晶體管

型號	描述	庫存
SSM5H12TU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIII FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 133mOhm @ 1A, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.9nC @ 4V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 123pF @ 15V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: UFV 包裝/箱: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead	庫存8,424
SSM5H16TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 SMALL SIGNAL MOSFET N-CH + SBD V 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存6,732
SSM5H90ATU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS60V 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存3,526
SSM5N15FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 100MA ESV 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: π-MOSVI FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7.8pF @ 3V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: ESV 包裝/箱: SOT-553	庫存5,328
SSM5N15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 0.1A USV 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: π-MOSVI FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7.8pF @ 3V FET功能: - 功耗（最大值）: 200mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: USV 包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	庫存5,886
SSM5N16FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 0.1A USV 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: π-MOSVI FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9.3pF @ 3V FET功能: - 功耗（最大值）: 200mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: USV 包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	庫存5,814
SSM6H19NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.2nC @ 4.2V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 130pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-UDFN (2x2) 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad	庫存4,194
SSM6J206FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 2A ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 1A, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 335pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: ES6 (1.6x1.6) 包裝/箱: SOT-563, SOT-666	庫存35,094
SSM6J207FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSII FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 251mOhm @ 650mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 137pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: ES6 (1.6x1.6) 包裝/箱: SOT-563, SOT-666	庫存2,484
SSM6J212FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 4A ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVI FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40.7mOhm @ 3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.1nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 970pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: ES6 包裝/箱: SOT-563, SOT-666	庫存5,274
SSM6J213FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P CH 20V 2.6A ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVI FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 103mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.7nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 290pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: ES6 包裝/箱: SOT-563, SOT-666	庫存7,254
SSM6J214FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 X34 SMALL LOW ON RESISTANCE PCH 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVI FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.9nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 560pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: ES6 包裝/箱: SOT-563, SOT-666	庫存79,590
SSM6J215FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P CH 20V 3.4A ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVI FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 59mOhm @ 3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.4nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 630pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: ES6 包裝/箱: SOT-563, SOT-666	庫存34,650
SSM6J216FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVI FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.7nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1040pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: ES6 包裝/箱: SOT-563, SOT-666	庫存34,770
SSM6J401TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS-30 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存2,484
SSM6J402TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS-30 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存3,834
SSM6J409TU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 9.5A UF6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSV FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22.1mOhm @ 3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: UF6 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads	庫存3,870
SSM6J412TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS=-2 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存2,412
SSM6J414TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P CH 20V 6A UF6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVI FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22.5mOhm @ 6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23.1nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1650pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: UF6 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads	庫存7,182
SSM6J422TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS-20 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存2,556
SSM6J424TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS-20 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存4,824
SSM6J501NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVI FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.3mOhm @ 4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29.9nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2600pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-UDFNB (2x2) 包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad	庫存27,744
SSM6J502NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVI FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23.1mOhm @ 4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24.8nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-UDFNB (2x2) 包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad	庫存25,284
SSM6J503NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVI FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32.4mOhm @ 3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 840pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-UDFNB (2x2) 包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad	庫存2,124
SSM6J505NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P CH 12V 12A UDFN6B 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVI FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 37.6nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2700pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.25W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-UDFNB (2x2) 包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad	庫存42,912
SSM6J507NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFN 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVI FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20.4nC @ 4.5V Vgs（最大）: +20V, -25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1150pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.25W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-UDFNB (2x2) 包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad	庫存7,128
SSM6J50TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 X34 PB-F UF6 S-MOS (LF) TRANSIST 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIV FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 64mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 800pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: UF6 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads	庫存22,326
SSM6J511NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 14A UDFN6B 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVII FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.1mOhm @ 4A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 4.5V Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3350pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-UDFNB (2x2) 包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad	庫存103,158
SSM6J512NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVII FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.2mOhm @ 4A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.25W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-UDFNB (2x2) 包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad	庫存3,150
SSM6J51TUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 4A UF6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIV FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 2.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 54mOhm @ 2A, 2.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1700pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: UF6 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads	庫存6,156

SSM5H12TU(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSIII
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 133mOhm @ 1A, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.9nC @ 4V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 123pF @ 15V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: UFV
包裝/箱: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead

庫存8,424

SSM5H16TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

SMALL SIGNAL MOSFET N-CH + SBD V

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存6,732

SSM5H90ATU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS60V

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存3,526

SSM5N15FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 100MA ESV

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: π-MOSVI
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7.8pF @ 3V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: ESV
包裝/箱: SOT-553

庫存5,328

SSM5N15FU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 0.1A USV

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: π-MOSVI
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7.8pF @ 3V
FET功能: -
功耗（最大值）: 200mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: USV
包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

庫存5,886

SSM5N16FUTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 0.1A USV

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: π-MOSVI
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9.3pF @ 3V
FET功能: -
功耗（最大值）: 200mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: USV
包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

庫存5,814

SSM6H19NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.2nC @ 4.2V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 130pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-UDFN (2x2)
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad

庫存4,194

SSM6J206FE(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 2A ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 1A, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 335pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: ES6 (1.6x1.6)
包裝/箱: SOT-563, SOT-666

庫存35,094

SSM6J207FE,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSII
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 251mOhm @ 650mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 137pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: ES6 (1.6x1.6)
包裝/箱: SOT-563, SOT-666

庫存2,484

SSM6J212FE,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 4A ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVI
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40.7mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.1nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 970pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: ES6
包裝/箱: SOT-563, SOT-666

庫存5,274

SSM6J213FE(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P CH 20V 2.6A ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVI
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 103mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 290pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: ES6
包裝/箱: SOT-563, SOT-666

庫存7,254

SSM6J214FE(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

X34 SMALL LOW ON RESISTANCE PCH

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVI
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.9nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 560pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: ES6
包裝/箱: SOT-563, SOT-666

庫存79,590

SSM6J215FE(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P CH 20V 3.4A ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVI
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 59mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.4nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 630pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: ES6
包裝/箱: SOT-563, SOT-666

庫存34,650

SSM6J216FE,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVI
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.7nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1040pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: ES6
包裝/箱: SOT-563, SOT-666

庫存34,770

SSM6J401TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS-30

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存2,484

SSM6J402TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS-30

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存3,834

SSM6J409TU(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 9.5A UF6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSV
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22.1mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: UF6
包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads

庫存3,870

SSM6J412TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS=-2

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存2,412

SSM6J414TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P CH 20V 6A UF6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVI
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22.5mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23.1nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1650pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: UF6
包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads

庫存7,182

SSM6J422TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS-20

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存2,556

SSM6J424TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS-20

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存4,824

SSM6J501NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVI
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.3mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29.9nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2600pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-UDFNB (2x2)
包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad

庫存27,744

SSM6J502NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVI
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23.1mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24.8nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-UDFNB (2x2)
包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad

庫存25,284

SSM6J503NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVI
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32.4mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 840pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-UDFNB (2x2)
包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad

庫存2,124

SSM6J505NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P CH 12V 12A UDFN6B

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVI
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 37.6nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2700pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-UDFNB (2x2)
包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad

庫存42,912

SSM6J507NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFN

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVI
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20.4nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +20V, -25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1150pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-UDFNB (2x2)
包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad

庫存7,128

SSM6J50TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

X34 PB-F UF6 S-MOS (LF) TRANSIST

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSIV
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 64mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 800pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: UF6
包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads

庫存22,326

SSM6J511NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 14A UDFN6B

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVII
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.1mOhm @ 4A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 4.5V
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3350pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-UDFNB (2x2)
包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad

庫存103,158

SSM6J512NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVII
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.2mOhm @ 4A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-UDFNB (2x2)
包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad

庫存3,150

SSM6J51TUTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 4A UF6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSIV
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 2.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 54mOhm @ 2A, 2.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1700pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: UF6
包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads

庫存6,156

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