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IS43DR16640C-3DBI

IS43DR16640C-3DBI

僅供參考

型號 IS43DR16640C-3DBI
PNEDA編號 IS43DR16640C-3DBI
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 333MHZ
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 8,640
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 15 - 五月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS43DR16640C-3DBI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS43DR16640C-3DBI
類別半導體內存IC內存
數據表
IS43DR16640C-3DBI, IS43DR16640C-3DBI數據表 (總頁數: 49, 大小: 1,094.66 KB)
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IS43DR16640C-3DBI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR2
內存大小1Gb (64M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率333MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間450ns
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱84-TFBGA
供應商設備包裝84-TFBGA (12.5x8)

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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內存接口

SPI

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15ms, 3ms

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電壓-供電

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工作溫度

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