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MJD47TF

MJD47TF

僅供參考

型號 MJD47TF
PNEDA編號 MJD47TF
描述 TRANS NPN 250V 1A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,834
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 25 - 五月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJD47TF資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJD47TF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJD47TF, MJD47TF數據表 (總頁數: 7, 大小: 299.21 KB)
PDFMJD50TF數據表 封面
MJD50TF數據表 頁面 2 MJD50TF數據表 頁面 3 MJD50TF數據表 頁面 4 MJD50TF數據表 頁面 5 MJD50TF數據表 頁面 6 MJD50TF數據表 頁面 7

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MJD47TF規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)250V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 200mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)200µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 300mA, 10V
功率-最大1.56W
頻率-過渡10MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝TO-252-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

200V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

220mV @ 35mA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 5V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-225AA, TO-126-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 3A, 5V

功率-最大

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

500 @ 100µA, 5V

功率-最大

300mW

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

25A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 5A, 25A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 15A, 4V

功率-最大

125W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

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