晶體管

記錄 64,903

頁面 913/2164

型號	描述	庫存
MRF7S19080HSR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.99GHz 增益: 18dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 750mA 功率-輸出: 24W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存7,254
MRF7S19100NBR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ TO272-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.93GHz ~ 1.99GHz 增益: 17.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1A 功率-輸出: 29W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: TO-272BB 供應商設備包裝: TO-272 WB-4	庫存5,400
MRF7S19100NR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ TO270-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.93GHz ~ 1.99GHz 增益: 17.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1A 功率-輸出: 29W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: TO-270AB 供應商設備包裝: TO-270 WB-4	庫存7,146
MRF7S19120NR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ TO-270-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.99GHz 增益: 18dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.2A 功率-輸出: 36W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: TO-270AB 供應商設備包裝: TO-270 WB-4	庫存4,104
MRF7S19170HR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-880 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.99GHz 增益: 17.2dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.4A 功率-輸出: 50W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-880 供應商設備包裝: NI-880	庫存8,154
MRF7S19170HR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-880 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.99GHz 增益: 17.2dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.4A 功率-輸出: 50W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-880 供應商設備包裝: NI-880	庫存7,830
MRF7S19170HSR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-880S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.99GHz 增益: 17.2dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.4A 功率-輸出: 50W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-880S 供應商設備包裝: NI-880S	庫存6,714
MRF7S19170HSR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-880S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.99GHz 增益: 17.2dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.4A 功率-輸出: 50W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-880S 供應商設備包裝: NI-880S	庫存7,758
MRF7S19210HR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI780 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.99GHz 增益: 20dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.4A 功率-輸出: 63W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: SOT-957A 供應商設備包裝: NI-780H-2L	庫存2,988
MRF7S19210HR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI780 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.99GHz 增益: 20dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.4A 功率-輸出: 63W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: SOT-957A 供應商設備包裝: NI-780H-2L	庫存4,410
MRF7S19210HSR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI780S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.99GHz 增益: 20dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.4A 功率-輸出: 63W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存5,400
MRF7S19210HSR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI780S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.99GHz 增益: 20dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.4A 功率-輸出: 63W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存6,408
MRF7S21080HR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.17GHz 增益: 18dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 800mA 功率-輸出: 22W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: SOT-957A 供應商設備包裝: NI-780H-2L	庫存8,226
MRF7S21080HR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.17GHz 增益: 18dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 800mA 功率-輸出: 22W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: SOT-957A 供應商設備包裝: NI-780H-2L	庫存2,250
MRF7S21080HSR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.17GHz 增益: 18dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 800mA 功率-輸出: 22W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存7,470
MRF7S21080HSR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.17GHz 增益: 18dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 800mA 功率-輸出: 22W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存4,068
MRF7S21110HR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.17GHz 增益: 17.3dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.1A 功率-輸出: 33W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: SOT-957A 供應商設備包裝: NI-780H-2L	庫存5,094
MRF7S21110HR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.17GHz 增益: 17.3dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.1A 功率-輸出: 33W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: SOT-957A 供應商設備包裝: NI-780H-2L	庫存3,708
MRF7S21110HSR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.17GHz 增益: 17.3dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.1A 功率-輸出: 33W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存8,568
MRF7S21110HSR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.17GHz 增益: 17.3dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.1A 功率-輸出: 33W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存5,094
MRF7S21150HR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.11GHz ~ 2.17GHz 增益: 17.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.35A 功率-輸出: 44W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: SOT-957A 供應商設備包裝: NI-780H-2L	庫存8,334
MRF7S21150HR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.11GHz ~ 2.17GHz 增益: 17.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.35A 功率-輸出: 44W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: SOT-957A 供應商設備包裝: NI-780H-2L	庫存2,178
MRF7S21150HSR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.11GHz ~ 2.17GHz 增益: 17.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.35A 功率-輸出: 44W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存7,686
MRF7S21150HSR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI780S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.11GHz ~ 2.17GHz 增益: 17.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.35A 功率-輸出: 44W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存8,226
MRF7S21170HR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-880 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.17GHz 增益: 16dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.4A 功率-輸出: 50W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-880 供應商設備包裝: NI-880	庫存7,812
MRF7S21170HR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-880 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.17GHz 增益: 16dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.4A 功率-輸出: 50W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-880 供應商設備包裝: NI-880	庫存8,136
MRF7S21170HSR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-88OS 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.17GHz 增益: 16dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.4A 功率-輸出: 50W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-880S 供應商設備包裝: NI-880S	庫存7,290
MRF7S21210HR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.17GHz 增益: 18.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.4A 功率-輸出: 63W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: SOT-957A 供應商設備包裝: NI-780H-2L	庫存5,382
MRF7S21210HR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.17GHz 增益: 18.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.4A 功率-輸出: 63W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: SOT-957A 供應商設備包裝: NI-780H-2L	庫存6,912
MRF7S21210HSR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.17GHz 增益: 18.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.4A 功率-輸出: 63W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存7,542

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