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MRF8S18210WGHSR3

MRF8S18210WGHSR3

僅供參考

型號 MRF8S18210WGHSR3
PNEDA編號 MRF8S18210WGHSR3
描述 FET RF 65V 1.93GHZ NI880XGS
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 3,348
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 21 - 五月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF8S18210WGHSR3資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF8S18210WGHSR3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF8S18210WGHSR3, MRF8S18210WGHSR3數據表 (總頁數: 18, 大小: 815.76 KB)
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MRF8S18210WGHSR3規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型N-Channel
頻率1.93GHz
增益17.8dB
電壓-測試30V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試1.3A
功率-輸出50W
電壓-額定65V
包裝/箱NI-880XS-2 GW
供應商設備包裝NI-880XS-2 Gull

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2.8µA

噪聲系數

-

當前-測試

90mA

功率-輸出

600W

電壓-額定

108V

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOT502B

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頻率

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額定電流(安培)

50mA

噪聲系數

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當前-測試

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電壓-額定

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增益

18.5dB

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額定電流(安培)

1µA

噪聲系數

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當前-測試

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功率-輸出

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電壓-額定

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包裝/箱

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供應商設備包裝

H-32259-2

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

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頻率

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增益

21.1dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

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噪聲系數

-

當前-測試

450mA

功率-輸出

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電壓-額定

66V

包裝/箱

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制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

880MHz

增益

17.8dB

電壓-測試

26V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.1A

功率-輸出

25W

電壓-額定

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