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庫存
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IS42S83200D-75ETLI
IS42S83200D-75ETLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.5ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存2,286
IS42S83200D-75ETLI-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.5ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存7,380
IS42S83200D-7TL
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存6,588
IS42S83200D-7TLI
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存8,352
IS42S83200D-7TLI-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存6,372
IS42S83200D-7TL-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存3,508
IS42S83200G-6TL
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存7,650
IS42S83200G-6TLI
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存2,340
IS42S83200G-6TLI-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存8,928
IS42S83200G-6TL-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存3,384
IS42S83200G-7BL
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內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)
庫存8,928
IS42S83200G-7BLI
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)
庫存5,220
IS42S83200G-7BLI-TR
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內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)
庫存5,706
IS42S83200G-7BL-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)
庫存7,290
IS42S83200G-7TL
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存10,106
IS42S83200G-7TLI
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存6,678
IS42S83200G-7TLI-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存2,556
IS42S83200G-7TL-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存7,326
IS42S83200J-6TL
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存6,246
IS42S83200J-6TLI
IS42S83200J-6TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存8,136
IS42S83200J-6TLI-TR
IS42S83200J-6TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存7,542
IS42S83200J-6TL-TR
IS42S83200J-6TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存3,454
IS42S83200J-7BL
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)
庫存3,906
IS42S83200J-7BLI
IS42S83200J-7BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)
庫存3,942
IS42S83200J-7BLI-TR
IS42S83200J-7BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)
庫存8,910
IS42S83200J-7BL-TR
IS42S83200J-7BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)
庫存6,570
IS42S83200J-7TL
IS42S83200J-7TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存7,542
IS42S83200J-7TLI
IS42S83200J-7TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存13,620
IS42S83200J-7TLI-TR
IS42S83200J-7TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存7,560
IS42S83200J-7TL-TR
IS42S83200J-7TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存3,454