晶體管

記錄 64,903

頁面 911/2164

型號	描述	庫存
MRF6V2300NR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 110V 220MHZ TO-270-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 220MHz 增益: 25.5dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 900mA 功率-輸出: 300W 電壓-額定: 110V 包裝/箱: TO-270AB 供應商設備包裝: TO-270 WB-4	庫存6,984
MRF6V2300NR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 110V 220MHZ TO-270-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 220MHz 增益: 25.5dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 900mA 功率-輸出: 300W 電壓-額定: 110V 包裝/箱: TO-270AB 供應商設備包裝: TO-270 WB-4	庫存5,490
MRF6V3090NBR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 110V 860MHZ TO272-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 860MHz 增益: 22dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 350mA 功率-輸出: 18W 電壓-額定: 110V 包裝/箱: TO-272BB 供應商設備包裝: TO-272 WB-4	庫存2,628
MRF6V3090NBR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 110V 860MHZ TO272-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 860MHz 增益: 22dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 350mA 功率-輸出: 18W 電壓-額定: 110V 包裝/箱: TO-272BB 供應商設備包裝: TO-272 WB-4	庫存2,448
MRF6V3090NR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 110V 860MHZ TO270-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 860MHz 增益: 22dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 350mA 功率-輸出: 18W 電壓-額定: 110V 包裝/箱: TO-270AB 供應商設備包裝: TO-270 WB-4	庫存5,796
MRF6V3090NR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 110V 860MHZ TO270-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 860MHz 增益: 22dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 350mA 功率-輸出: 18W 電壓-額定: 110V 包裝/箱: TO-270AB 供應商設備包裝: TO-270 WB-4	庫存7,974
MRF6V4300NBR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 110V 450MHZ TO-272-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 450MHz 增益: 22dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 900mA 功率-輸出: 300W 電壓-額定: 110V 包裝/箱: TO-272BB 供應商設備包裝: TO-272 WB-4	庫存3,636
MRF6V4300NBR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 110V 450MHZ TO-272-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 450MHz 增益: 22dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 900mA 功率-輸出: 300W 電壓-額定: 110V 包裝/箱: TO-272BB 供應商設備包裝: TO-272 WB-4	庫存7,128
MRF6V4300NR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 110V 450MHZ TO-270-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 450MHz 增益: 22dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 900mA 功率-輸出: 300W 電壓-額定: 110V 包裝/箱: TO-270AB 供應商設備包裝: TO-270 WB-4	庫存8,658
MRF6V4300NR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 110V 450MHZ TO-270-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 450MHz 增益: 22dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 900mA 功率-輸出: 300W 電壓-額定: 110V 包裝/箱: TO-270AB 供應商設備包裝: TO-270 WB-4	庫存2,100
MRF6VP11KGSR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 110V 130MHZ NI-1230S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 130MHz 增益: 26dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 150mA 功率-輸出: 1000W 電壓-額定: 110V 包裝/箱: NI-1230S-4 GW 供應商設備包裝: NI-1230S-4 GULL	庫存7,218
MRF6VP11KHR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 110V 130MHZ NI-1230 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 130MHz 增益: 26dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 150mA 功率-輸出: 1000W 電壓-額定: 110V 包裝/箱: NI-1230S-4 GW 供應商設備包裝: NI-1230S-4 GULL	庫存6,048
MRF6VP11KHR6 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 110V 130MHZ NI-1230 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 130MHz 增益: 26dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 150mA 功率-輸出: 1000W 電壓-額定: 110V 包裝/箱: NI-1230 供應商設備包裝: NI-1230	庫存4,392
MRF6VP121KHR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI1230H 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 1.03GHz 增益: 20dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 150mA 功率-輸出: 1000W 電壓-額定: 110V 包裝/箱: NI-1230 供應商設備包裝: NI-1230	庫存539
MRF6VP121KHR6 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 1.03GHz 增益: 20dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 150mA 功率-輸出: 1000W 電壓-額定: 110V 包裝/箱: NI-1230 供應商設備包裝: NI-1230	庫存8,982
MRF6VP121KHSR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI1230H 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 1.03GHz 增益: 20dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 150mA 功率-輸出: 1000W 電壓-額定: 110V 包裝/箱: NI-1230S 供應商設備包裝: NI-1230S	庫存6,516
MRF6VP121KHSR6 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 1.03GHz 增益: 20dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 150mA 功率-輸出: 1000W 電壓-額定: 110V 包裝/箱: NI-1230S 供應商設備包裝: NI-1230S	庫存8,082
MRF6VP21KHR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 110V 225MHZ NI-1230 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 225MHz 增益: 24dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 150mA 功率-輸出: 1000W 電壓-額定: 110V 包裝/箱: NI-1230 供應商設備包裝: NI-1230	庫存5,994
MRF6VP21KHR6 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 110V 225MHZ NI1230 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 225MHz 增益: 24dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 150mA 功率-輸出: 1000W 電壓-額定: 110V 包裝/箱: NI-1230 供應商設備包裝: NI-1230	庫存8,586
MRF6VP2600HR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 110V 225MHZ NI-1230 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 225MHz 增益: 25dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 2.6A 功率-輸出: 125W 電壓-額定: 110V 包裝/箱: NI-1230 供應商設備包裝: NI-1230	庫存6,480
MRF6VP2600HR6 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 110V 225MHZ NI1230 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 225MHz 增益: 25dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 2.6A 功率-輸出: 125W 電壓-額定: 110V 包裝/箱: NI-1230 供應商設備包裝: NI-1230	庫存8,370
MRF6VP3091NBR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 115V 860MHZ TO272-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 860MHz 增益: 22dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 350mA 功率-輸出: 18W 電壓-額定: 115V 包裝/箱: TO-272BB 供應商設備包裝: TO-272 WB-4	庫存3,726
MRF6VP3091NBR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 115V 860MHZ TO272-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 860MHz 增益: 22dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 350mA 功率-輸出: 18W 電壓-額定: 115V 包裝/箱: TO-272-4 供應商設備包裝: TO-272-4	庫存2,034
MRF6VP3091NR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 115V 860MHZ TO270-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 860MHz 增益: 22dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 350mA 功率-輸出: 18W 電壓-額定: 115V 包裝/箱: TO-270AB 供應商設備包裝: TO-270 WB-4	庫存7,182
MRF6VP3091NR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 115V 860MHZ TO272-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 860MHz 增益: 22dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 350mA 功率-輸出: 18W 電壓-額定: 115V 包裝/箱: TO-272-4 供應商設備包裝: TO-272-4	庫存4,554
MRF6VP3450HR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 110V 860MHZ NI-1230 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 860MHz 增益: 22.5dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.4A 功率-輸出: 90W 電壓-額定: 110V 包裝/箱: NI-1230 供應商設備包裝: NI-1230	庫存3,600
MRF6VP3450HR6 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 110V 860MHZ NI-1230 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 860MHz 增益: 22.5dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.4A 功率-輸出: 90W 電壓-額定: 110V 包裝/箱: NI-1230 供應商設備包裝: NI-1230	庫存7,758
MRF6VP3450HSR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 110V 860MHZ NI1230S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 860MHz 增益: 22.5dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.4A 功率-輸出: 90W 電壓-額定: 110V 包裝/箱: NI-1230S 供應商設備包裝: NI-1230S	庫存8,190
MRF6VP3450HSR6 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 110V 860MHZ NI1230S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 860MHz 增益: 22.5dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.4A 功率-輸出: 90W 電壓-額定: 110V 包裝/箱: NI-1230S 供應商設備包裝: NI-1230S	庫存3,204
MRF6VP41KHR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 110V 450MHZ NI1230 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 450MHz 增益: 20dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 150mA 功率-輸出: 1000W 電壓-額定: 110V 包裝/箱: NI-1230 供應商設備包裝: NI-1230	庫存5,076

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