晶體管

記錄 64,903

頁面 912/2164

型號	描述	庫存
MRF6VP41KHR6 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 110V 450MHZ NI1230 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 450MHz 增益: 20dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 150mA 功率-輸出: 1000W 電壓-額定: 110V 包裝/箱: NI-1230 供應商設備包裝: NI-1230	庫存2,232
MRF6VP41KHR7 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 110V 450MHZ NI-1230 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 450MHz 增益: 20dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 150mA 功率-輸出: 1000W 電壓-額定: 110V 包裝/箱: NI-1230 供應商設備包裝: NI-1230	庫存7,002
MRF6VP41KHSR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 110V 450MHZ NI1230S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 450MHz 增益: 20dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 150mA 功率-輸出: 1000W 電壓-額定: 110V 包裝/箱: NI-1230S 供應商設備包裝: NI-1230S	庫存415
MRF6VP41KHSR6 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 110V 450MHZ NI1230S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 450MHz 增益: 20dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 150mA 功率-輸出: 1000W 電壓-額定: 110V 包裝/箱: NI-1230S 供應商設備包裝: NI-1230S	庫存2,970
MRF6VP41KHSR7 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 110V 450MHZ NI1230S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 450MHz 增益: 20dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 150mA 功率-輸出: 1000W 電壓-額定: 110V 包裝/箱: NI-1230S 供應商設備包裝: NI-1230S	庫存7,812
MRF7P20040HR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780H-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 2.03GHz 增益: 18.2dB 電壓-測試: 32V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 150mA 功率-輸出: 10W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI780-4 供應商設備包裝: NI-780-4	庫存7,758
MRF7P20040HSR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780HS-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 2.03GHz 增益: 18.2dB 電壓-測試: 32V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 150mA 功率-輸出: 10W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780S-4 供應商設備包裝: NI-780S-4	庫存2,592
MRF7P20040HSR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780HS-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 2.03GHz 增益: 18.2dB 電壓-測試: 32V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 150mA 功率-輸出: 10W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780S-4 供應商設備包裝: NI-780S-4	庫存4,032
MRF7S15100HR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.51GHZ NI780 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.51GHz 增益: 19.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 600mA 功率-輸出: 23W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: SOT-957A 供應商設備包裝: NI-780H-2L	庫存8,748
MRF7S15100HR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.51GHZ NI780 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.51GHz 增益: 19.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 600mA 功率-輸出: 23W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: SOT-957A 供應商設備包裝: NI-780H-2L	庫存7,902
MRF7S15100HSR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.51GHZ NI780S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.51GHz 增益: 19.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 600mA 功率-輸出: 23W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存3,526
MRF7S16150HR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.66GHZ NI-780 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.6GHz ~ 1.66GHz 增益: 19.7dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.5A 功率-輸出: 32W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: SOT-957A 供應商設備包裝: NI-780H-2L	庫存2,178
MRF7S16150HR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.66GHZ NI-780 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.6GHz ~ 1.66GHz 增益: 19.7dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.5A 功率-輸出: 32W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: SOT-957A 供應商設備包裝: NI-780H-2L	庫存2,844
MRF7S16150HSR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.66GHZ NI-780S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.6GHz ~ 1.66GHz 增益: 19.7dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.5A 功率-輸出: 32W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存4,266
MRF7S16150HSR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.66GHZ NI-780S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.6GHz ~ 1.66GHz 增益: 19.7dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.5A 功率-輸出: 32W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存5,580
MRF7S18125AHR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.88GHZ NI780 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.88GHz 增益: 17dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.1A 功率-輸出: 125W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: SOT-957A 供應商設備包裝: NI-780H-2L	庫存2,124
MRF7S18125AHR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.88GHZ NI780 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.88GHz 增益: 17dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.1A 功率-輸出: 125W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: SOT-957A 供應商設備包裝: NI-780H-2L	庫存6,534
MRF7S18125AHSR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.88GHZ NI780S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.88GHz 增益: 17dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.1A 功率-輸出: 125W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存3,508
MRF7S18125AHSR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.88GHZ NI780S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.88GHz 增益: 17dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.1A 功率-輸出: 125W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存6,390
MRF7S18125BHR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.93GHZ NI780 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.93GHz 增益: 16.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.1A 功率-輸出: 125W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: SOT-957A 供應商設備包裝: NI-780H-2L	庫存7,722
MRF7S18125BHR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.93GHZ NI780 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.93GHz 增益: 16.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.1A 功率-輸出: 125W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: SOT-957A 供應商設備包裝: NI-780H-2L	庫存6,084
MRF7S18125BHSR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.93GHZ NI780 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.93GHz 增益: 16.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.1A 功率-輸出: 125W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存5,760
MRF7S18125BHSR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.93GHZ NI780 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.93GHz 增益: 16.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.1A 功率-輸出: 125W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存4,248
MRF7S18170HR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.81GHZ NI-880 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.81GHz 增益: 17.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.4A 功率-輸出: 50W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-880 供應商設備包裝: NI-880	庫存3,168
MRF7S18170HR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.81GHZ NI-880 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.81GHz 增益: 17.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.4A 功率-輸出: 50W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-880 供應商設備包裝: NI-880	庫存6,750
MRF7S18170HSR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.81GHZ NI-880S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.81GHz 增益: 17.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.4A 功率-輸出: 50W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-880S 供應商設備包裝: NI-880S	庫存5,670
MRF7S18170HSR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.81GHZ NI-880S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.81GHz 增益: 17.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.4A 功率-輸出: 50W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-880S 供應商設備包裝: NI-880S	庫存3,654
MRF7S19080HR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-780 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.99GHz 增益: 18dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 750mA 功率-輸出: 24W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: SOT-957A 供應商設備包裝: NI-780H-2L	庫存4,716
MRF7S19080HR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-780 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.99GHz 增益: 18dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 750mA 功率-輸出: 24W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: SOT-957A 供應商設備包裝: NI-780H-2L	庫存4,644
MRF7S19080HSR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.99GHz 增益: 18dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 750mA 功率-輸出: 24W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存2,196

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