Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

內存IC

記錄 47,332
頁面 718/1578
圖片
型號
描述
庫存
數量
EDB8164B4PR-1D-F-R TR
EDB8164B4PR-1D-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 533MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 8Gb (128M x 64)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 216-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 216-FBGA (12x12)
庫存2,214
EDB8164B4PT-1DAT-F-D
EDB8164B4PT-1DAT-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 8Gb (128M x 64)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 216-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 216-FBGA (12x12)
庫存8,388
EDB8164B4PT-1DAT-F-R
EDB8164B4PT-1DAT-F-R

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 533MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 8Gb (128M x 64)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 216-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 216-FBGA (12x12)
庫存5,634
EDB8164B4PT-1D-F-D
EDB8164B4PT-1D-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 8Gb (128M x 64)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 216-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 216-FBGA (12x12)
庫存4,860
EDB8164B4PT-1D-F-R TR
EDB8164B4PT-1D-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 533MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 8Gb (128M x 64)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 216-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 216-FBGA (12x12)
庫存8,334
EDB8164B4PT-1DIT-F-D
EDB8164B4PT-1DIT-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 8Gb (128M x 64)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 216-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 216-FBGA (12x12)
庫存6,696
EDB8164B4PT-1DIT-F-R TR
EDB8164B4PT-1DIT-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 533MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 8Gb (128M x 64)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 216-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 216-FBGA (12x12)
庫存8,424
EDBA164B2PF-1D-F-D
EDBA164B2PF-1D-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 16G PARALLEL 533MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 16Gb (256M x 64)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存2,435
EDBA164B2PF-1D-F-R TR
EDBA164B2PF-1D-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 16G PARALLEL 533MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 16Gb (256M x 64)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存4,068
EDBA164B2PR-1D-F-D
EDBA164B2PR-1D-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 16G PARALLEL 216FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 16Gb (256M x 64)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 216-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 216-FBGA (12x12)
庫存6,768
EDBA164B2PR-1D-F-R TR
EDBA164B2PR-1D-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 16G PARALLEL 216FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 16Gb (256M x 64)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 216-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 216-FBGA (12x12)
庫存5,904
EDBA232B2PB-1D-F-D
EDBA232B2PB-1D-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 16G PARALLEL 533MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 16Gb (512M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 168-FBGA (12x12)
庫存1,393
EDBA232B2PB-1D-F-R TR
EDBA232B2PB-1D-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 16G PARALLEL 533MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 16Gb (512M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 168-FBGA (12x12)
庫存3,490
EDBA232B2PD-1D-F-D
EDBA232B2PD-1D-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 16G PARALLEL 533MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 16Gb (512M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存6,804
EDBA232B2PD-1D-F-R TR
EDBA232B2PD-1D-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 16G PARALLEL 533MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 16Gb (512M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存2,052
EDBA232B2PF-1D-F-D
EDBA232B2PF-1D-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 16G PARALLEL 168FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 16Gb (512M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 168-FBGA (12x12)
庫存4,446
EDBA232B2PF-1D-F-R TR
EDBA232B2PF-1D-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 16G PARALLEL 168FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 16Gb (512M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 168-FBGA (12x12)
庫存3,834
EDBM432B3PB-1D-F-D
EDBM432B3PB-1D-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 12G PARALLEL 168FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 12Gb (384M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 168-FBGA (12x12)
庫存7,182
EDBM432B3PB-1D-F-R TR
EDBM432B3PB-1D-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 12G PARALLEL 168FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 12Gb (384M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 168-FBGA (12x12)
庫存5,004
EDBM432B3PD-1D-F-D
EDBM432B3PD-1D-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 12G PARALLEL 533MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 12Gb (384M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存8,694
EDBM432B3PD-1D-F-R TR
EDBM432B3PD-1D-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 12G PARALLEL 533MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 12Gb (384M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存7,812
EDBM432B3PF-1D-F-D
EDBM432B3PF-1D-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 12G PARALLEL 168FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 12Gb (384M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 168-FBGA (12x12)
庫存7,110
EDBM432B3PF-1D-F-R TR
EDBM432B3PF-1D-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 12G PARALLEL 168FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 12Gb (384M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 168-FBGA (12x12)
庫存4,752
EDF4432ACPE-GD-F-D
EDF4432ACPE-GD-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 800MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3
  • 內存大小: 4Gb (128M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 800MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存2,538
EDF4432ACPE-GD-F-R TR
EDF4432ACPE-GD-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 800MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3
  • 內存大小: 4Gb (128M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 800MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存6,174
EDF620AAABH-GD-F-D
EDF620AAABH-GD-F-D

Micron Technology Inc.

內存

LPDDR3 6G 192MX32 FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: *
  • 內存類型: -
  • 內存格式: -
  • 技術: -
  • 內存大小: -
  • 內存接口: -
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存3,816
EDF8132A3MA-GD-F-D
EDF8132A3MA-GD-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARAL 800MHZ 178FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3
  • 內存大小: 8Gb (256M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 800MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存3,276
EDF8132A3MA-GD-F-R TR
EDF8132A3MA-GD-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3
  • 內存大小: 8Gb (256M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 800MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存5,130
EDF8132A3MA-JD-F-D
EDF8132A3MA-JD-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3
  • 內存大小: 8Gb (256M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 933MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存5,760
EDF8132A3MA-JD-F-R TR
EDF8132A3MA-JD-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3
  • 內存大小: 8Gb (256M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 933MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存4,266