晶體管

MRF8S21100HR3

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 65V 2.17GHZ NI780H

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: N-Channel
• 頻率: 2.17GHz
• 增益: 18.3dB
• 電壓-測試: 28V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 700mA
• 功率-輸出: 24W
• 電壓-額定: 65V
• 包裝/箱: SOT-957A
• 供應商設備包裝: NI-780H-2L

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MRF8S21100HR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 65V 2.17GHZ NI780H

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: N-Channel
• 頻率: 2.17GHz
• 增益: 18.3dB
• 電壓-測試: 28V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 700mA
• 功率-輸出: 24W
• 電壓-額定: 65V
• 包裝/箱: SOT-957A
• 供應商設備包裝: NI-780H-2L

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MRF8S21100HSR3

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 65V 2.17GHZ NI780S

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 2.17GHz
• 增益: 18.3dB
• 電壓-測試: 28V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 700mA
• 功率-輸出: 24W
• 電壓-額定: 65V
• 包裝/箱: NI-780S
• 供應商設備包裝: NI-780S

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MRF8S21100HSR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 65V 2.17GHZ NI780HS

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: N-Channel
• 頻率: 2.17GHz
• 增益: 18.3dB
• 電壓-測試: 28V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 700mA
• 功率-輸出: 24W
• 電壓-額定: 65V
• 包裝/箱: SOT-957A
• 供應商設備包裝: NI-780H-2L

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MRF8S21120HR3

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 65V 2.17GHZ NI780H

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 2.17GHz
• 增益: 17.6dB
• 電壓-測試: 28V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 850mA
• 功率-輸出: 28W
• 電壓-額定: 65V
• 包裝/箱: SOT-957A
• 供應商設備包裝: NI-780H-2L

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MRF8S21120HSR3

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 65V 2.17GHZ NI780HS

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 2.17GHz
• 增益: 17.6dB
• 電壓-測試: 28V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 850mA
• 功率-輸出: 28W
• 電壓-額定: 65V
• 包裝/箱: NI-780S
• 供應商設備包裝: NI-780S

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MRF8S21140HR3

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 65V 2.14GHZ NI780

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 2.14GHz
• 增益: 17.9dB
• 電壓-測試: 28V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 970mA
• 功率-輸出: 34W
• 電壓-額定: 65V
• 包裝/箱: SOT-957A
• 供應商設備包裝: NI-780H-2L

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MRF8S21140HR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 65V 2.14GHZ NI780

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 2.14GHz
• 增益: 17.9dB
• 電壓-測試: 28V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 970mA
• 功率-輸出: 34W
• 電壓-額定: 65V
• 包裝/箱: SOT-957A
• 供應商設備包裝: NI-780H-2L

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MRF8S21140HSR3

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 65V 2.14GHZ NI780S

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 2.14GHz
• 增益: 17.9dB
• 電壓-測試: 28V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 970mA
• 功率-輸出: 34W
• 電壓-額定: 65V
• 包裝/箱: NI-780S
• 供應商設備包裝: NI-780S

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MRF8S21140HSR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 65V 2.14GHZ NI780S

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 2.14GHz
• 增益: 17.9dB
• 電壓-測試: 28V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 970mA
• 功率-輸出: 34W
• 電壓-額定: 65V
• 包裝/箱: NI-780S
• 供應商設備包裝: NI-780S

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MRF8S21200HR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI1230H

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS (Dual)
• 頻率: 2.14GHz
• 增益: 18.1dB
• 電壓-測試: 28V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 1.4A
• 功率-輸出: 48W
• 電壓-額定: 65V
• 包裝/箱: NI-1230
• 供應商設備包裝: NI-1230

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MRF8S21200HR6

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230H

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS (Dual)
• 頻率: 2.14GHz
• 增益: 18.1dB
• 電壓-測試: 28V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 1.4A
• 功率-輸出: 48W
• 電壓-額定: 65V
• 包裝/箱: NI-1230
• 供應商設備包裝: NI-1230

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MRF8S21200HSR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230HS

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS (Dual)
• 頻率: 2.14GHz
• 增益: 18.1dB
• 電壓-測試: 28V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 1.4A
• 功率-輸出: 48W
• 電壓-額定: 65V
• 包裝/箱: NI-1230S
• 供應商設備包裝: NI-1230S

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MRF8S21200HSR6

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230HS

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS (Dual)
• 頻率: 2.14GHz
• 增益: 18.1dB
• 電壓-測試: 28V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 1.4A
• 功率-輸出: 48W
• 電壓-額定: 65V
• 包裝/箱: NI-1230S
• 供應商設備包裝: NI-1230S

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MRF8S23120HR3

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 65V 2.3GHZ NI-780

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 2.3GHz
• 增益: 16dB
• 電壓-測試: 28V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 800mA
• 功率-輸出: 28W
• 電壓-額定: 65V
• 包裝/箱: SOT-957A
• 供應商設備包裝: NI-780H-2L

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MRF8S23120HR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 65V 2.3GHZ NI-780

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 2.3GHz
• 增益: 16dB
• 電壓-測試: 28V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 800mA
• 功率-輸出: 28W
• 電壓-額定: 65V
• 包裝/箱: SOT-957A
• 供應商設備包裝: NI-780H-2L

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MRF8S23120HSR3

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 65V 2.3GHZ NI-780S

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 2.3GHz
• 增益: 16dB
• 電壓-測試: 28V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 800mA
• 功率-輸出: 28W
• 電壓-額定: 65V
• 包裝/箱: NI-780S
• 供應商設備包裝: NI-780S

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MRF8S23120HSR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 65V 2.3GHZ NI-780S

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 2.3GHz
• 增益: 16dB
• 電壓-測試: 28V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 800mA
• 功率-輸出: 28W
• 電壓-額定: 65V
• 包裝/箱: NI-780S
• 供應商設備包裝: NI-780S

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NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 65V 2.69GHZ

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 2.69GHz
• 增益: 16.3dB
• 電壓-測試: 28V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 450mA
• 功率-輸出: 15.5W
• 電壓-額定: 65V
• 包裝/箱: NI-400-240
• 供應商設備包裝: NI-400-240

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MRF8S26060HR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 65V 2.69GHZ

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 2.69GHz
• 增益: 16.3dB
• 電壓-測試: 28V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 450mA
• 功率-輸出: 15.5W
• 電壓-額定: 65V
• 包裝/箱: NI-400-240
• 供應商設備包裝: NI-400-240

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MRF8S26060HSR3

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 65V 2.69GHZ

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 2.69GHz
• 增益: 16.3dB
• 電壓-測試: 28V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 450mA
• 功率-輸出: 15.5W
• 電壓-額定: 65V
• 包裝/箱: NI-400S-2S
• 供應商設備包裝: NI-400S-2S

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MRF8S26060HSR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 65V 2.69GHZ

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 2.69GHz
• 增益: 16.3dB
• 電壓-測試: 28V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 450mA
• 功率-輸出: 15.5W
• 電壓-額定: 65V
• 包裝/箱: NI-400S-2S
• 供應商設備包裝: NI-400S-2S

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MRF8S26120HR3

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 65V 2.69GHZ NI780

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 2.69GHz
• 增益: 15.6dB
• 電壓-測試: 28V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 900mA
• 功率-輸出: 28W
• 電壓-額定: 65V
• 包裝/箱: SOT-957A
• 供應商設備包裝: NI-780H-2L

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MRF8S26120HSR3

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 65V 2.69GHZ NI780S

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 2.69GHz
• 增益: 15.6dB
• 電壓-測試: 28V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 900mA
• 功率-輸出: 28W
• 電壓-額定: 65V
• 包裝/箱: NI-780S
• 供應商設備包裝: NI-780S

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MRF8S26120HSR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 65V 2.69GHZ NI780S

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 2.69GHz
• 增益: 15.6dB
• 電壓-測試: 28V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 900mA
• 功率-輸出: 28W
• 電壓-額定: 65V
• 包裝/箱: NI-780S
• 供應商設備包裝: NI-780S

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MRF8S7120NR3

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 70V 768MHZ

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 768MHz
• 增益: 19.2dB
• 電壓-測試: 28V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 600mA
• 功率-輸出: 32W
• 電壓-額定: 70V
• 包裝/箱: OM-780-2
• 供應商設備包裝: OM-780-2

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MRF8S7170NR3

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 70V 748MHZ OM780-2

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 748MHz
• 增益: 19.5dB
• 電壓-測試: 28V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 1.2A
• 功率-輸出: 50W
• 電壓-額定: 70V
• 包裝/箱: OM-780-2
• 供應商設備包裝: OM-780-2

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MRF8S7235NR3

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 70V 728MHZ OM780-2

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 728MHz
• 增益: 20dB
• 電壓-測試: 28V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 1.4A
• 功率-輸出: 63W
• 電壓-額定: 70V
• 包裝/箱: OM-780-2
• 供應商設備包裝: OM-780-2

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MRF8S8260HR3

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 70V 895MHZ NI880

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 895MHz
• 增益: 21.1dB
• 電壓-測試: 28V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 1.5A
• 功率-輸出: 70W
• 電壓-額定: 70V
• 包裝/箱: NI-880
• 供應商設備包裝: NI-880

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MRF8S8260HSR3

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 70V 895MHZ NI880S

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 895MHz
• 增益: 21.1dB
• 電壓-測試: 28V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 1.5A
• 功率-輸出: 70W
• 電壓-額定: 70V
• 包裝/箱: NI-880S
• 供應商設備包裝: NI-880S

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