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描述
庫存
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IS42S86400B-7TL
IS42S86400B-7TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 512Mb (64M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存5,994
IS42S86400B-7TLI
IS42S86400B-7TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 512Mb (64M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存3,150
IS42S86400B-7TLI-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 512Mb (64M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存8,244
IS42S86400B-7TL-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 512Mb (64M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存4,662
IS42S86400D-6TL
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 512Mb (64M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存8,010
IS42S86400D-6TLI
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 512Mb (64M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存4,662
IS42S86400D-6TLI-TR
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內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 512Mb (64M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存2,646
IS42S86400D-6TL-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 512Mb (64M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存7,542
IS42S86400D-7TL
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 512Mb (64M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存5,688
IS42S86400D-7TLI
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 512Mb (64M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存5,634
IS42S86400D-7TLI-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 512Mb (64M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存3,690
IS42S86400D-7TL-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 512Mb (64M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存2,178
IS42S86400F-6TL
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 512Mb (64M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存5,508
IS42S86400F-6TLI
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 512Mb (64M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存5,850
IS42S86400F-6TLI-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 512Mb (64M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存6,804
IS42S86400F-6TL-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 512Mb (64M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存8,550
IS42S86400F-7TL
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 512Mb (64M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存2,016
IS42S86400F-7TLI
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 512Mb (64M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存6,576
IS42S86400F-7TLI-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 512Mb (64M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存6,714
IS42S86400F-7TL-TR
IS42S86400F-7TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 512Mb (64M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存4,572
IS42SM16160D-7BL
IS42SM16160D-7BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)
庫存2,826
IS42SM16160D-7BLI
IS42SM16160D-7BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)
庫存7,146
IS42SM16160D-7BLI-TR
IS42SM16160D-7BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)
庫存3,798
IS42SM16160D-7BL-TR
IS42SM16160D-7BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)
庫存4,158
IS42SM16160D-7TL
IS42SM16160D-7TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)
庫存8,010
IS42SM16160E-6BLI
IS42SM16160E-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.5ns
  • 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)
庫存6,534
IS42SM16160E-6BLI-TR
IS42SM16160E-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.5ns
  • 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)
庫存4,266
IS42SM16160E-75BLI
IS42SM16160E-75BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 6ns
  • 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)
庫存5,742
IS42SM16160E-75BLI-TR
IS42SM16160E-75BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 6ns
  • 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)
庫存5,544
IS42SM16160K-6BLI
IS42SM16160K-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.5ns
  • 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)
庫存2,772