晶體管

型號	描述	庫存
IPN50R650CEATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 500V 9A SOT223 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 342pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 5W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223 包裝/箱: SOT-223-3	庫存25,278
IPN50R800CEATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 CONSUMER 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 130µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 5W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223 包裝/箱: TO-261-3	庫存23,520
IPN50R950CEATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 CONSUMER 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 231pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 5W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223 包裝/箱: TO-261-3	庫存5,742
IPN60R1K0CEATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 CONSUMER 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 130µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 5W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223 包裝/箱: SOT-223-3	庫存5,940
IPN60R1K5CEATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 CONSUMER 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 5W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223 包裝/箱: SOT-223-3	庫存5,778
IPN60R2K1CEATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET NCH 600V 3.7A SOT223 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1Ohm @ 800mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 60µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 140pF @ 100V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: 5W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223 包裝/箱: SOT-223-3	庫存8,478
IPN60R360P7SATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 140µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 555pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 7W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223 包裝/箱: TO-261-3	庫存8,370
IPN60R3K4CEATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET NCH 600V 2.6A SOT223 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 40µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 93pF @ 100V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: 5W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223 包裝/箱: SOT-223-3	庫存22,122
IPN60R600P7SATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 80µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 363pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 7W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223 包裝/箱: TO-261-3	庫存3,312
IPN65R1K5CEATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 CONSUMER 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 225pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 5W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223 包裝/箱: TO-261-3	庫存7,794
IPN70R1K0CEATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 750V 7.4A SOT223 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 750V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.9nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 328pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 5W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223 包裝/箱: TO-261-3	庫存7,668
IPN70R1K2P7SATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 COOLMOS P7 700V SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 900mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 40µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 174pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 6.3W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223 包裝/箱: TO-261-3	庫存25,728
IPN70R1K4P7SATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 40µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 158pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 6.2W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223 包裝/箱: TO-261-3	庫存42,864
IPN70R1K5CEATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET NCH 700V 5.4A SOT223 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 225pF @ 100V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: 5W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223 包裝/箱: SOT-223-3	庫存4,932
IPN70R2K0P7SATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 COOLMOS P7 700V SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 30µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 130pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 6W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223 包裝/箱: TO-261-3	庫存2,502
IPN70R2K1CEATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 750V 4A SOT223 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 750V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 70µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 163pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 5W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223 包裝/箱: SOT-223-3	庫存8,838
IPN70R360P7SATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 517pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 7.2W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223 包裝/箱: TO-261-3	庫存6,804
IPN70R450P7SATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 COOLMOS P7 700V SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 120µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.1nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 424pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 7.1W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223 包裝/箱: TO-261-3	庫存5,526
IPN70R600P7SATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 364pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 6.9W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223 包裝/箱: TO-261-3	庫存8,460
IPN70R750P7SATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 COOLMOS P7 700V SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 70µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 306pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 6.7W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223 包裝/箱: TO-261-3	庫存25,320
IPN70R900P7SATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 700V 6A SOT223 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 60µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 211pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 6.5W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223 包裝/箱: TO-261-3	庫存4,518
IPN80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 COOLMOS P7 800V SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 80µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 500V FET功能: - 功耗（最大值）: 6.8W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223 包裝/箱: TO-261-3	庫存3,420
IPN80R1K4P7ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 800V 4A SOT223 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 70µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 250pF @ 500V FET功能: - 功耗（最大值）: 7W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223 包裝/箱: TO-261-3	庫存3,474
IPN80R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 800V 3A SOT223 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 175pF @ 500V FET功能: - 功耗（最大值）: 6W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223 包裝/箱: TO-261-3	庫存23,232
IPN80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 COOLMOS P7 800V SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 40µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 500V FET功能: - 功耗（最大值）: 6.3W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223 包裝/箱: TO-261-3	庫存24,840
IPN80R3K3P7ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 COOLMOS P7 800V SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 30µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 120pF @ 500V FET功能: - 功耗（最大值）: 6.1W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223 包裝/箱: TO-261-3	庫存4,608
IPN80R4K5P7ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 80pF @ 500V FET功能: - 功耗（最大值）: 6W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223 包裝/箱: TO-261-3	庫存3,654
IPN80R600P7ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 COOLMOS P7 800V SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 170µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 570pF @ 500V FET功能: - 功耗（最大值）: 7.4W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223 包裝/箱: TO-261-3	庫存5,310
IPN80R750P7ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 COOLMOS P7 800V SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 140µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 460pF @ 500V FET功能: - 功耗（最大值）: 7.2W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223 包裝/箱: TO-261-3	庫存27,690
IPN80R900P7ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 110µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 500V FET功能: - 功耗（最大值）: 7W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223 包裝/箱: TO-261-3	庫存48,516

IPN50R650CEATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 500V 9A SOT223

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 342pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223
包裝/箱: SOT-223-3

庫存25,278

IPN50R800CEATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

CONSUMER

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 130µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223
包裝/箱: TO-261-3

庫存23,520

IPN50R950CEATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

CONSUMER

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 231pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223
包裝/箱: TO-261-3

庫存5,742

IPN60R1K0CEATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

CONSUMER

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 130µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223
包裝/箱: SOT-223-3

庫存5,940

IPN60R1K5CEATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

CONSUMER

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223
包裝/箱: SOT-223-3

庫存5,778

IPN60R2K1CEATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET NCH 600V 3.7A SOT223

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1Ohm @ 800mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 60µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 140pF @ 100V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: 5W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223
包裝/箱: SOT-223-3

庫存8,478

IPN60R360P7SATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 140µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 555pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 7W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223
包裝/箱: TO-261-3

庫存8,370

IPN60R3K4CEATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET NCH 600V 2.6A SOT223

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 40µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 93pF @ 100V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: 5W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223
包裝/箱: SOT-223-3

庫存22,122

IPN60R600P7SATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 80µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 363pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 7W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223
包裝/箱: TO-261-3

庫存3,312

IPN65R1K5CEATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

CONSUMER

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 225pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223
包裝/箱: TO-261-3

庫存7,794

IPN70R1K0CEATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 750V 7.4A SOT223

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 750V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.9nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 328pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223
包裝/箱: TO-261-3

庫存7,668

IPN70R1K2P7SATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

COOLMOS P7 700V SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 900mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 40µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 174pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 6.3W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223
包裝/箱: TO-261-3

庫存25,728

IPN70R1K4P7SATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 40µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 158pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 6.2W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223
包裝/箱: TO-261-3

庫存42,864

IPN70R1K5CEATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET NCH 700V 5.4A SOT223

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 225pF @ 100V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: 5W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223
包裝/箱: SOT-223-3

庫存4,932

IPN70R2K0P7SATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

COOLMOS P7 700V SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 30µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 130pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 6W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223
包裝/箱: TO-261-3

庫存2,502

IPN70R2K1CEATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 750V 4A SOT223

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 750V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 70µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 163pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223
包裝/箱: SOT-223-3

庫存8,838

IPN70R360P7SATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 517pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 7.2W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223
包裝/箱: TO-261-3

庫存6,804

IPN70R450P7SATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

COOLMOS P7 700V SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 120µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.1nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 424pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 7.1W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223
包裝/箱: TO-261-3

庫存5,526

IPN70R600P7SATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 364pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 6.9W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223
包裝/箱: TO-261-3

庫存8,460

IPN70R750P7SATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

COOLMOS P7 700V SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 70µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 306pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 6.7W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223
包裝/箱: TO-261-3

庫存25,320

IPN70R900P7SATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 700V 6A SOT223

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 60µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 211pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 6.5W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223
包裝/箱: TO-261-3

庫存4,518

IPN80R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

COOLMOS P7 800V SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 80µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 500V
FET功能: -
功耗（最大值）: 6.8W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223
包裝/箱: TO-261-3

庫存3,420

IPN80R1K4P7ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 800V 4A SOT223

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 70µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 250pF @ 500V
FET功能: -
功耗（最大值）: 7W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223
包裝/箱: TO-261-3

庫存3,474

IPN80R2K0P7ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 800V 3A SOT223

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 175pF @ 500V
FET功能: -
功耗（最大值）: 6W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223
包裝/箱: TO-261-3

庫存23,232

IPN80R2K4P7ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

COOLMOS P7 800V SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 40µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 500V
FET功能: -
功耗（最大值）: 6.3W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223
包裝/箱: TO-261-3

庫存24,840

IPN80R3K3P7ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

COOLMOS P7 800V SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 30µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 120pF @ 500V
FET功能: -
功耗（最大值）: 6.1W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223
包裝/箱: TO-261-3

庫存4,608

IPN80R4K5P7ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 80pF @ 500V
FET功能: -
功耗（最大值）: 6W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223
包裝/箱: TO-261-3

庫存3,654

IPN80R600P7ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

COOLMOS P7 800V SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 170µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 570pF @ 500V
FET功能: -
功耗（最大值）: 7.4W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223
包裝/箱: TO-261-3

庫存5,310

IPN80R750P7ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

COOLMOS P7 800V SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 140µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 460pF @ 500V
FET功能: -
功耗（最大值）: 7.2W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223
包裝/箱: TO-261-3

庫存27,690

IPN80R900P7ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 110µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 500V
FET功能: -
功耗（最大值）: 7W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223
包裝/箱: TO-261-3

庫存48,516

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