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型號	描述	庫存
IS42VM16800G-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 5.5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-TFBGA 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)	庫存3,078
IS42VM16800G-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 5.5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-TFBGA 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)	庫存6,318
IS42VM16800G-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 5.5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-TFBGA 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)	庫存8,838
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IS42VM16800G-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 6ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-TFBGA 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)	庫存3,060
IS42VM16800H-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 5.5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-TFBGA 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)	庫存7,272
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IS42VM32200M-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile 內存大小: 64Mb (2M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 5.5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-TFBGA 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)	庫存8,226
IS42VM32200M-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile 內存大小: 64Mb (2M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 6ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-TFBGA 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)	庫存4,050
IS42VM32200M-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile 內存大小: 64Mb (2M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 6ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-TFBGA 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)	庫存4,608
IS42VM32400E-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile 內存大小: 128Mb (4M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 5.4ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-TFBGA 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)	庫存6,264

IS42VM16800G-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-TFBGA
供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)

庫存3,078

IS42VM16800G-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-TFBGA
供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)

庫存6,318

IS42VM16800G-6BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-TFBGA
供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)

庫存8,838

IS42VM16800G-75BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 6ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-TFBGA
供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)

庫存3,096

IS42VM16800G-75BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 6ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-TFBGA
供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)

庫存3,060

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IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
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安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-TFBGA
供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)

庫存7,272

IS42VM16800H-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
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安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-TFBGA
供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)

庫存7,416

IS42VM16800H-75BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 6ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-TFBGA
供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)

庫存5,742

IS42VM16800H-75BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 6ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-TFBGA
供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)

庫存7,686

IS42VM32100D-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 32M PARALLEL 166MHZ

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile
內存大小: 32Mb (1M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-TFBGA
供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

庫存7,722

IS42VM32100D-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 32M PARALLEL 166MHZ

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile
內存大小: 32Mb (1M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-TFBGA
供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

庫存8,550

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IC DRAM 32M PARALLEL 133MHZ

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile
內存大小: 32Mb (1M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 6ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-TFBGA
供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

庫存5,958

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IC DRAM 32M PARALLEL 133MHZ

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile
內存大小: 32Mb (1M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 6ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
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安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-TFBGA
供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

庫存5,688

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IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
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訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
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安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-TFBGA
供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

庫存3,834

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IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
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安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-TFBGA
供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

庫存2,412

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IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
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安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-TFBGA
供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

庫存6,948

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IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile
內存大小: 512Mb (16M x 32)
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時鐘頻率: 133MHz
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包裝/箱: 90-TFBGA
供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

庫存6,390

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IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile
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供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

庫存3,618

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IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
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安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-TFBGA
供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

庫存3,276

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IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 6ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-TFBGA
供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

庫存4,554

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IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 6ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-TFBGA
供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

庫存7,200

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IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile
內存大小: 64Mb (2M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.5ns
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安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-TFBGA
供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

庫存5,598

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IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile
內存大小: 64Mb (2M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.5ns
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安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-TFBGA
供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

庫存4,680

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IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile
內存大小: 64Mb (2M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 6ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-TFBGA
供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

庫存7,848

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IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile
內存大小: 64Mb (2M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 6ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-TFBGA
供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

庫存3,366

IS42VM32200M-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile
內存大小: 64Mb (2M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-TFBGA
供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

庫存5,184

IS42VM32200M-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile
內存大小: 64Mb (2M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-TFBGA
供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

庫存8,226

IS42VM32200M-75BLI

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IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile
內存大小: 64Mb (2M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 6ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-TFBGA
供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

庫存4,050

IS42VM32200M-75BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile
內存大小: 64Mb (2M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 6ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-TFBGA
供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

庫存4,608

IS42VM32400E-75BLI

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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile
內存大小: 128Mb (4M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-TFBGA
供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

庫存6,264

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