Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

內存IC

記錄 47,332
頁面 717/1578
圖片
型號
描述
庫存
數量
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 4Gb (128M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 134-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 134-FBGA (10x11.5)
庫存3,078
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 4Gb (128M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 134-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 134-FBGA (10x11.5)
庫存3,996
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 4Gb (128M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 125°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 134-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 134-FBGA (10x11.5)
庫存2,286
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 4Gb (128M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 125°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 134-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 134-FBGA (10x11.5)
庫存4,824
EDB4432BBBJ-1D-F-D
EDB4432BBBJ-1D-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 4Gb (128M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 134-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 134-FBGA (10x11.5)
庫存3,726
EDB4432BBBJ-1D-F-R
EDB4432BBBJ-1D-F-R

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 4Gb (128M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 134-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 134-FBGA (10x11.5)
庫存5,094
EDB4432BBPA-1D-F-D
EDB4432BBPA-1D-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 168FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 4Gb (128M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 168-FBGA (12x12)
庫存13,529
EDB4432BBPA-1D-F-R TR
EDB4432BBPA-1D-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 168FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 4Gb (128M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 168-FBGA (12x12)
庫存4,050
EDB4432BBPE-1D-F-D
EDB4432BBPE-1D-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 4Gb (128M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存8,946
EDB5432BEBH-1DAAT-F-D
EDB5432BEBH-1DAAT-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 512Mb (16M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 134-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 134-VFBGA (10x11.5)
庫存8,964
EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR
EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 512Mb (16M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 134-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 134-VFBGA (10x11.5)
庫存2,988
EDB5432BEBH-1DAUT-F-D
EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 512Mb (16M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 125°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 134-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 134-VFBGA (10x11.5)
庫存8,208
EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR
EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 512Mb (16M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 125°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 134-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 134-VFBGA (10x11.5)
庫存2,304
EDB5432BEBH-1DIT-F-D
EDB5432BEBH-1DIT-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 512Mb (16M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 134-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 134-VFBGA (10x11.5)
庫存8,514
EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR
EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 512Mb (16M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 134-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 134-VFBGA (10x11.5)
庫存3,400
EDB5432BEPA-1DAAT-F-D
EDB5432BEPA-1DAAT-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 512Mb (16M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 168-WFBGA (12x12)
庫存2,016
EDB5432BEPA-1DAAT-F-R TR
EDB5432BEPA-1DAAT-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 512Mb (16M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 168-WFBGA (12x12)
庫存3,544
EDB5432BEPA-1DIT-F-D
EDB5432BEPA-1DIT-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 512Mb (16M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 168-WFBGA (12x12)
庫存5,436
EDB5432BEPA-1DIT-F-R
EDB5432BEPA-1DIT-F-R

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 533MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 512Mb (16M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 168-WFBGA (12x12)
庫存4,626
EDB5432BEPA-1DIT-F-R TR
EDB5432BEPA-1DIT-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 512Mb (16M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 168-WFBGA (12x12)
庫存5,598
EDB8132B4PB-8D-F-D
EDB8132B4PB-8D-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 168FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 8Gb (256M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 400MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 168-FBGA (12x12)
庫存8,496
EDB8132B4PB-8D-F-R TR
EDB8132B4PB-8D-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 168FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 8Gb (256M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 400MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 168-FBGA (12x12)
庫存8,784
EDB8132B4PM-1DAT-F-D
EDB8132B4PM-1DAT-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 533MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 8Gb (256M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 168-FBGA (12x12)
庫存8,064
EDB8132B4PM-1DAT-F-D TR
EDB8132B4PM-1DAT-F-D TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 533MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 8Gb (256M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 168-FBGA (12x12)
庫存5,220
EDB8132B4PM-1DAT-F-R TR
EDB8132B4PM-1DAT-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 533MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 8Gb (256M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 168-FBGA (12x12)
庫存4,536
EDB8132B4PM-1D-F-D
EDB8132B4PM-1D-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 168FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 8Gb (256M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 168-FBGA (12x12)
庫存8,424
EDB8132B4PM-1D-F-R TR
EDB8132B4PM-1D-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 168FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 8Gb (256M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 168-FBGA (12x12)
庫存3,618
EDB8164B4PK-1D-F-D
EDB8164B4PK-1D-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 220FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 8Gb (128M x 64)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 220-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 220-FBGA (14x14)
庫存7,272
EDB8164B4PK-1D-F-R TR
EDB8164B4PK-1D-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 220FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 8Gb (128M x 64)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 220-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 220-FBGA (14x14)
庫存2,952
EDB8164B4PR-1D-F-D
EDB8164B4PR-1D-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 8Gb (128M x 64)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 216-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 216-FBGA (12x12)
庫存610