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IS42S81600E-7TL

IS42S81600E-7TL

僅供參考

型號 IS42S81600E-7TL
PNEDA編號 IS42S81600E-7TL
描述 IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 6,570
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS42S81600E-7TL資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS42S81600E-7TL
類別半導體內存IC內存
數據表
IS42S81600E-7TL, IS42S81600E-7TL數據表 (總頁數: 61, 大小: 899.62 KB)
PDFIS42S16800E-7TL-TR數據表 封面
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IS42S81600E-7TL規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM
內存大小128Mb (16M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率143MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間5.4ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝54-TSOP II

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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內存類型

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時鐘頻率

143MHz

寫周期-字,頁

2ns

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

54-TSOP II

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55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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