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IS43DR16160B-37CBL

IS43DR16160B-37CBL

僅供參考

型號 IS43DR16160B-37CBL
PNEDA編號 IS43DR16160B-37CBL
描述 IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 8,748
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 9 - 六月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS43DR16160B-37CBL資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS43DR16160B-37CBL
類別半導體內存IC內存
數據表
IS43DR16160B-37CBL, IS43DR16160B-37CBL數據表 (總頁數: 46, 大小: 996.66 KB)
PDFIS43DR16160B-3DBI數據表 封面
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IS43DR16160B-37CBL規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR2
內存大小256Mb (16M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率266MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間500ps
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱84-TFBGA
供應商設備包裝84-TWBGA (8x12.5)

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內存大小

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內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.5ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

119-BGA

供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

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內存格式

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內存大小

64Kb (8K x 8)

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時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

8-TSSOP

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-55°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

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供應商設備包裝

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

117MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.5ns

電壓-供電

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-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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