晶體管

MJE18006

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 450V 6A TO-220AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: SWITCHMODE™
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 450V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 600mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 6 @ 3A, 1V
• 功率-最大: 100W
• 頻率-過渡: 14MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

加入購物車更新到購物車

MJE18006G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 450V 6A TO-220AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: SWITCHMODE™
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 450V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 600mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 6 @ 3A, 1V
• 功率-最大: 100W
• 頻率-過渡: 14MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

加入購物車更新到購物車

MJE18008

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 450V 8A TO220AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: SWITCHMODE™
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 450V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 900mA, 4.5V
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 14 @ 1A, 5V
• 功率-最大: 125W
• 頻率-過渡: 13MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

加入購物車更新到購物車

MJE18008G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 450V 8A TO220AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: SWITCHMODE™
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 450V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 900mA, 4.5V
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 14 @ 1A, 5V
• 功率-最大: 125W
• 頻率-過渡: 13MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

加入購物車更新到購物車

MJE180G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 3A TO225AA

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 100mA, 1V
• 功率-最大: 1.5W
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-225AA

加入購物車更新到購物車

MJE180PWD

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 3A

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 100mA, 1V
• 功率-最大: 1.5W
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-126

加入購物車更新到購物車

MJE180STU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 3A TO-126

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 100mA, 1V
• 功率-最大: 1.5W
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-126-3

加入購物車更新到購物車

MJE181

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 3A TO225AA

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 100mA, 1V
• 功率-最大: 12.5W
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-225AA

加入購物車更新到購物車

MJE181G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 3A TO225AA

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 100mA, 1V
• 功率-最大: 1.5W
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-225AA

加入購物車更新到購物車

MJE181STU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 3A TO-126

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 100mA, 1V
• 功率-最大: 1.5W
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-126-3

加入購物車更新到購物車

MJE182

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 3A SOT-32

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 100mA, 1V
• 功率-最大: 12.5W
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: SOT-32-3

加入購物車更新到購物車

MJE182G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 3A TO225AA

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 100mA, 1V
• 功率-最大: 1.5W
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-225AA

加入購物車更新到購物車

MJE182STU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 3A TO-126

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 100mA, 1V
• 功率-最大: 1.5W
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-126-3

加入購物車更新到購物車

MJE200G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 5A TO225AA

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.8V @ 1A, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 45 @ 2A, 1V
• 功率-最大: 15W
• 頻率-過渡: 65MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-225AA

加入購物車更新到購物車

MJE200STU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 5A TO-126

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.8V @ 1A, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 45 @ 2A, 1V
• 功率-最大: 15W
• 頻率-過渡: 65MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-126-3

加入購物車更新到購物車

MJE200TSTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 5A TO-126

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.8V @ 1A, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 45 @ 2A, 1V
• 功率-最大: 15W
• 頻率-過渡: 65MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-126-3

加入購物車更新到購物車

MJE210

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 5A TO225AA

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.8V @ 1A, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 45 @ 2A, 1V
• 功率-最大: 15W
• 頻率-過渡: 65MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-225AA

加入購物車更新到購物車

MJE210

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 25V 5A SOT-32

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.8V @ 1A, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 45 @ 2A, 1V
• 功率-最大: 1.5W
• 頻率-過渡: 65MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: SOT-32-3

加入購物車更新到購物車

MJE210G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 5A TO225AA

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.8V @ 1A, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 45 @ 2A, 1V
• 功率-最大: 15W
• 頻率-過渡: 65MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-225AA

加入購物車更新到購物車

MJE210STU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 25V 5A TO-126

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.8V @ 1A, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 45 @ 2A, 1V
• 功率-最大: 15W
• 頻率-過渡: 65MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-126-3

加入購物車更新到購物車

MJE210T

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 5A TO-225

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.8V @ 1A, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 45 @ 2A, 1V
• 功率-最大: 15W
• 頻率-過渡: 65MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-225AA

加入購物車更新到購物車

MJE210TG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 5A TO225

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.8V @ 1A, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 45 @ 2A, 1V
• 功率-最大: 15W
• 頻率-過渡: 65MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-225AA

加入購物車更新到購物車

MJE243G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 100V 4A TO225AA

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 200mA, 1V
• 功率-最大: 1.5W
• 頻率-過渡: 40MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-225AA

加入購物車更新到購物車

MJE253G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 100V 4A TO225AA

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 200mA, 1V
• 功率-最大: 1.5W
• 頻率-過渡: 40MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-225AA

加入購物車更新到購物車

MJE270

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 100V 2A TO225AA

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1500 @ 120mA, 10V
• 功率-最大: 1.5W
• 頻率-過渡: 6MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-225AA

加入購物車更新到購物車

MJE270G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 100V 2A TO225AA

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1500 @ 120mA, 10V
• 功率-最大: 1.5W
• 頻率-過渡: 6MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-225AA

加入購物車更新到購物車

MJE271

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 100V 2A TO-225

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1500 @ 120mA, 10V
• 功率-最大: 1.5W
• 頻率-過渡: 6MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-225AA

加入購物車更新到購物車

MJE271G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 100V 2A TO-225

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1500 @ 120mA, 10V
• 功率-最大: 1.5W
• 頻率-過渡: 6MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-225AA

加入購物車更新到購物車

MJE2955-BP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP TO-220

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.1V @ 400mA, 4A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 2MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220

加入購物車更新到購物車

MJE2955T

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 10A TO220AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 8V @ 3.3A, 10A
• 當前-集電極截止（最大值）: 700µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V
• 功率-最大: 75W
• 頻率-過渡: 2MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

加入購物車更新到購物車