IS42VM32160E-6BLI
僅供參考
| 型號 | IS42VM32160E-6BLI |
| PNEDA編號 | IS42VM32160E-6BLI |
| 描述 | IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA |
| 制造商 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 3,618 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 六月 7 - 六月 12 (選擇加急運輸) |
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IS42VM32160E-6BLI規格
| 制造商 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 系列 | - |
| 內存類型 | Volatile |
| 內存格式 | DRAM |
| 技術 | SDRAM - Mobile |
| 內存大小 | 512Mb (16M x 32) |
| 內存接口 | Parallel |
| 時鐘頻率 | 166MHz |
| 寫周期-字，頁 | - |
| 訪問時間 | 5.5ns |
| 電壓-供電 | 1.7V ~ 1.95V |
| 工作溫度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | 90-TFBGA |
| 供應商設備包裝 | 90-TFBGA (8x13) |
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