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MJD45H11T4G

MJD45H11T4G

僅供參考

型號 MJD45H11T4G
PNEDA編號 MJD45H11T4G
描述 TRANS PNP 80V 8A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,526
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 19 - 五月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJD45H11T4G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJD45H11T4G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJD45H11T4G, MJD45H11T4G數據表 (總頁數: 9, 大小: 91.46 KB)
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MJD45H11T4G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)8A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 400mA, 8A
當前-集電極截止(最大值)1μA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 4A, 1V
功率-最大1.75W
頻率-過渡90MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 100mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-243AA

供應商設備包裝

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 10µA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

TO-92-3

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

450V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 200mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

200µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 100mA, 5V

功率-最大

50W

頻率-過渡

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

85 @ 150mA, 10V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

140MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 40mA, 400mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 5V

功率-最大

800mW

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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