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MJD50

MJD50

僅供參考

型號 MJD50
PNEDA編號 MJD50
描述 TRANS NPN 400V 1A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,490
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 6 - 五月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJD50資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJD50
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJD50, MJD50數據表 (總頁數: 6, 大小: 75.58 KB)
PDFMJD50數據表 封面
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MJD50規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)400V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 200mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)200µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 300mA, 10V
功率-最大1.56W
頻率-過渡10MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 10mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 500mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 2.5A, 5V

功率-最大

4W

頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

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NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

200nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 1A, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 6A, 30A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 15A, 2V

功率-最大

5W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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500mV @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 100mA, 1V

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