內存IC

IS43DR16640B-3DBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 1Gb (64M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 333MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 450ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-TFBGA
• 供應商設備包裝: 84-TWBGA (8x12.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 1Gb (64M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 333MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 450ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-TFBGA
• 供應商設備包裝: 84-TWBGA (8x12.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 1Gb (64M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 400ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-TFBGA
• 供應商設備包裝: 84-TWBGA (8x12.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 1Gb (64M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 400ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-TFBGA
• 供應商設備包裝: 84-TWBGA (8x12.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 1Gb (64M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 400ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-TFBGA
• 供應商設備包裝: 84-TWBGA (8x12.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 333MHZ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 1Gb (64M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 333MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 450ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-TFBGA
• 供應商設備包裝: 84-TFBGA (12.5x8)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 333MHZ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 1Gb (64M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 333MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 450ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-TFBGA
• 供應商設備包裝: 84-TFBGA (12.5x8)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 1Gb (64M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 333MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 450ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-TFBGA
• 供應商設備包裝: 84-TWBGA (8x12.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 1Gb (64M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 333MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 450ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-TFBGA
• 供應商設備包裝: 84-TWBGA (8x12.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 1Gb (64M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 333MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 450ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-TFBGA
• 供應商設備包裝: 84-TWBGA (8x12.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 1Gb (128M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 333MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 450ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TWBGA (8x13.65)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 1Gb (128M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 400ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TWBGA (8x10.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 1Gb (128M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 400ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TWBGA (8x10.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 1Gb (128M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 400ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TWBGA (8x10.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 1Gb (128M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 400ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TWBGA (8x10.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 1Gb (128M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 450ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TWBGA (8x10.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 1Gb (128M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 450ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TWBGA (8x10.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 1Gb (128M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 450ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TWBGA (8x10.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 1Gb (128M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 450ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TWBGA (8x10.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 1Gb (128M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 333MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 450ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TWBGA (8x10.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 1Gb (128M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 333MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 450ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TWBGA (8x10.5)

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內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 1Gb (128M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 333MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 450ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TWBGA (8x10.5)

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IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 1Gb (128M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 333MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 450ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TWBGA (8x10.5)

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IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 1Gb (128M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 333MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 450ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TWBGA (8x10.5)

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IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 1Gb (128M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 333MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 450ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TWBGA (8x10.5)

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IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 1Gb (128M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 400ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TWBGA (8x10.5)

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IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 1Gb (128M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 400ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TWBGA (8x10.5)

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IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 1Gb (128M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 400ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TWBGA (8x10.5)

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IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 1Gb (128M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 333MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 450ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
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• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
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• 技術: SDRAM - DDR2
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• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 333MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
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• 安裝類型: Surface Mount
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