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EDF8164A3PK-GD-F-D

EDF8164A3PK-GD-F-D

僅供參考

型號 EDF8164A3PK-GD-F-D
PNEDA編號 EDF8164A3PK-GD-F-D
描述 IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 2,592
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 31 - 六月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EDF8164A3PK-GD-F-D資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EDF8164A3PK-GD-F-D
類別半導體內存IC內存
數據表
EDF8164A3PK-GD-F-D, EDF8164A3PK-GD-F-D數據表 (總頁數: 160, 大小: 3,330.38 KB)
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EDF8164A3PK-GD-F-D規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR3
內存大小8Gb (128M x 64)
內存接口Parallel
時鐘頻率800MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.14V ~ 1.95V
工作溫度-30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱216-WFBGA
供應商設備包裝216-FBGA (12x12)

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Micron Technology Inc.

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-SOIC (0.330", 8.38mm Width)

供應商設備包裝

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NAND512W3A2SE06

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

512Mb (64M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

50ns

訪問時間

50ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

-

包裝/箱

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供應商設備包裝

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

72Mb (4M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.4ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

512Mb (64M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

80MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

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包裝/箱

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