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描述
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IS43DR16128A-3DBLI-TR
IS43DR16128A-3DBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 84LFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 2Gb (128M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 333MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 450ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 84-LFBGA
  • 供應商設備包裝: 84-LFBGA (10.5x13.5)
庫存7,722
IS43DR16128A-3DBL-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 84LFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 2Gb (128M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 333MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 450ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 84-LFBGA
  • 供應商設備包裝: 84-LFBGA (10.5x13.5)
庫存8,982
IS43DR16128B-25EBL
IS43DR16128B-25EBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 2Gb (128M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 400MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 400ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 84-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 84-TWBGA (10.5x13)
庫存8,172
IS43DR16128B-25EBLI
IS43DR16128B-25EBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 2Gb (128M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 400MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 400ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 84-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 84-TWBGA (10.5x13)
庫存4,860
IS43DR16128B-25EBLI-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 2Gb (128M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 400MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 400ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 84-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 84-TWBGA (10.5x13)
庫存4,716
IS43DR16128B-25EBL-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 2Gb (128M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 400MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 400ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 84-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 84-TWBGA (10.5x13)
庫存2,520
IS43DR16128B-3DBL
IS43DR16128B-3DBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 2Gb (128M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 333MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 450ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 84-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 84-TWBGA (10.5x13)
庫存8,766
IS43DR16128B-3DBLI
IS43DR16128B-3DBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 2Gb (128M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 333MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 450ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 84-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 84-TWBGA (10.5x13)
庫存2,034
IS43DR16128B-3DBLI-TR
IS43DR16128B-3DBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 2Gb (128M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 333MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 450ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 84-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 84-TWBGA (10.5x13)
庫存4,050
IS43DR16128B-3DBL-TR
IS43DR16128B-3DBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 2Gb (128M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 333MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 450ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 84-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 84-TWBGA (10.5x13)
庫存6,390
IS43DR16128C-25DBL
IS43DR16128C-25DBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 2Gb (128M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 400MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 400ns
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 84-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 84-TWBGA (8x12.5)
庫存7,488
IS43DR16128C-25DBLI
IS43DR16128C-25DBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 2Gb (128M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 400MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 400ns
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 84-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 84-TWBGA (8x12.5)
庫存3,495
IS43DR16128C-25DBLI-TR
IS43DR16128C-25DBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 2Gb (128M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 400MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 400ns
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 84-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 84-TWBGA (8x12.5)
庫存8,298
IS43DR16128C-3DBL
IS43DR16128C-3DBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 2Gb (128M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 333MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 450ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 84-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 84-TWBGA (8x12.5)
庫存6,606
IS43DR16128C-3DBLI
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 2Gb (128M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 333MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 450ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 84-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 84-TWBGA (8x12.5)
庫存331
IS43DR16128C-3DBLI-TR
IS43DR16128C-3DBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 2Gb (128M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 333MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 450ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 84-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 84-TWBGA (8x12.5)
庫存5,400
IS43DR16128C-3DBL-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 2Gb (128M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 333MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 450ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 84-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 84-TWBGA (8x12.5)
庫存3,888
IS43DR16160A-25EBL
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 400MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 400ns
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 84-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 84-TWBGA (8x12.5)
庫存8,280
IS43DR16160A-25EBLI
IS43DR16160A-25EBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 400MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 400ns
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 84-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 84-TWBGA (8x12.5)
庫存5,328
IS43DR16160A-25EBLI-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 400MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 400ns
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 84-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 84-TWBGA (8x12.5)
庫存3,204
IS43DR16160A-25EBL-TR
IS43DR16160A-25EBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 400MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 400ns
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 84-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 84-TWBGA (8x12.5)
庫存8,316
IS43DR16160A-37CBL
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 266MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 500ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 84-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 84-TWBGA (8x12.5)
庫存6,282
IS43DR16160A-37CBLI
IS43DR16160A-37CBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 266MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 500ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 84-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 84-TWBGA (8x12.5)
庫存10,827
IS43DR16160A-37CBLI-TR
IS43DR16160A-37CBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 266MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 500ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 84-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 84-TWBGA (8x12.5)
庫存5,598
IS43DR16160A-37CBL-TR
IS43DR16160A-37CBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 266MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 500ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 84-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 84-TWBGA (8x12.5)
庫存3,454
IS43DR16160A-3DBI
IS43DR16160A-3DBI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 333MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 450ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 84-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 84-TWBGA (8x12.5)
庫存5,454
IS43DR16160A-3DBI-TR
IS43DR16160A-3DBI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 333MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 450ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 84-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 84-TWBGA (8x12.5)
庫存8,334
IS43DR16160A-3DBL
IS43DR16160A-3DBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 333MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 450ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 84-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 84-TWBGA (8x12.5)
庫存7,380
IS43DR16160A-3DBLI
IS43DR16160A-3DBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 333MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 450ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 84-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 84-TWBGA (8x12.5)
庫存6,606
IS43DR16160A-3DBLI-TR
IS43DR16160A-3DBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 333MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 450ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 84-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 84-TWBGA (8x12.5)
庫存5,256