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描述
庫存
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IS42S81600E-7TL
IS42S81600E-7TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 128Mb (16M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存6,570
IS42S81600E-7TLI
IS42S81600E-7TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 128Mb (16M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存8,226
IS42S81600E-7TLI-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 128Mb (16M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存3,636
IS42S81600E-7TL-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 128Mb (16M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存8,424
IS42S81600F-6TL
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 128Mb (16M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存2,124
IS42S81600F-6TLI
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 128Mb (16M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
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  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存6,786
IS42S81600F-6TLI-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 128Mb (16M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存4,752
IS42S81600F-6TL-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 128Mb (16M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存4,266
IS42S81600F-7TL
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 128Mb (16M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存5,724
IS42S81600F-7TLI
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 128Mb (16M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存3,150
IS42S81600F-7TLI-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 128Mb (16M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存6,804
IS42S81600F-7TL-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 128Mb (16M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存8,406
IS42S83200B-6T
IS42S83200B-6T

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存2,826
IS42S83200B-6TL
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存5,238
IS42S83200B-6TLI
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存4,590
IS42S83200B-6TLI-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存5,490
IS42S83200B-6TL-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存2,808
IS42S83200B-6T-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存3,454
IS42S83200B-7T
IS42S83200B-7T

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存7,182
IS42S83200B-7TI
IS42S83200B-7TI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存5,580
IS42S83200B-7TI-TR
IS42S83200B-7TI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存3,690
IS42S83200B-7TL
IS42S83200B-7TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存8,118
IS42S83200B-7TLI
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存7,938
IS42S83200B-7TLI-TR
IS42S83200B-7TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存2,682
IS42S83200B-7TL-TR
IS42S83200B-7TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存8,478
IS42S83200B-7T-TR
IS42S83200B-7T-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存2,520
IS42S83200D-6TL
IS42S83200D-6TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存8,478
IS42S83200D-6TLI
IS42S83200D-6TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存3,490
IS42S83200D-6TLI-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存8,010
IS42S83200D-6TL-TR
IS42S83200D-6TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存2,484