晶體管

型號	描述	庫存
MJD44H11-001 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 80V 8A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A 當前-集電極截止（最大值）: 1μA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 4A, 1V 功率-最大: 1.75W 頻率-過渡: 85MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA 供應商設備包裝: I-PAK	庫存3,564
MJD44H11-1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 80V 8A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A 當前-集電極截止（最大值）: 1μA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 4A, 1V 功率-最大: 1.75W 頻率-過渡: 85MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA 供應商設備包裝: I-PAK	庫存19,008
MJD44H11G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 80V 8A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A 當前-集電極截止（最大值）: 1μA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 4A, 1V 功率-最大: 1.75W 頻率-過渡: 85MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: DPAK	庫存6,066
MJD44H11RLG ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 80V 8A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A 當前-集電極截止（最大值）: 1μA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 4A, 1V 功率-最大: 1.75W 頻率-過渡: 85MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: DPAK	庫存30,054
MJD44H11T4 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 80V 8A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A 當前-集電極截止（最大值）: 1μA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 4A, 1V 功率-最大: 1.75W 頻率-過渡: 85MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: DPAK	庫存2,682
MJD44H11T4 STMicroelectronics	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 80V 8A DPAK 制造商: STMicroelectronics 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A 當前-集電極截止（最大值）: 10µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 4A, 1V 功率-最大: 20W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: DPAK	庫存72,354
MJD44H11T4-A STMicroelectronics	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 80V 8A DPAK 制造商: STMicroelectronics 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A 當前-集電極截止（最大值）: 10µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 4A, 1V 功率-最大: 20W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: DPAK	庫存8,208
MJD44H11T4G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 80V 8A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A 當前-集電極截止（最大值）: 1μA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 4A, 1V 功率-最大: 1.75W 頻率-過渡: 85MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: DPAK	庫存122,976
MJD44H11T5 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 80V 8A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A 當前-集電極截止（最大值）: 1μA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 4A, 1V 功率-最大: 1.75W 頻率-過渡: 85MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: DPAK	庫存3,906
MJD44H11T5G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 80V 8A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A 當前-集電極截止（最大值）: 1μA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 4A, 1V 功率-最大: 1.75W 頻率-過渡: 85MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: DPAK	庫存6,858
MJD44H11TF ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 80V 8A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A 當前-集電極截止（最大值）: 10µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 4A, 1V 功率-最大: 1.75W 頻率-過渡: 50MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: TO-252-3	庫存6,660
MJD44H11TM ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 80V 8A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A 當前-集電極截止（最大值）: 10µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 4A, 1V 功率-最大: 1.75W 頻率-過渡: 50MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: TO-252-3	庫存207,258
MJD45H11-001 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 80V 8A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A 當前-集電極截止（最大值）: 1μA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 4A, 1V 功率-最大: 1.75W 頻率-過渡: 90MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA 供應商設備包裝: I-PAK	庫存6,390
MJD45H11-1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 80V 8A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A 當前-集電極截止（最大值）: 1μA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 4A, 1V 功率-最大: 1.75W 頻率-過渡: 90MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA 供應商設備包裝: I-PAK	庫存16,020
MJD45H11G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 80V 8A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A 當前-集電極截止（最大值）: 1μA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 4A, 1V 功率-最大: 1.75W 頻率-過渡: 90MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: DPAK	庫存12,630
MJD45H11RLG ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 80V 8A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A 當前-集電極截止（最大值）: 1μA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 4A, 1V 功率-最大: 1.75W 頻率-過渡: 90MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: DPAK	庫存62,796
MJD45H11T4 STMicroelectronics	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 80V 8A D-PAK 制造商: STMicroelectronics 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A 當前-集電極截止（最大值）: 10µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 4A, 1V 功率-最大: 20W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: DPAK	庫存64,554
MJD45H11T4G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 80V 8A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A 當前-集電極截止（最大值）: 1μA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 4A, 1V 功率-最大: 1.75W 頻率-過渡: 90MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: DPAK	庫存3,526
MJD45H11TF ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 80V 8A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A 當前-集電極截止（最大值）: 10µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 4A, 1V 功率-最大: 1.75W 頻率-過渡: 40MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: TO-252-3	庫存90,162
MJD45H11TM ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 80V 8A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A 當前-集電極截止（最大值）: 10µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 4A, 1V 功率-最大: 1.75W 頻率-過渡: 40MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: TO-252-3	庫存5,472
MJD47 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 250V 1A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 200mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 200µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 300mA, 10V 功率-最大: 1.56W 頻率-過渡: 10MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: DPAK	庫存4,320
MJD47G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 250V 1A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 200mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 200µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 300mA, 10V 功率-最大: 1.56W 頻率-過渡: 10MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: DPAK	庫存20,232
MJD47T4 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 250V 1A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 200mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 200µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 300mA, 10V 功率-最大: 1.56W 頻率-過渡: 10MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: DPAK	庫存3,564
MJD47T4 STMicroelectronics	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 250V 1A DPAK 制造商: STMicroelectronics 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 200mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 300mA, 10V 功率-最大: 15W 頻率-過渡: 10MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: DPAK	庫存97,902
MJD47T4G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 250V 1A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 200mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 200µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 300mA, 10V 功率-最大: 1.56W 頻率-過渡: 10MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: DPAK	庫存5,760
MJD47TF ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 250V 1A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 200mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 200µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 300mA, 10V 功率-最大: 1.56W 頻率-過渡: 10MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: TO-252-3	庫存3,834
MJD50 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 400V 1A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 200mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 200µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 300mA, 10V 功率-最大: 1.56W 頻率-過渡: 10MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: DPAK	庫存5,490
MJD50G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 400V 1A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 200mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 200µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 300mA, 10V 功率-最大: 1.56W 頻率-過渡: 10MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: DPAK	庫存20,880
MJD50RLG ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 400V 1A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,676
MJD50T4 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 400V 1A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 200mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 200µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 300mA, 10V 功率-最大: 1.56W 頻率-過渡: 10MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: DPAK	庫存5,400

MJD44H11-001

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 8A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A
當前-集電極截止（最大值）: 1μA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 4A, 1V
功率-最大: 1.75W
頻率-過渡: 85MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供應商設備包裝: I-PAK

庫存3,564

MJD44H11-1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 8A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A
當前-集電極截止（最大值）: 1μA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 4A, 1V
功率-最大: 1.75W
頻率-過渡: 85MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供應商設備包裝: I-PAK

庫存19,008

MJD44H11G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 8A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A
當前-集電極截止（最大值）: 1μA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 4A, 1V
功率-最大: 1.75W
頻率-過渡: 85MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: DPAK

庫存6,066

MJD44H11RLG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 8A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A
當前-集電極截止（最大值）: 1μA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 4A, 1V
功率-最大: 1.75W
頻率-過渡: 85MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: DPAK

庫存30,054

MJD44H11T4

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 8A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A
當前-集電極截止（最大值）: 1μA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 4A, 1V
功率-最大: 1.75W
頻率-過渡: 85MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: DPAK

庫存2,682

MJD44H11T4

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 8A DPAK

制造商: STMicroelectronics
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A
當前-集電極截止（最大值）: 10µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 4A, 1V
功率-最大: 20W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: DPAK

庫存72,354

MJD44H11T4-A

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 8A DPAK

制造商: STMicroelectronics
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A
當前-集電極截止（最大值）: 10µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 4A, 1V
功率-最大: 20W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: DPAK

庫存8,208

MJD44H11T4G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 8A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A
當前-集電極截止（最大值）: 1μA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 4A, 1V
功率-最大: 1.75W
頻率-過渡: 85MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: DPAK

庫存122,976

MJD44H11T5

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 8A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A
當前-集電極截止（最大值）: 1μA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 4A, 1V
功率-最大: 1.75W
頻率-過渡: 85MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: DPAK

庫存3,906

MJD44H11T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 8A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A
當前-集電極截止（最大值）: 1μA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 4A, 1V
功率-最大: 1.75W
頻率-過渡: 85MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: DPAK

庫存6,858

MJD44H11TF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 8A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A
當前-集電極截止（最大值）: 10µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 4A, 1V
功率-最大: 1.75W
頻率-過渡: 50MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: TO-252-3

庫存6,660

MJD44H11TM

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 8A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A
當前-集電極截止（最大值）: 10µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 4A, 1V
功率-最大: 1.75W
頻率-過渡: 50MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: TO-252-3

庫存207,258

MJD45H11-001

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 8A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A
當前-集電極截止（最大值）: 1μA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 4A, 1V
功率-最大: 1.75W
頻率-過渡: 90MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供應商設備包裝: I-PAK

庫存6,390

MJD45H11-1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 8A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A
當前-集電極截止（最大值）: 1μA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 4A, 1V
功率-最大: 1.75W
頻率-過渡: 90MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供應商設備包裝: I-PAK

庫存16,020

MJD45H11G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 8A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A
當前-集電極截止（最大值）: 1μA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 4A, 1V
功率-最大: 1.75W
頻率-過渡: 90MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: DPAK

庫存12,630

MJD45H11RLG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 8A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A
當前-集電極截止（最大值）: 1μA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 4A, 1V
功率-最大: 1.75W
頻率-過渡: 90MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: DPAK

庫存62,796

MJD45H11T4

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 8A D-PAK

制造商: STMicroelectronics
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A
當前-集電極截止（最大值）: 10µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 4A, 1V
功率-最大: 20W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: DPAK

庫存64,554

MJD45H11T4G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 8A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A
當前-集電極截止（最大值）: 1μA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 4A, 1V
功率-最大: 1.75W
頻率-過渡: 90MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: DPAK

庫存3,526

MJD45H11TF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 8A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A
當前-集電極截止（最大值）: 10µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 4A, 1V
功率-最大: 1.75W
頻率-過渡: 40MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: TO-252-3

庫存90,162

MJD45H11TM

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 8A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A
當前-集電極截止（最大值）: 10µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 4A, 1V
功率-最大: 1.75W
頻率-過渡: 40MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: TO-252-3

庫存5,472

MJD47

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 250V 1A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 200mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 200µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 300mA, 10V
功率-最大: 1.56W
頻率-過渡: 10MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: DPAK

庫存4,320

MJD47G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 250V 1A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 200mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 200µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 300mA, 10V
功率-最大: 1.56W
頻率-過渡: 10MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: DPAK

庫存20,232

MJD47T4

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 250V 1A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 200mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 200µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 300mA, 10V
功率-最大: 1.56W
頻率-過渡: 10MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: DPAK

庫存3,564

MJD47T4

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 250V 1A DPAK

制造商: STMicroelectronics
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 200mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 300mA, 10V
功率-最大: 15W
頻率-過渡: 10MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: DPAK

庫存97,902

MJD47T4G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 250V 1A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 200mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 200µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 300mA, 10V
功率-最大: 1.56W
頻率-過渡: 10MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: DPAK

庫存5,760

MJD47TF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 250V 1A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 200mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 200µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 300mA, 10V
功率-最大: 1.56W
頻率-過渡: 10MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: TO-252-3

庫存3,834

MJD50

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 400V 1A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 200mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 200µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 300mA, 10V
功率-最大: 1.56W
頻率-過渡: 10MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: DPAK

庫存5,490

MJD50G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 400V 1A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 200mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 200µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 300mA, 10V
功率-最大: 1.56W
頻率-過渡: 10MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: DPAK

庫存20,880

MJD50RLG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 400V 1A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存8,676

MJD50T4

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 400V 1A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 200mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 200µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 300mA, 10V
功率-最大: 1.56W
頻率-過渡: 10MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: DPAK

庫存5,400

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