晶體管

型號	描述	庫存
IPI80N06S3L-08 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 80A TO-262 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.9mOhm @ 43A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 55µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 134nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6475pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 105W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存4,572
IPI80N06S405AKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 60µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 81nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 107W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存4,050
IPI80N06S405AKSA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL_55/60V 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存3,762
IPI80N06S407AKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.4mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 40µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 79W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存3,366
IPI80N06S407AKSA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.4mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 40µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 79W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3-1 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存8,190
IPI80N06S4L05AKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.1mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 60µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8180pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 107W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存5,850
IPI80N06S4L05AKSA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5mOhm @ 40A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 60µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8180pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 107W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3-1 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存2,484
IPI80N06S4L07AKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 40µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 75nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5680pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 79W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存6,714
IPI80N06S4L07AKSA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 40µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5680pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 79W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3-1 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存8,190
IPI80N07S405AKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存5,886
IPI80N08S207AKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 80A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.4mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4700pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3-1 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存8,424
IPI80N08S406AKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.8mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3-1 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存5,904
IPI80P03P405AKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 253µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10300pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 137W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3-1 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存6,588
IPI80P03P4L04AKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 253µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 160nC @ 10V Vgs（最大）: +5V, -16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11300pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 137W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存3,582
IPI80P03P4L07AKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 130µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V Vgs（最大）: +5V, -16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5700pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 88W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存5,652
IPI80P04P405AKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 151nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10300pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3-1 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存8,892
IPI80P04P407AKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.7mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 89nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6085pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 88W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3-1 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存5,382
IPI80P04P4L04AKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 176nC @ 10V Vgs（最大）: +5V, -16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3-1 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存6,786
IPI80P04P4L06AKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 104nC @ 10V Vgs（最大）: +5V, -16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6580pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 88W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3-1 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存6,444
IPI80P04P4L08AKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.2mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 120µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 92nC @ 10V Vgs（最大）: +5V, -16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5430pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 75W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3-1 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存7,416
IPI90N04S402AKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 90A TO262-3-1 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 95µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 118nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9430pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存8,892
IPI90N06S404AKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 128nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存7,344
IPI90N06S404AKSA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL_55/60V 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存2,448
IPI90N06S4L04AKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存2,808
IPI90N06S4L04AKSA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3-1 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存6,714
IPI90R1K0C3XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-262 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 370µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 850pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 89W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存6,678
IPI90R1K2C3XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-262 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 310µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 710pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存5,958
IPI90R1K2C3XKSA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V TO-262 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存5,364
IPI90R340C3XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 15A TO-262 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 94nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2400pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 208W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存3,564
IPI90R340C3XKSA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V TO-262 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存8,658

IPI80N06S3L-08

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 80A TO-262

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.9mOhm @ 43A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 55µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 134nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6475pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 105W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存4,572

IPI80N06S405AKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 60µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 81nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 107W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存4,050

IPI80N06S405AKSA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL_55/60V

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存3,762

IPI80N06S407AKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 40µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 79W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存3,366

IPI80N06S407AKSA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 40µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 79W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3-1
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存8,190

IPI80N06S4L05AKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.1mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 60µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8180pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 107W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存5,850

IPI80N06S4L05AKSA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5mOhm @ 40A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 60µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8180pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 107W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3-1
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存2,484

IPI80N06S4L07AKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 40µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 75nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5680pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 79W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存6,714

IPI80N06S4L07AKSA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 40µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5680pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 79W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3-1
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存8,190

IPI80N07S405AKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存5,886

IPI80N08S207AKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 80A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4700pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3-1
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存8,424

IPI80N08S406AKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3-1
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存5,904

IPI80P03P405AKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 253µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10300pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 137W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3-1
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存6,588

IPI80P03P4L04AKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 253µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 160nC @ 10V
Vgs（最大）: +5V, -16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11300pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 137W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存3,582

IPI80P03P4L07AKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 130µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs（最大）: +5V, -16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5700pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 88W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存5,652

IPI80P04P405AKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 151nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10300pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3-1
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存8,892

IPI80P04P407AKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 89nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6085pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 88W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3-1
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存5,382

IPI80P04P4L04AKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 176nC @ 10V
Vgs（最大）: +5V, -16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3-1
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存6,786

IPI80P04P4L06AKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 104nC @ 10V
Vgs（最大）: +5V, -16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6580pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 88W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3-1
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存6,444

IPI80P04P4L08AKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 120µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 92nC @ 10V
Vgs（最大）: +5V, -16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5430pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 75W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3-1
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存7,416

IPI90N04S402AKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 90A TO262-3-1

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 95µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 118nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9430pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存8,892

IPI90N06S404AKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 128nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存7,344

IPI90N06S404AKSA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL_55/60V

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存2,448

IPI90N06S4L04AKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存2,808

IPI90N06S4L04AKSA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3-1
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存6,714

IPI90R1K0C3XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-262

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 370µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 850pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 89W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存6,678

IPI90R1K2C3XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-262

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 310µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 710pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存5,958

IPI90R1K2C3XKSA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V TO-262

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存5,364

IPI90R340C3XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 15A TO-262

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 94nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2400pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 208W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存3,564

IPI90R340C3XKSA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V TO-262

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存8,658

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