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型號	描述	庫存
EDFB232A1MA-GD-F-R TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 32G PARALLEL 800MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 32Gb (1G x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,892
EDFB232A1MA-JD-F-D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 32G PARALLEL 933MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 32Gb (1G x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 933MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,858
EDFB232A1MA-JD-F-R TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 32G PARALLEL 933MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 32Gb (1G x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 933MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,366
EDFM432A1PF-GD-F-D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 12G PARALLEL 800MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 12Gb (384M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: 216-FBGA (12x12)	庫存2,340
EDFM432A1PF-JD-F-D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 12G PARALLEL 933MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 12Gb (384M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 933MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: 216-FBGA (12x12)	庫存6,534
EDFM432A1PH-GD-F-D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 12G PARALLEL 800MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 12Gb (384M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: 168-FBGA (12x12)	庫存8,784
EDFM432A1PH-GD-F-R TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 12G PARALLEL 800MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 12Gb (384M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: 168-FBGA (12x12)	庫存3,852
EDFP112A3PB-GD-F-D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 24Gb (192M x 128) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,642
EDFP112A3PB-GD-F-D TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 24Gb (192M x 128) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,860
EDFP112A3PB-GD-F-R Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 24Gb (192M x 128) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,766
EDFP112A3PB-GD-F-R TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 24Gb (192M x 128) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,676
EDFP112A3PB-GDTJ-F-D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 24Gb (192M x 128) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 105°C (TC) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,598
EDFP112A3PB-GDTJ-F-R Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 24Gb (192M x 128) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 105°C (TC) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,310
EDFP112A3PB-GDTJ-F-R TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 24Gb (192M x 128) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 105°C (TC) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,914
EDFP112A3PB-JD-F-D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 24G PARALLEL 933MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 24Gb (192M x 128) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 933MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,776
EDFP112A3PB-JD-F-D TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 24G PARALLEL 933MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 24Gb (192M x 128) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 933MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,844
EDFP112A3PB-JD-F-R Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 24G PARALLEL 933MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 24Gb (192M x 128) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 933MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,768
EDFP112A3PB-JD-F-R TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 24G PARALLEL 933MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 24Gb (192M x 128) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 933MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,856
EDFP112A3PB-JDTJ-F-D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 24G PARALLEL 933MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 24Gb (192M x 128) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 933MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 105°C (TC) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,374
EDFP112A3PB-JDTJ-F-R TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 24G PARALLEL 933MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 24Gb (192M x 128) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 933MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 105°C (TC) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,914
EDFP112A3PD-GD-F-D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 24Gb (192M x 128) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,658
EDFP112A3PD-GD-F-R TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 24Gb (192M x 128) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,262
EDFP112A3PF-GD-F-D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 24Gb (192M x 128) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,904
EDFP112A3PF-GD-F-R TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 24Gb (192M x 128) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,732
EDFP112A3PF-GDTJ-F-D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 24Gb (192M x 128) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 105°C (TC) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,520
EDFP112A3PF-GDTJ-F-R TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 24Gb (192M x 128) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 105°C (TC) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,500
EDFP112A3PF-JD-F-D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 24G PARALLEL 933MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 24Gb (192M x 128) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 933MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,928
EDFP112A3PF-JD-F-R TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 24G PARALLEL 933MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 24Gb (192M x 128) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 933MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,078
EDFP112A3PF-JDTJ-F-D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 24G PARALLEL 933MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 24Gb (192M x 128) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 933MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 105°C (TC) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,408
EDFP112A3PF-JDTJ-F-R TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 24G PARALLEL 933MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小: 24Gb (192M x 128) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 933MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 105°C (TC) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,060

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