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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 333MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 450ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-TFBGA
• 供應商設備包裝: 84-TWBGA (8x12.5)

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IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 600ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-TFBGA
• 供應商設備包裝: 84-TWBGA (8x12.5)

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IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 600ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-TFBGA
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IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 400ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-TFBGA
• 供應商設備包裝: 84-TWBGA (8x12.5)

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IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 400ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-TFBGA
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IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 400ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-TFBGA
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IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 400ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-TFBGA
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IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 266MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 500ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-TFBGA
• 供應商設備包裝: 84-TWBGA (8x12.5)

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IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 266MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 500ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-TFBGA
• 供應商設備包裝: 84-TWBGA (8x12.5)

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IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 266MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 500ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-TFBGA
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IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 266MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 500ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
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• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 333MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
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• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-TFBGA
• 供應商設備包裝: 84-TWBGA (8x12.5)

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IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 333MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 450ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-TFBGA
• 供應商設備包裝: 84-TWBGA (8x12.5)

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IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 333MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 450ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-TFBGA
• 供應商設備包裝: 84-TWBGA (8x12.5)

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IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 333MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 450ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-TFBGA
• 供應商設備包裝: 84-TWBGA (8x12.5)

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IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 333MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 450ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-TFBGA
• 供應商設備包裝: 84-TWBGA (8x12.5)

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IS43DR16160B-3DBL-TR

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IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 333MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 450ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-TFBGA
• 供應商設備包裝: 84-TWBGA (8x12.5)

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IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 512Mb (32M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 400ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-TFBGA
• 供應商設備包裝: 84-TWBGA (8x12.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 512Mb (32M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 400ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-TFBGA
• 供應商設備包裝: 84-TWBGA (8x12.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 512Mb (32M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 400ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-TFBGA
• 供應商設備包裝: 84-TWBGA (8x12.5)

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IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 512Mb (32M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 400ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-TFBGA
• 供應商設備包裝: 84-TWBGA (8x12.5)

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IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 512Mb (32M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 400ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-TFBGA
• 供應商設備包裝: 84-TWBGA (8x12.5)

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IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 512Mb (32M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 400ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-TFBGA
• 供應商設備包裝: 84-TWBGA (8x12.5)

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IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 512Mb (32M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 333MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 450ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-TFBGA
• 供應商設備包裝: 84-TWBGA (8x12.5)

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IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 512Mb (32M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 333MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 450ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-TFBGA
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IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 512Mb (32M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 333MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 450ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-TFBGA
• 供應商設備包裝: 84-TWBGA (8x12.5)

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IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 512Mb (32M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 333MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 450ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-TFBGA
• 供應商設備包裝: 84-TWBGA (8x12.5)

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IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 512Mb (32M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 333MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
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• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 512Mb (32M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 333MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
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• 系列: -
• 內存類型: Volatile
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• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 512Mb (32M x 16)
• 內存接口: Parallel
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