晶體管

型號	描述	庫存
IPI26CNE8N G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 85V 35A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 85V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 35A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 39µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2070pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 71W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存5,868
IPI320N20N3GAKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2350pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 136W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存5,580
IPI35CN10N G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 27A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 27A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 29µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1570pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 58W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存7,146
IPI45N06S3-16 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 45A TO-262 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.7mOhm @ 23A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 30µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2980pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 65W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存5,850
IPI45N06S3L-13 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 45A TO-262 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.4mOhm @ 26A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 30µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 75nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 65W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存3,400
IPI45N06S409AKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 34µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3785pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 71W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存8,082
IPI45N06S409AKSA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 34µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3785pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 71W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3-1 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存3,312
IPI45N06S4L08AKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.2mOhm @ 45A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 35µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4780pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 71W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存3,492
IPI45N06S4L08AKSA3 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL_55/60V 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存6,912
IPI45P03P4L11AKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 45A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.1mOhm @ 45A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 85µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V Vgs（最大）: +5V, -16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3770pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 58W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存6,426
IPI47N10S33AKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 47A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 33mOhm @ 33A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 105nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 175W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存8,082
IPI47N10SL26AKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 47A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 33A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 2mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 135nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 175W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存8,550
IPI50CN10NGHKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1090pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 44W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存8,388
IPI50N10S3L16AKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 50A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.7mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 60µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4180pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 100W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存7,632
IPI50N12S3L15AKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL_100+ 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存7,218
IPI50R140CP Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 550V 23A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 550V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 930µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2540pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 192W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存4,032
IPI50R140CPXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 HIGH POWER_LEGACY 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存6,786
IPI50R199CPXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 17A TO262 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 660µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 139W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存2,520
IPI50R250CPXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 13A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 520µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1420pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 114W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存2,736
IPI50R299CPXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 12A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 440µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1190pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存8,208
IPI50R350CP Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 550V 10A TO-262 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 550V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 350mOhm @ 5.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 370µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1020pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 89W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存8,802
IPI50R350CPXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 LOW POWER_LEGACY 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存8,640
IPI50R399CPXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 9A TO-262 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 330µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 890pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存7,056
IPI50R399CPXKSA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 9A TO-262 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 330µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 890pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存8,514
IPI530N15N3GXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 21A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 8V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 35µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 887pF @ 75V FET功能: - 功耗（最大值）: 68W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存4,356
IPI600N25N3GAKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 25A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2350pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 136W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存7,812
IPI60R099CPAAKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 31A TO-262 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1.2mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2800pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 255W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存7,146
IPI60R099CPXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 31A TO-262 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1.2mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2800pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 255W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存4,122
IPI60R125CPXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 25A TO-262 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1.1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 208W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存11,328
IPI60R165CPAKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 21A TO-262 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 790µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2000pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 192W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存2,538

IPI26CNE8N G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 85V 35A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 85V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 35A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 39µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2070pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 71W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存5,868

IPI320N20N3GAKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2350pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 136W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存5,580

IPI35CN10N G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 27A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 27A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 29µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1570pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 58W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存7,146

IPI45N06S3-16

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 45A TO-262

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.7mOhm @ 23A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 30µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2980pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 65W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存5,850

IPI45N06S3L-13

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 45A TO-262

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.4mOhm @ 26A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 30µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 75nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 65W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存3,400

IPI45N06S409AKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 34µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3785pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 71W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存8,082

IPI45N06S409AKSA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 34µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3785pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 71W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3-1
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存3,312

IPI45N06S4L08AKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.2mOhm @ 45A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 35µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4780pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 71W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存3,492

IPI45N06S4L08AKSA3

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL_55/60V

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存6,912

IPI45P03P4L11AKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 45A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.1mOhm @ 45A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 85µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V
Vgs（最大）: +5V, -16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3770pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 58W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存6,426

IPI47N10S33AKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 47A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 33mOhm @ 33A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 105nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 175W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存8,082

IPI47N10SL26AKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 47A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 33A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 2mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 135nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 175W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存8,550

IPI50CN10NGHKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1090pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 44W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存8,388

IPI50N10S3L16AKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 50A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 60µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4180pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 100W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存7,632

IPI50N12S3L15AKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL_100+

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存7,218

IPI50R140CP

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 550V 23A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 550V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 930µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2540pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 192W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存4,032

IPI50R140CPXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

HIGH POWER_LEGACY

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存6,786

IPI50R199CPXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 17A TO262

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 660µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 139W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存2,520

IPI50R250CPXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 13A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 520µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1420pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 114W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存2,736

IPI50R299CPXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 12A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 440µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1190pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存8,208

IPI50R350CP

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 550V 10A TO-262

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 550V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 350mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 370µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1020pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 89W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存8,802

IPI50R350CPXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

LOW POWER_LEGACY

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存8,640

IPI50R399CPXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 9A TO-262

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 330µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 890pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存7,056

IPI50R399CPXKSA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 9A TO-262

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 330µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 890pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存8,514

IPI530N15N3GXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 21A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 8V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 35µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 887pF @ 75V
FET功能: -
功耗（最大值）: 68W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存4,356

IPI600N25N3GAKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 25A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2350pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 136W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存7,812

IPI60R099CPAAKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 31A TO-262

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1.2mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2800pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 255W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存7,146

IPI60R099CPXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 31A TO-262

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1.2mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2800pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 255W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存4,122

IPI60R125CPXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 25A TO-262

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1.1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 208W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存11,328

IPI60R165CPAKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 21A TO-262

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 790µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2000pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 192W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存2,538

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