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IS43DR86400D-3DBI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 512Mb (64M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 333MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 450ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TWBGA (8x10.5)

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IS43DR86400D-3DBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 512Mb (64M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 333MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 450ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TWBGA (8x10.5)

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IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 512Mb (64M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 333MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 450ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TWBGA (8x10.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 512Mb (64M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 400ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TWBGA (8x10.5)

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IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 512Mb (64M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 400ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TWBGA (8x10.5)

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IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 512Mb (64M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 400ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TWBGA (8x10.5)

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IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 512Mb (64M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 333MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 450ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TWBGA (8x10.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 512Mb (64M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 333MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 450ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TWBGA (8x10.5)

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IS43DR86400E-3DBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 512Mb (64M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 333MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 450ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TWBGA (8x10.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• 內存大小: 2Gb (128M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 533MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 134-TFBGA
• 供應商設備包裝: 134-TFBGA (10x11.5)

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IS43LD16128B-18BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• 內存大小: 2Gb (128M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 533MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 134-TFBGA
• 供應商設備包裝: 134-TFBGA (10x11.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• 內存大小: 2Gb (128M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 533MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 134-TFBGA
• 供應商設備包裝: 134-TFBGA (10x11.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• 內存大小: 2Gb (128M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 533MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 134-TFBGA
• 供應商設備包裝: 134-TFBGA (10x11.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• 內存大小: 2Gb (128M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 134-TFBGA
• 供應商設備包裝: 134-TFBGA (10x11.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• 內存大小: 2Gb (128M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 134-TFBGA
• 供應商設備包裝: 134-TFBGA (10x11.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• 內存大小: 2Gb (128M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 134-TFBGA
• 供應商設備包裝: 134-TFBGA (10x11.5)

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IS43LD16128B-25BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• 內存大小: 2Gb (128M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 134-TFBGA
• 供應商設備包裝: 134-TFBGA (10x11.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• 內存大小: 512Mb (32M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 134-TFBGA
• 供應商設備包裝: 134-TFBGA (10x11.5)

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IS43LD16320A-25BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• 內存大小: 512Mb (32M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 134-TFBGA
• 供應商設備包裝: 134-TFBGA (10x11.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
• 內存大小: 1Gb (64M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
• 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 134-TFBGA
• 供應商設備包裝: 134-TFBGA (10x11.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
• 內存大小: 1Gb (64M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 134-TFBGA
• 供應商設備包裝: 134-TFBGA (10x11.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
• 內存大小: 1Gb (64M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 134-TFBGA
• 供應商設備包裝: 134-TFBGA (10x11.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
• 內存大小: 1Gb (64M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
• 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 134-TFBGA
• 供應商設備包裝: 134-TFBGA (10x11.5)

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IS43LD16640A-3BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
• 內存大小: 1Gb (64M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 333MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
• 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 134-TFBGA
• 供應商設備包裝: 134-TFBGA (10x11.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
• 內存大小: 1Gb (64M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 333MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 134-TFBGA
• 供應商設備包裝: 134-TFBGA (10x11.5)

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內存

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
• 內存大小: 1Gb (64M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 333MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 134-TFBGA
• 供應商設備包裝: 134-TFBGA (10x11.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
• 內存大小: 1Gb (64M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 333MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
• 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 134-TFBGA
• 供應商設備包裝: 134-TFBGA (10x11.5)

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IS43LD16640C-18BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 533MHZ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• 內存大小: 1Gb (64M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 533MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 134-TFBGA
• 供應商設備包裝: 134-TFBGA (10x11.5)

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IC DRAM 1G PARALLEL 533MHZ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• 內存大小: 1Gb (64M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 533MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 134-TFBGA
• 供應商設備包裝: 134-TFBGA (10x11.5)

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IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• 內存大小: 1Gb (64M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 134-TFBGA
• 供應商設備包裝: 134-TFBGA (10x11.5)

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