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EDB4416BBBH-1DIT-F-D

EDB4416BBBH-1DIT-F-D

僅供參考

型號 EDB4416BBBH-1DIT-F-D
PNEDA編號 EDB4416BBBH-1DIT-F-D
描述 IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 7,614
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 26 - 五月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EDB4416BBBH-1DIT-F-D資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EDB4416BBBH-1DIT-F-D
類別半導體內存IC內存
數據表
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EDB4416BBBH-1DIT-F-D規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR2
內存大小4Gb (256M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率533MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.14V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱134-WFBGA
供應商設備包裝134-FBGA (10x11.5)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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3.4ns

電壓-供電

2.4V ~ 2.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

2ms

訪問時間

-

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存格式

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

5MHz

寫周期-字,頁

100µs, 3ms

訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

3.2ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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