晶體管

記錄 64,903

頁面 916/2164

型號	描述	庫存
MRF8P29300HR6 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 2.9GHZ NI1230 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 2.9GHz 增益: 13.3dB 電壓-測試: 30V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 100mA 功率-輸出: 320W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-1230 供應商設備包裝: NI-1230	庫存3,132
MRF8P29300HSR6 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 2.9GHZ NI1230S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 2.9GHz 增益: 13.3dB 電壓-測試: 30V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 100mA 功率-輸出: 320W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-1230S 供應商設備包裝: NI-1230S	庫存2,610
MRF8P8300HR6 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 70V 820MHZ NI1230 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 820MHz 增益: 20.9dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 2A 功率-輸出: 96W 電壓-額定: 70V 包裝/箱: NI-1230 供應商設備包裝: NI-1230	庫存4,320
MRF8P8300HSR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 70V 820MHZ NI1230S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 820MHz 增益: 20.9dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 2A 功率-輸出: 96W 電壓-額定: 70V 包裝/箱: NI-1230S 供應商設備包裝: NI-1230S	庫存5,346
MRF8P8300HSR6 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 70V 820MHZ NI1230S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 820MHz 增益: 20.9dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 2A 功率-輸出: 96W 電壓-額定: 70V 包裝/箱: NI-1230S 供應商設備包裝: NI-1230S	庫存3,888
MRF8P9040GNR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 70V 960MHZ TO-270 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 960MHz 增益: 19.1dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 320mA 功率-輸出: 4W 電壓-額定: 70V 包裝/箱: TO-270BB 供應商設備包裝: TO-270 WB-4 Gull	庫存3,510
MRF8P9040NBR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 70V 960MHZ TO272-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 960MHz 增益: 19.1dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 320mA 功率-輸出: 4W 電壓-額定: 70V 包裝/箱: TO-272-4 供應商設備包裝: TO-272-4	庫存8,964
MRF8P9040NR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 70V 960MHZ TO272-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 960MHz 增益: 19.1dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 320mA 功率-輸出: 4W 電壓-額定: 70V 包裝/箱: TO-272-4 供應商設備包裝: TO-272-4	庫存2,196
MRF8P9210NR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 70V 960MHZ OM780-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: N-Channel 頻率: 960MHz 增益: 16.8dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 750mA 功率-輸出: 63W 電壓-額定: 70V 包裝/箱: NI-780-4 供應商設備包裝: NI-780-4	庫存3,618
MRF8P9300HR6 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 70V 960MHZ NI-1230H 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 960MHz 增益: 19.4dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 2.4A 功率-輸出: 100W 電壓-額定: 70V 包裝/箱: NI-1230 供應商設備包裝: NI-1230	庫存2,718
MRF8P9300HSR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 70V 960MHZ NI-1230HS 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 960MHz 增益: 19.4dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 2.4A 功率-輸出: 100W 電壓-額定: 70V 包裝/箱: NI-1230S 供應商設備包裝: NI-1230S	庫存4,968
MRF8P9300HSR6 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 70V 960MHZ NI-1230HS 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 960MHz 增益: 19.4dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 2.4A 功率-輸出: 100W 電壓-額定: 70V 包裝/箱: NI-1230S 供應商設備包裝: NI-1230S	庫存7,992
MRF8S18120HR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.81GHZ NI-780 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.81GHz 增益: 18.2dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 800mA 功率-輸出: 72W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: SOT-957A 供應商設備包裝: NI-780H-2L	庫存3,312
MRF8S18120HR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.81GHZ NI-780 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.81GHz 增益: 18.2dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 800mA 功率-輸出: 72W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: SOT-957A 供應商設備包裝: NI-780H-2L	庫存8,208
MRF8S18120HSR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.81GHZ NI-780S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.81GHz 增益: 18.2dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 800mA 功率-輸出: 72W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存5,724
MRF8S18120HSR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.81GHZ NI-780S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.81GHz 增益: 18.2dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 800mA 功率-輸出: 72W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存5,814
MRF8S18210WGHSR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.93GHZ NI880XGS 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: N-Channel 頻率: 1.93GHz 增益: 17.8dB 電壓-測試: 30V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.3A 功率-輸出: 50W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-880XS-2 GW 供應商設備包裝: NI-880XS-2 Gull	庫存3,348
MRF8S18210WGHSR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.93GHZ NI880XGS 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: N-Channel 頻率: 1.93GHz 增益: 17.8dB 電壓-測試: 30V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.3A 功率-輸出: 50W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-880XS-2 GW 供應商設備包裝: NI-880XS-2 Gull	庫存3,870
MRF8S18210WHSR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.93GHZ NI880XS2 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: N-Channel 頻率: 1.93GHz 增益: 17.8dB 電壓-測試: 30V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.3A 功率-輸出: 50W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-880XS 供應商設備包裝: NI-880XS	庫存7,020
MRF8S18210WHSR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.93GHZ NI880XS3 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: N-Channel 頻率: 1.93GHz 增益: 17.8dB 電壓-測試: 30V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.3A 功率-輸出: 50W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-880XS 供應商設備包裝: NI-880XS	庫存5,004
MRF8S18260HR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230-8 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 1.81GHz 增益: 17.9dB 電壓-測試: 30V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.6A 功率-輸出: 74W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: SOT-1110A 供應商設備包裝: NI1230-8	庫存2,286
MRF8S18260HR6 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230-8 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 1.81GHz 增益: 17.9dB 電壓-測試: 30V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.6A 功率-輸出: 74W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: SOT-1110A 供應商設備包裝: NI1230-8	庫存8,910
MRF8S18260HSR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230S-8 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 1.81GHz 增益: 17.9dB 電壓-測試: 30V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.6A 功率-輸出: 74W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: SOT-1110B 供應商設備包裝: NI1230S-8	庫存8,730
MRF8S18260HSR6 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230S-8 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 1.81GHz 增益: 17.9dB 電壓-測試: 30V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.6A 功率-輸出: 74W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: SOT-1110B 供應商設備包裝: NI1230S-8	庫存6,516
MRF8S19140HR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.96GHZ NI780H 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.96GHz 增益: 19.1dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.1A 功率-輸出: 34W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: SOT-957A 供應商設備包裝: NI-780H-2L	庫存6,192
MRF8S19140HSR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.96GHZ NI780HS 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.96GHz 增益: 19.1dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.1A 功率-輸出: 34W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存6,156
MRF8S19140HSR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.96GHZ NI780HS 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.96GHz 增益: 19.1dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.1A 功率-輸出: 34W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存6,048
MRF8S19260HR6 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI1230-8 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 1.99GHz 增益: 18.2dB 電壓-測試: 30V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.6A 功率-輸出: 74W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: SOT-1110A 供應商設備包裝: NI1230-8	庫存7,380
MRF8S19260HSR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI1230S-8 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 1.99GHz 增益: 18.2dB 電壓-測試: 30V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.6A 功率-輸出: 74W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: SOT-1110B 供應商設備包裝: NI1230S-8	庫存7,542
MRF8S19260HSR6 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI1230S-8 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 1.99GHz 增益: 18.2dB 電壓-測試: 30V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.6A 功率-輸出: 74W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: SOT-1110B 供應商設備包裝: NI1230S-8	庫存4,698

«
‹
1
...
913
914
915
916 (current)
917
918
919
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

晶體管

資源

支持

Social Media

Need Help?
Send Message