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IS42VM32400E-75BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile
• 內存大小: 128Mb (4M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

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IS42VM32400G-6BL

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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile
• 內存大小: 128Mb (4M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile
• 內存大小: 128Mb (4M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile
• 內存大小: 128Mb (4M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile
• 內存大小: 128Mb (4M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile
• 內存大小: 128Mb (4M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile
• 內存大小: 128Mb (4M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile
• 內存大小: 128Mb (4M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile
• 內存大小: 128Mb (4M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile
• 內存大小: 128Mb (4M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

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內存

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile
• 內存大小: 128Mb (4M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

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IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile
• 內存大小: 256Mb (8M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

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內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile
• 內存大小: 256Mb (8M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile
• 內存大小: 256Mb (8M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile
• 內存大小: 256Mb (8M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

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IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile
• 內存大小: 256Mb (8M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile
• 內存大小: 256Mb (8M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

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IS42VM32800K-75BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile
• 內存大小: 256Mb (8M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

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IS42VM32800K-75BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile
• 內存大小: 256Mb (8M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

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IS42VS16100C1-10T

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 16Mb (1M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 100MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 7ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 50-TSOP II

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IS42VS16100C1-10TI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 16Mb (1M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 100MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 7ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 50-TSOP II

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IS42VS16100C1-10TI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 16Mb (1M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 100MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 7ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 50-TSOP II

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IS42VS16100C1-10TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 16Mb (1M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 100MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 7ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 50-TSOP II

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IS42VS16100C1-10TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 16Mb (1M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 100MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 7ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 50-TSOP II

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IS42VS16100C1-10TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 16Mb (1M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 100MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 7ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 50-TSOP II

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IS42VS16100C1-10TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 16Mb (1M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 100MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 7ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 50-TSOP II

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IS42VS16100C1-10T-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 16Mb (1M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 100MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 7ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 50-TSOP II

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IS42VS16160J-75TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP2

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 54-TSOP2

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IS43DR16128A-3DBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 84LFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 2Gb (128M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 333MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 450ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-LFBGA
• 供應商設備包裝: 84-LFBGA (10.5x13.5)

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IS43DR16128A-3DBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 84LFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 2Gb (128M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 333MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 450ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-LFBGA
• 供應商設備包裝: 84-LFBGA (10.5x13.5)

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