDB2432B4MA-1DAAT-F-D
EDB2432B4MA-1DAAT-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 2Gb (64M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 134-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 134-VFBGA (10x11.5)
庫存4,230
EDB2432B4MA-1DAAT-F-R TR
EDB2432B4MA-1DAAT-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 2Gb (64M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 134-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 134-VFBGA (10x11.5)
庫存4,644
EDB2432B4MA-1DAUT-F-D
EDB2432B4MA-1DAUT-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 2Gb (64M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 125°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 134-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 134-VFBGA (10x11.5)
庫存2,268
EDB2432B4MA-1DAUT-F-R TR
EDB2432B4MA-1DAUT-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 2Gb (64M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 125°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 134-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 134-VFBGA (10x11.5)
庫存5,184
EDB2432B4MA-1DIT-F-D
EDB2432B4MA-1DIT-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 2Gb (64M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 134-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 134-VFBGA (10x11.5)
庫存5,742
EDB2432B4MA-1DIT-F-R TR
EDB2432B4MA-1DIT-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 2Gb (64M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 134-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 134-VFBGA (10x11.5)
庫存6,552
EDB2432BCPA-8D-F-D
EDB2432BCPA-8D-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 168FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 2Gb (64M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 400MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 168-WFBGA (12x12)
庫存7,308
EDB2432BCPE-8D-F-D
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Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 168FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 2Gb (64M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 400MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 168-WFBGA (12x12)
庫存7,902
EDB4064B3PB-8D-F-D
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Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 216FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 4Gb (64M x 64)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 400MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 216-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 216-WFBGA (12x12)
庫存5,976
EDB4064B3PD-8D-F-D
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Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 240FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 4Gb (64M x 64)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 400MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 240-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 240-FBGA (14x14)
庫存5,094
EDB4064B3PP-1D-F-D
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Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 240FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 4Gb (64M x 64)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 240-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 240-FBGA (14x14)
庫存3,114
EDB4064B4PB-1D-F-D
EDB4064B4PB-1D-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 4Gb (64M x 64)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 216-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 216-WFBGA (12x12)
庫存8,874
EDB4064B4PB-1D-F-R TR
EDB4064B4PB-1D-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 4Gb (64M x 64)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 216-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 216-WFBGA (12x12)
庫存4,338
EDB4064B4PB-1DIT-F-D
EDB4064B4PB-1DIT-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 4Gb (64M x 64)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 216-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 216-WFBGA (12x12)
庫存7,236
EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR
EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 4Gb (64M x 64)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 216-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 216-WFBGA (12x12)
庫存6,012
EDB4064B4PB-1DIT-F-R
EDB4064B4PB-1DIT-F-R

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 4Gb (64M x 64)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 216-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 216-WFBGA (12x12)
庫存22,032
EDB4064B4PB-1DIT-F-R TR
EDB4064B4PB-1DIT-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 4Gb (64M x 64)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 216-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 216-WFBGA (12x12)
庫存4,986
EDB4416BBBH-1DIT-F-D
EDB4416BBBH-1DIT-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 4Gb (256M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 134-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 134-FBGA (10x11.5)
庫存7,614
EDB4416BBBH-1DIT-F-R
EDB4416BBBH-1DIT-F-R

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 4Gb (256M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 134-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 134-FBGA (10x11.5)
庫存4,662
EDB4416BBBH-1DIT-F-R TR
EDB4416BBBH-1DIT-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 4Gb (256M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 134-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 134-FBGA (10x11.5)
庫存2,034
EDB4432BBBH-1D-F-D
EDB4432BBBH-1D-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 4Gb (128M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 134-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 134-FBGA (10x11.5)
庫存3,276
EDB4432BBBH-1D-F-R TR
EDB4432BBBH-1D-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 4Gb (128M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 134-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 134-FBGA (10x11.5)
庫存7,308
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 4Gb (128M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 134-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 134-FBGA (10x11.5)
庫存7,578
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 4Gb (128M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 134-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 134-FBGA (10x11.5)
庫存5,418