內存IC

型號	描述	庫存
EDF8132A3PB-GD-F-D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 8Gb (256M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: 216-WFBGA (12x12)	庫存3,690
EDF8132A3PB-GD-F-R TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 8Gb (256M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: 216-WFBGA (12x12)	庫存3,960
EDF8132A3PB-JD-F-D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 8Gb (256M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 933MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: 216-FBGA (12x12)	庫存8,838
EDF8132A3PB-JD-F-R TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 8Gb (256M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 933MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: 216-FBGA (12x12)	庫存2,610
EDF8132A3PD-GD-F-D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 8Gb (256M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,462
EDF8132A3PD-GD-F-R TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 8Gb (256M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,266
EDF8132A3PF-GD-F-D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 8Gb (256M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,110
EDF8132A3PF-GD-F-R TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 8Gb (256M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,194
EDF8132A3PK-GD-F-D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 8Gb (256M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,592
EDF8132A3PK-GD-F-R TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 8Gb (256M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,760
EDF8164A3MA-GD-F-D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 8Gb (128M x 64) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: 253-FBGA (11x11)	庫存6,858
EDF8164A3MA-GD-F-R TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 8Gb (128M x 64) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: 253-FBGA (11x11)	庫存7,074
EDF8164A3MA-JD-F-D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 8Gb (128M x 64) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 933MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: 253-FBGA (11x11)	庫存5,184
EDF8164A3MA-JD-F-R TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 8Gb (128M x 64) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 933MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: 253-FBGA (11x11)	庫存5,202
EDF8164A3MC-GD-F-D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 8Gb (128M x 64) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,826
EDF8164A3MC-GD-F-R Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 8Gb (128M x 64) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,102
EDF8164A3MC-GD-F-R TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 8Gb (128M x 64) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,130
EDF8164A3MD-GD-F-D TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 8Gb (128M x 64) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,182
EDF8164A3MD-GD-F-R Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 8Gb (128M x 64) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,436
EDF8164A3MD-GD-F-R TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 8Gb (128M x 64) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,480
EDF8164A3PD-GD-F-D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 8Gb (128M x 64) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,304
EDF8164A3PF-GD-F-D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 8Gb (128M x 64) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,914
EDF8164A3PF-GD-F-R TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 8Gb (128M x 64) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,932
EDF8164A3PF-JD-F-D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 8Gb (128M x 64) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 933MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,978
EDF8164A3PF-JD-F-R TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 8Gb (128M x 64) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 933MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,740
EDF8164A3PK-GD-F-D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 8Gb (128M x 64) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 216-WFBGA 供應商設備包裝: 216-FBGA (12x12)	庫存2,592
EDF8164A3PK-GD-F-R TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 8Gb (128M x 64) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 216-WFBGA 供應商設備包裝: 216-FBGA (12x12)	庫存3,798
EDF8164A3PK-JD-F-D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 8Gb (128M x 64) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 933MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 216-WFBGA 供應商設備包裝: 216-FBGA (12x12)	庫存5,580
EDF8164A3PK-JD-F-R Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 8Gb (128M x 64) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 933MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 216-WFBGA 供應商設備包裝: 216-FBGA (12x12)	庫存5,436
EDF8164A3PK-JD-F-R TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 8Gb (128M x 64) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 933MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 216-WFBGA 供應商設備包裝: 216-FBGA (12x12)	庫存3,598

EDF8132A3PB-GD-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR3
內存大小: 8Gb (256M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 800MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: -
供應商設備包裝: 216-WFBGA (12x12)

庫存3,690

EDF8132A3PB-GD-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR3
內存大小: 8Gb (256M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 800MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: -
供應商設備包裝: 216-WFBGA (12x12)

庫存3,960

EDF8132A3PB-JD-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR3
內存大小: 8Gb (256M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 933MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: -
供應商設備包裝: 216-FBGA (12x12)

庫存8,838

EDF8132A3PB-JD-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR3
內存大小: 8Gb (256M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 933MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: -
供應商設備包裝: 216-FBGA (12x12)

庫存2,610

EDF8132A3PD-GD-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR3
內存大小: 8Gb (256M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 800MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,462

EDF8132A3PD-GD-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR3
內存大小: 8Gb (256M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 800MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,266

EDF8132A3PF-GD-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR3
內存大小: 8Gb (256M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 800MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,110

EDF8132A3PF-GD-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR3
內存大小: 8Gb (256M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 800MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,194

EDF8132A3PK-GD-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR3
內存大小: 8Gb (256M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 800MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存2,592

EDF8132A3PK-GD-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR3
內存大小: 8Gb (256M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 800MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存5,760

EDF8164A3MA-GD-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR3
內存大小: 8Gb (128M x 64)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 800MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: 253-FBGA (11x11)

庫存6,858

EDF8164A3MA-GD-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR3
內存大小: 8Gb (128M x 64)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 800MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: 253-FBGA (11x11)

庫存7,074

EDF8164A3MA-JD-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR3
內存大小: 8Gb (128M x 64)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 933MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: -
供應商設備包裝: 253-FBGA (11x11)

庫存5,184

EDF8164A3MA-JD-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR3
內存大小: 8Gb (128M x 64)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 933MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: -
供應商設備包裝: 253-FBGA (11x11)

庫存5,202

EDF8164A3MC-GD-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR3
內存大小: 8Gb (128M x 64)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 800MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存2,826

EDF8164A3MC-GD-F-R

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR3
內存大小: 8Gb (128M x 64)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 800MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,102

EDF8164A3MC-GD-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR3
內存大小: 8Gb (128M x 64)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 800MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存5,130

EDF8164A3MD-GD-F-D TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR3
內存大小: 8Gb (128M x 64)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 800MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,182

EDF8164A3MD-GD-F-R

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR3
內存大小: 8Gb (128M x 64)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 800MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,436

EDF8164A3MD-GD-F-R TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR3
內存大小: 8Gb (128M x 64)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 800MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,480

EDF8164A3PD-GD-F-D

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR3
內存大小: 8Gb (128M x 64)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 800MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存2,304

EDF8164A3PF-GD-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR3
內存大小: 8Gb (128M x 64)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 800MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,914

EDF8164A3PF-GD-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR3
內存大小: 8Gb (128M x 64)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 800MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,932

EDF8164A3PF-JD-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR3
內存大小: 8Gb (128M x 64)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 933MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,978

EDF8164A3PF-JD-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR3
內存大小: 8Gb (128M x 64)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 933MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,740

EDF8164A3PK-GD-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR3
內存大小: 8Gb (128M x 64)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 800MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 216-WFBGA
供應商設備包裝: 216-FBGA (12x12)

庫存2,592

EDF8164A3PK-GD-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR3
內存大小: 8Gb (128M x 64)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 800MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 216-WFBGA
供應商設備包裝: 216-FBGA (12x12)

庫存3,798

EDF8164A3PK-JD-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR3
內存大小: 8Gb (128M x 64)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 933MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 216-WFBGA
供應商設備包裝: 216-FBGA (12x12)

庫存5,580

EDF8164A3PK-JD-F-R

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR3
內存大小: 8Gb (128M x 64)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 933MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 216-WFBGA
供應商設備包裝: 216-FBGA (12x12)

庫存5,436

EDF8164A3PK-JD-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR3
內存大小: 8Gb (128M x 64)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 933MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 216-WFBGA
供應商設備包裝: 216-FBGA (12x12)

庫存3,598

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