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EDB2432B4MA-1DIT-F-R TR

EDB2432B4MA-1DIT-F-R TR

僅供參考

型號 EDB2432B4MA-1DIT-F-R TR
PNEDA編號 EDB2432B4MA-1DIT-F-R-TR
描述 IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 6,552
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 31 - 六月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EDB2432B4MA-1DIT-F-R TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EDB2432B4MA-1DIT-F-R TR
類別半導體內存IC內存
數據表
EDB2432B4MA-1DIT-F-R TR, EDB2432B4MA-1DIT-F-R TR數據表 (總頁數: 148, 大小: 1,856.3 KB)
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EDB2432B4MA-1DIT-F-R TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR2
內存大小2Gb (64M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率533MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.14V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱134-VFBGA
供應商設備包裝134-VFBGA (10x11.5)

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

32-TSOP

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

200µs

訪問時間

250ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR

內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.5V ~ 2.7V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

60-FBGA (10x12.5)

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Alliance Memory, Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.425V ~ 1.575V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

45ns

電壓-供電

2.2V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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