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IS43R83200F-5TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (32M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP II

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IS43R83200F-6TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (32M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP II

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IS43R83200F-6TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (32M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP II

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IS43R83200F-6TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (32M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP II

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IS43R83200F-6TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (32M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP II

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IS43R86400D-5BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 512Mb (64M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x13)

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IS43R86400D-5BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 512Mb (64M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x13)

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IS43R86400D-5BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 512Mb (64M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x13)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 512Mb (64M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x13)

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IS43R86400D-5TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 512Mb (64M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP II

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IS43R86400D-5TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 512Mb (64M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP II

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IS43R86400D-5TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 512Mb (64M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP II

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IS43R86400D-5TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 512Mb (64M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP II

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IS43R86400D-6BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 512Mb (64M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x13)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 512Mb (64M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x13)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 512Mb (64M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x13)

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IS43R86400D-6BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 512Mb (64M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x13)

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IS43R86400D-6TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 512Mb (64M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP II

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IS43R86400D-6TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 512Mb (64M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP II

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IS43R86400D-6TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 512Mb (64M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP II

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IS43R86400D-6TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 512Mb (64M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP II

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IS43R86400E-5BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 512Mb (64M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TFBGA (13x8)

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IS43R86400E-5BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 512Mb (64M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TFBGA (13x8)

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IS43R86400E-5BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 512Mb (64M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TFBGA (13x8)

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IS43R86400E-5BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 512Mb (64M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TFBGA (13x8)

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IS43R86400E-5TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 512Mb (64M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP II

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IS43R86400E-5TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 512Mb (64M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP II

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IS43R86400E-6BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 512Mb (64M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TFBGA (13x8)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 512Mb (64M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TFBGA (13x8)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 512Mb (64M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TFBGA (13x8)

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