晶體管

型號	描述	庫存
IPL60R385CPAUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 340µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 790pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 83W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-VSON-4 包裝/箱: 4-PowerTSFN	庫存5,922
IPL60R650P6SATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 8THINPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P6 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 557pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 56.8W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-ThinPak (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存44,700
IPL65R070C7AUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 4VSON 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ C7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 8.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 850µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3020pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 169W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-VSON-4 包裝/箱: 4-PowerTSFN	庫存3,472
IPL65R099C7AUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 4VSON 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ C7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 99mOhm @ 5.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 590µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2140pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 128W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-VSON-4 包裝/箱: 4-PowerTSFN	庫存2,286
IPL65R130C7AUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ C7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 440µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1670pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 102W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-VSON-4 包裝/箱: 4-PowerTSFN	庫存29,676
IPL65R165CFDAUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 4VSON 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 165mOhm @ 9.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 900µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 86nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2340pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 195W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-VSON-4 包裝/箱: 4-PowerTSFN	庫存6,696
IPL65R165CFDAUMA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 HIGH POWER_LEGACY 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CFD2 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 165mOhm @ 9.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 900µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 86nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2340pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 195W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-VSON-4 包裝/箱: 4-PowerTSFN	庫存4,716
IPL65R190E6AUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 4VSON 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ E6 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 700µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 73nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1620pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 151W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-VSON-4 包裝/箱: 4-PowerTSFN	庫存8,586
IPL65R195C7AUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 4VSON 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ C7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 195mOhm @ 2.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 290µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1150pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 75W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-VSON-4 包裝/箱: 4-PowerTSFN	庫存7,272
IPL65R1K0C6SATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 8TSON 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ C6 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 328pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 34.7W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Thin-PAK (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,798
IPL65R1K5C6SATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 8TSON 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ C6 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 225pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 26.6W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Thin-PAK (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存6,138
IPL65R210CFDAUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 4VSON 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 210mOhm @ 7.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 700µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1850pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 151W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-VSON-4 包裝/箱: 4-PowerTSFN	庫存2,304
IPL65R210CFDAUMA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 LOW POWER_LEGACY 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CFD2 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 210mOhm @ 7.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 700µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1850pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 151W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-VSON-4 包裝/箱: 4-PowerTSFN	庫存7,290
IPL65R230C7AUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ C7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 230mOhm @ 2.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 240µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 996pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 67W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-VSON-4 包裝/箱: 4-PowerTSFN	庫存7,092
IPL65R310E6AUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 4VSON 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ E6 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 400µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 950pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 104W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Thin-Pak (8x8) 包裝/箱: 4-PowerTSFN	庫存8,820
IPL65R340CFDAUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 4VSON 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 340mOhm @ 4.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 400µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 104.2W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Thin-Pak (8x8) 包裝/箱: 4-PowerTSFN	庫存2,214
IPL65R340CFDAUMA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 LOW POWER_LEGACY 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CFD2 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 340mOhm @ 4.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 400µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 104.2W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-VSON-4 包裝/箱: 4-PowerTSFN	庫存2,376
IPL65R420E6AUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 4VSON 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ E6 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 300µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 710pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 83W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Thin-Pak (8x8) 包裝/箱: 4-PowerTSFN	庫存4,176
IPL65R460CFDAUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 4VSON 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 460mOhm @ 3.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 300µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 83.3W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Thin-Pak (8x8) 包裝/箱: 4-PowerTSFN	庫存3,672
IPL65R650C6SATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 8TSON 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ C6 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 650mOhm @ 2.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 210µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 440pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 56.8W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Thin-PAK (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存6,840
IPL65R660E6AUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 4VSON 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ E6 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 440pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 63W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Thin-Pak (8x8) 包裝/箱: 4-PowerTSFN	庫存5,202
IPL65R725CFDAUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 4VSON 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 725mOhm @ 2.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 615pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 62.5W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Thin-Pak (8x8) 包裝/箱: 4-PowerTSFN	庫存4,194
IPL70R2K1CESATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET COOLMOS 700V 8TSON 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存6,984
IPLU250N04S41R7XTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 8HSOF 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 80µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 100nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 188W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-HSOF-8-1 包裝/箱: 8-PowerSFN	庫存2,934
IPLU300N04S41R1XTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 8HSOF 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 125µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 151nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12090pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-HSOF-8-1 包裝/箱: 8-PowerSFN	庫存19,656
IPLU300N04S4R7XTMA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 8HSOF 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.76mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 230µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 287nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 22945pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 429W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-HSOF-8-1 包裝/箱: 8-PowerSFN	庫存5,940
IPLU300N04S4R8XTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.77mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 230µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 287nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 22945pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 429W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-HSOF-8-1 包裝/箱: 8-PowerSFN	庫存88,614
IPN50R1K4CEATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 CONSUMER 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 70µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 178pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 5W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223 包裝/箱: SOT-223-3	庫存5,652
IPN50R2K0CEATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 CONSUMER 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 124pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 5W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223 包裝/箱: SOT-223-3	庫存5,382
IPN50R3K0CEATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 CONSUMER 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 30µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 84pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 5W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223 包裝/箱: SOT-223-3	庫存8,028

IPL60R385CPAUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 340µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 790pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 83W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-VSON-4
包裝/箱: 4-PowerTSFN

庫存5,922

IPL60R650P6SATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 8THINPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P6
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 557pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 56.8W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-ThinPak (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存44,700

IPL65R070C7AUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 4VSON

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ C7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 850µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3020pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 169W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-VSON-4
包裝/箱: 4-PowerTSFN

庫存3,472

IPL65R099C7AUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 4VSON

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ C7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 99mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 590µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2140pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 128W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-VSON-4
包裝/箱: 4-PowerTSFN

庫存2,286

IPL65R130C7AUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ C7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 440µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1670pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 102W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-VSON-4
包裝/箱: 4-PowerTSFN

庫存29,676

IPL65R165CFDAUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 4VSON

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 165mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 900µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 86nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2340pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 195W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-VSON-4
包裝/箱: 4-PowerTSFN

庫存6,696

IPL65R165CFDAUMA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

HIGH POWER_LEGACY

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CFD2
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 165mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 900µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 86nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2340pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 195W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-VSON-4
包裝/箱: 4-PowerTSFN

庫存4,716

IPL65R190E6AUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 4VSON

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ E6
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 700µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 73nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1620pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 151W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-VSON-4
包裝/箱: 4-PowerTSFN

庫存8,586

IPL65R195C7AUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 4VSON

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ C7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 195mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 290µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1150pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 75W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-VSON-4
包裝/箱: 4-PowerTSFN

庫存7,272

IPL65R1K0C6SATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 8TSON

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ C6
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 328pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 34.7W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Thin-PAK (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,798

IPL65R1K5C6SATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 8TSON

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ C6
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 225pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 26.6W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Thin-PAK (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存6,138

IPL65R210CFDAUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 4VSON

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 210mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 700µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1850pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 151W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-VSON-4
包裝/箱: 4-PowerTSFN

庫存2,304

IPL65R210CFDAUMA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

LOW POWER_LEGACY

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CFD2
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 210mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 700µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1850pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 151W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-VSON-4
包裝/箱: 4-PowerTSFN

庫存7,290

IPL65R230C7AUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ C7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 230mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 240µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 996pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 67W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-VSON-4
包裝/箱: 4-PowerTSFN

庫存7,092

IPL65R310E6AUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 4VSON

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ E6
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 400µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 950pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 104W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Thin-Pak (8x8)
包裝/箱: 4-PowerTSFN

庫存8,820

IPL65R340CFDAUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 4VSON

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 340mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 400µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 104.2W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Thin-Pak (8x8)
包裝/箱: 4-PowerTSFN

庫存2,214

IPL65R340CFDAUMA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

LOW POWER_LEGACY

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CFD2
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 340mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 400µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 104.2W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-VSON-4
包裝/箱: 4-PowerTSFN

庫存2,376

IPL65R420E6AUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 4VSON

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ E6
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 300µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 710pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 83W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Thin-Pak (8x8)
包裝/箱: 4-PowerTSFN

庫存4,176

IPL65R460CFDAUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 4VSON

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 460mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 300µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 83.3W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Thin-Pak (8x8)
包裝/箱: 4-PowerTSFN

庫存3,672

IPL65R650C6SATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 8TSON

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ C6
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 650mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 210µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 440pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 56.8W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Thin-PAK (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存6,840

IPL65R660E6AUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 4VSON

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ E6
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 440pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 63W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Thin-Pak (8x8)
包裝/箱: 4-PowerTSFN

庫存5,202

IPL65R725CFDAUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 4VSON

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 725mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 615pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 62.5W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Thin-Pak (8x8)
包裝/箱: 4-PowerTSFN

庫存4,194

IPL70R2K1CESATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET COOLMOS 700V 8TSON

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存6,984

IPLU250N04S41R7XTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 8HSOF

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 80µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 100nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 188W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-HSOF-8-1
包裝/箱: 8-PowerSFN

庫存2,934

IPLU300N04S41R1XTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 8HSOF

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 125µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 151nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12090pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-HSOF-8-1
包裝/箱: 8-PowerSFN

庫存19,656

IPLU300N04S4R7XTMA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 8HSOF

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.76mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 230µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 287nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 22945pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 429W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-HSOF-8-1
包裝/箱: 8-PowerSFN

庫存5,940

IPLU300N04S4R8XTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.77mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 230µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 287nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 22945pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 429W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-HSOF-8-1
包裝/箱: 8-PowerSFN

庫存88,614

IPN50R1K4CEATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

CONSUMER

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 70µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 178pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223
包裝/箱: SOT-223-3

庫存5,652

IPN50R2K0CEATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

CONSUMER

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 124pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223
包裝/箱: SOT-223-3

庫存5,382

IPN50R3K0CEATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

CONSUMER

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 30µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 84pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223
包裝/箱: SOT-223-3

庫存8,028

Send Message

Certifications

資源

支持

Social Media

Need Help?
Send Message