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IS43R32400E-4B-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 144LFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 128Mb (4M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 250MHz
• 寫周期-字，頁: 16ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-LFBGA
• 供應商設備包裝: 144-LFBGA (12x12)

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IS43R32400E-5BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 144LFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 128Mb (4M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-LFBGA
• 供應商設備包裝: 144-LFBGA (12x12)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 128M PARALLEL 144LFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 128Mb (4M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-LFBGA
• 供應商設備包裝: 144-LFBGA (12x12)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 144LFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 128Mb (4M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-LFBGA
• 供應商設備包裝: 144-LFBGA (12x12)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 144LFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 128Mb (4M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-LFBGA
• 供應商設備包裝: 144-LFBGA (12x12)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 256M PARALLEL 144MINIBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (8M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-LFBGA
• 供應商設備包裝: 144-MiniBGA (12x12)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 256M PARALLEL 144MINIBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (8M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-LFBGA
• 供應商設備包裝: 144-MiniBGA (12x12)

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內存

IC DRAM 256M PARALLEL 144MINIBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (8M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-LFBGA
• 供應商設備包裝: 144-MiniBGA (12x12)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 144MINIBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (8M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-LFBGA
• 供應商設備包裝: 144-MiniBGA (12x12)

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IS43R32800D-5B

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內存

IC DRAM 256M PARALLEL 144LFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (8M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-LFBGA
• 供應商設備包裝: 144-LFBGA (12x12)

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內存

IC DRAM 256M PARALLEL 144LFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (8M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-LFBGA
• 供應商設備包裝: 144-LFBGA (12x12)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 256M PARALLEL 144LFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (8M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-LFBGA
• 供應商設備包裝: 144-LFBGA (12x12)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 144LFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (8M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-LFBGA
• 供應商設備包裝: 144-LFBGA (12x12)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 256M PARALLEL 144LFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (8M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-LFBGA
• 供應商設備包裝: 144-LFBGA (12x12)

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IS43R32800D-5BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 144LFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (8M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-LFBGA
• 供應商設備包裝: 144-LFBGA (12x12)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 144LFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (8M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-LFBGA
• 供應商設備包裝: 144-LFBGA (12x12)

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IS43R32800D-5B-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 144LFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (8M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-LFBGA
• 供應商設備包裝: 144-LFBGA (12x12)

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IS43R32800D-6BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 144LFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (8M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-LFBGA
• 供應商設備包裝: 144-LFBGA (12x12)

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IS43R32800D-6BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 144LFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (8M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-LFBGA
• 供應商設備包裝: 144-LFBGA (12x12)

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IS43R83200B-5TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (32M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP II

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IS43R83200B-5TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (32M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP II

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IS43R83200B-6TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (32M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP II

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IS43R83200B-6TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (32M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP II

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (32M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP II

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IS43R83200D-5TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (32M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP II

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IS43R83200D-6TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (32M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP II

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內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (32M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP II

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IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (32M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP II

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (32M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP II

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IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (32M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP II

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