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型號	描述	庫存
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IS43TR16128C-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 2Gb (128M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 96-TFBGA 供應商設備包裝: 96-TWBGA (9x13)	庫存6,228

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3L
內存大小: 2Gb (128M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 667MHz
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安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 96-TFBGA
供應商設備包裝: 96-TWBGA (9x13)

庫存5,796

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3L
內存大小: 2Gb (128M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 667MHz
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安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 96-TFBGA
供應商設備包裝: 96-TWBGA (9x13)

庫存6,822

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 2Gb (128M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 933MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 195ps
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 96-TFBGA
供應商設備包裝: 96-TWBGA (9x13)

庫存5,004

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 2Gb (128M x 16)
內存接口: Parallel
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安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 96-TFBGA
供應商設備包裝: 96-TWBGA (9x13)

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 2Gb (128M x 16)
內存接口: Parallel
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安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 96-TFBGA
供應商設備包裝: 96-TWBGA (9x13)

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 2Gb (128M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 933MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 195ps
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 96-TFBGA
供應商設備包裝: 96-TWBGA (9x13)

庫存3,132

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 2Gb (128M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 800MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 96-TFBGA
供應商設備包裝: 96-TWBGA (9x13)

庫存12,191

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 2Gb (128M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 800MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
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安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 96-TFBGA
供應商設備包裝: 96-TWBGA (9x13)

庫存6,132

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 2Gb (128M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 800MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 96-TFBGA
供應商設備包裝: 96-TWBGA (9x13)

庫存3,456

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 2Gb (128M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 800MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 96-TFBGA
供應商設備包裝: 96-TWBGA (9x13)

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 2Gb (128M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 667MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 96-TFBGA
供應商設備包裝: 96-TWBGA (9x13)

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 2Gb (128M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 667MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 96-TFBGA
供應商設備包裝: 96-TWBGA (9x13)

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 2Gb (128M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 667MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 96-TFBGA
供應商設備包裝: 96-TWBGA (9x13)

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 2Gb (128M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 667MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 96-TFBGA
供應商設備包裝: 96-TWBGA (9x13)

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3L
內存大小: 2Gb (128M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 800MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 96-TFBGA
供應商設備包裝: 96-TWBGA (9x13)

庫存34,548

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3L
內存大小: 2Gb (128M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 800MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 96-TFBGA
供應商設備包裝: 96-TWBGA (9x13)

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3L
內存大小: 2Gb (128M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 800MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 96-TFBGA
供應商設備包裝: 96-TWBGA (9x13)

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3L
內存大小: 2Gb (128M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 800MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 96-TFBGA
供應商設備包裝: 96-TWBGA (9x13)

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3L
內存大小: 2Gb (128M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 667MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 96-TFBGA
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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3L
內存大小: 2Gb (128M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 667MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 96-TFBGA
供應商設備包裝: 96-TWBGA (9x13)

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3L
內存大小: 2Gb (128M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 667MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 96-TFBGA
供應商設備包裝: 96-TWBGA (9x13)

庫存4,158

IS43TR16128BL-15HBL-TR

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3L
內存大小: 2Gb (128M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 667MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 96-TFBGA
供應商設備包裝: 96-TWBGA (9x13)

庫存4,554

IS43TR16128C-107MBL

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 2Gb (128M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 933MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 195ps
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 96-TFBGA
供應商設備包裝: 96-TWBGA (9x13)

庫存4,320

IS43TR16128C-107MBLI

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 2Gb (128M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 933MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 195ps
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 96-TFBGA
供應商設備包裝: 96-TWBGA (9x13)

庫存4,086

IS43TR16128C-107MBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 2Gb (128M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 933MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 195ps
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 96-TFBGA
供應商設備包裝: 96-TWBGA (9x13)

庫存3,708

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 2Gb (128M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 933MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 195ps
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 96-TFBGA
供應商設備包裝: 96-TWBGA (9x13)

庫存6,084

IS43TR16128C-125KBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 2Gb (128M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 800MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 96-TFBGA
供應商設備包裝: 96-TWBGA (9x13)

庫存3,762

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 2Gb (128M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 800MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 96-TFBGA
供應商設備包裝: 96-TWBGA (9x13)

庫存53,709

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 2Gb (128M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 800MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 96-TFBGA
供應商設備包裝: 96-TWBGA (9x13)

庫存1,202

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制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 2Gb (128M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 800MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 96-TFBGA
供應商設備包裝: 96-TWBGA (9x13)

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