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IS43R86400E-5BLI

IS43R86400E-5BLI

僅供參考

型號 IS43R86400E-5BLI
PNEDA編號 IS43R86400E-5BLI
描述 IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 4,986
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 3 - 六月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS43R86400E-5BLI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS43R86400E-5BLI
類別半導體內存IC內存
數據表
IS43R86400E-5BLI, IS43R86400E-5BLI數據表 (總頁數: 34, 大小: 770.19 KB)
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IS43R86400E-5BLI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR
內存大小512Mb (64M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間700ps
電壓-供電2.3V ~ 2.7V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-TFBGA
供應商設備包裝60-TFBGA (13x8)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

667MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.425V ~ 1.575V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

550MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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內存類型

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內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

48-SSOP

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Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

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內存類型

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

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1.65V ~ 2.25V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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