內存IC

DSM2190F4V-15K6

STMicroelectronics

內存

IC FLASH 2M PARALLEL 52PLCC

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: FLASH
• 技術: FLASH
• 內存大小: 2Mb (256K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 150ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 52-LCC (J-Lead)
• 供應商設備包裝: 52-PLCC (19.1x19.1)

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DSM2190F4V-15T6

STMicroelectronics

內存

IC FLASH 2M PARALLEL 52PQFP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: FLASH
• 技術: FLASH
• 內存大小: 2Mb (256K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 150ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 52-QFP
• 供應商設備包裝: 52-PQFP (10x10)

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DSQ09G5-004-740

Maxim Integrated

內存

IC MEMORY

• 制造商: Maxim Integrated
• 系列: *
• 內存類型: -
• 內存格式: -
• 技術: -
• 內存大小: -
• 內存接口: -
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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DSQ3301-K04+TW

Maxim Integrated

內存

IC EEPROM 512BIT 1WIRE

• 制造商: Maxim Integrated
• 系列: *
• 內存類型: -
• 內存格式: -
• 技術: -
• 內存大小: -
• 內存接口: -
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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E11043000

Cypress Semiconductor

內存

IC FLASH NOR

• 制造商: Cypress Semiconductor Corp
• 系列: -
• 內存類型: -
• 內存格式: -
• 技術: -
• 內存大小: -
• 內存接口: -
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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ECB130ABDCN-Y3

Micron Technology Inc.

內存

LPDDR2 1G DIE 32MX32

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: *
• 內存類型: -
• 內存格式: -
• 技術: -
• 內存大小: -
• 內存接口: -
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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ECB240ABCCN-Y3

Micron Technology Inc.

內存

IC LPDDR2 1.2V DIE-COM

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: *
• 內存類型: -
• 內存格式: -
• 技術: -
• 內存大小: -
• 內存接口: -
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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ECB440ABBCN-Y3

Micron Technology Inc.

內存

LPDDR2 4G DIE 128MX32

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: *
• 內存類型: -
• 內存格式: -
• 技術: -
• 內存大小: -
• 內存接口: -
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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ECF00453ZCN-Y3

Micron Technology Inc.

內存

LPDDR3 6G DIE 192MX32

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: *
• 內存類型: -
• 內存格式: -
• 技術: -
• 內存大小: -
• 內存接口: -
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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ECF440AACCN-P2-Y3

Micron Technology Inc.

內存

LPDDR3 4G DIE 128MX32

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: *
• 內存類型: -
• 內存格式: -
• 技術: -
• 內存大小: -
• 內存接口: -
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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ECF440AACCN-P4-Y3

Micron Technology Inc.

內存

LPDDR3 4G DIE 128MX32

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: *
• 內存類型: -
• 內存格式: -
• 技術: -
• 內存大小: -
• 內存接口: -
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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ECF440AACCN-V6-Y3

Micron Technology Inc.

內存

LPDDR3 4G DIE 128MX32

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: *
• 內存類型: -
• 內存格式: -
• 技術: -
• 內存大小: -
• 內存接口: -
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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ECF440AACCN-Y3

Micron Technology Inc.

內存

LPDDR3 4G DIE 128MX32

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: *
• 內存類型: -
• 內存格式: -
• 技術: -
• 內存大小: -
• 內存接口: -
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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ECF620AAACN-C1-Y3

Micron Technology Inc.

內存

LPDDR3 6G DIE 192MX32

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: *
• 內存類型: -
• 內存格式: -
• 技術: -
• 內存大小: -
• 內存接口: -
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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ECF620AAACN-C1-Y3-ES

Micron Technology Inc.

內存

LPDDR3 6G DIE 192MX32

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: *
• 內存類型: -
• 內存格式: -
• 技術: -
• 內存大小: -
• 內存接口: -
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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ECF620AAACN-C2-Y3

Micron Technology Inc.

內存

LPDDR3 6G DIE 192MX32

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: *
• 內存類型: -
• 內存格式: -
• 技術: -
• 內存大小: -
• 內存接口: -
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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ECF620AAACN-C2-Y3-ES

Micron Technology Inc.

內存

LPDDR3 6G DIE 192MX32

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: *
• 內存類型: -
• 內存格式: -
• 技術: -
• 內存大小: -
• 內存接口: -
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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ECF840AAACN-C1-Y3

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3
• 內存大小: 8Gb (512M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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ECF840AAACN-C2-Y3

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3
• 內存大小: 8Gb (512M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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ECY4008AACS-Y3

Micron Technology Inc.

內存

IC SDRAM DDR4

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: *
• 內存類型: -
• 內存格式: -
• 技術: -
• 內存大小: -
• 內存接口: -
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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EDB130ABDBH-1D-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
• 內存大小: 1Gb (64M x 16, 32M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 533MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
• 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 134-VFBGA
• 供應商設備包裝: 134-VFBGA (10x11.5)

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EDB1316BDBH-1DAAT-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
• 內存大小: 1Gb (64M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 533MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 134-VFBGA
• 供應商設備包裝: 134-VFBGA (10x11.5)

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EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
• 內存大小: 1Gb (64M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 533MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 134-VFBGA
• 供應商設備包裝: 134-VFBGA (10x11.5)

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EDB1316BDBH-1DAUT-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
• 內存大小: 1Gb (64M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 533MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 125°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 134-VFBGA
• 供應商設備包裝: 134-VFBGA (10x11.5)

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EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
• 內存大小: 1Gb (64M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 533MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 125°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 134-VFBGA
• 供應商設備包裝: 134-VFBGA (10x11.5)

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EDB1316BDBH-1DIT-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
• 內存大小: 1Gb (64M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 533MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 134-VFBGA
• 供應商設備包裝: 134-VFBGA (10x11.5)

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EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
• 內存大小: 1Gb (64M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 533MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 134-VFBGA
• 供應商設備包裝: 134-VFBGA (10x11.5)

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EDB1332BDBH-1DAAT-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
• 內存大小: 1Gb (32M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 533MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 134-VFBGA
• 供應商設備包裝: 134-VFBGA (10x11.5)

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EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
• 內存大小: 1Gb (32M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 533MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 134-VFBGA
• 供應商設備包裝: 134-VFBGA (10x11.5)

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EDB1332BDBH-1DAUT-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
• 內存大小: 1Gb (32M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 533MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 125°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 134-VFBGA
• 供應商設備包裝: 134-VFBGA (10x11.5)

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