晶體管

型號	描述	庫存
SSM3K361TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 3.5A UFM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVIII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.2nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 430pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: 175°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: UFM 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads	庫存29,460
SSM3K36FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 500MA SSM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIII FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.23nC @ 4V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 46pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SSM 包裝/箱: SC-75, SOT-416	庫存29,352
SSM3K36MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 500MA VESM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIII FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.23nC @ 4V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 46pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: VESM 包裝/箱: SOT-723	庫存674,142
SSM3K36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=20 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存46,494
SSM3K376R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 SMALL LOW RON NCH MOSFETS ID: 4A 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.2nC @ 4.5V Vgs（最大）: +12V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23F 包裝/箱: SOT-23-3 Flat Leads	庫存24,666
SSM3K37CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 0.2A CST3 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIII FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 100mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: CST3 包裝/箱: SC-101, SOT-883	庫存5,364
SSM3K37FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET NCH 20V 200MA SSM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIII FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 100mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SSM 包裝/箱: SC-75, SOT-416	庫存6,750
SSM3K37MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 0.25A VESM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIII FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: VESM 包裝/箱: SOT-723	庫存73,968
SSM3K44FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8.5pF @ 3V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SSM 包裝/箱: SC-75, SOT-416	庫存48,666
SSM3K44MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=30 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存65,454
SSM3K48FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS30V 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存8,334
SSM3K56ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 1.4A CST3 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 55pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: CST3 包裝/箱: SC-101, SOT-883	庫存214,116
SSM3K56CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET NCH 20V 800MA CST3 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 800mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 55pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: CST3 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存320,646
SSM3K56FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 0.8A SSM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 800mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 55pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SSM 包裝/箱: SC-75, SOT-416	庫存2,322
SSM3K56MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 0.8A VESM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 800mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 55pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: VESM 包裝/箱: SOT-723	庫存72,282
SSM3K59CTB,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 2A CST3B 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 215mOhm @ 1A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.1nC @ 4.2V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 130pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: CST3B 包裝/箱: 3-SMD, No Lead	庫存93,162
SSM3K62TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 X34 SMALL LOW ON RESISTANCE NCH 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 800mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 57mOhm @ 800mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 177pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: UFM 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads	庫存25,878
SSM3K7002BF,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 0.2A S-MINI 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIV FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 200mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SC-59 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存6,444
SSM3K7002BS,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 200MA SMD 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 200mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: S-Mini 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存5,940
SSM3K7002BSU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V .2A USM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: USM 包裝/箱: SC-70, SOT-323	庫存3,186
SSM3K7002CFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 0.17A SMD 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.35nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: USM 包裝/箱: SC-70, SOT-323	庫存5,184
SSM3K7002KF,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 0.4A 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 400mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.6nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 270mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: S-Mini 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存22,650
SSM3K7002KFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 LOAD SWITCH CURRENT REDUCTION 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 400mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.6nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: USM 包裝/箱: SC-70, SOT-323	庫存21,858
SSM3K72CFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 0.17A 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.35nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SSM 包裝/箱: SC-75, SOT-416	庫存4,500
SSM3K72CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 0.15A CST3C 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.35nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: CST3C 包裝/箱: SOT-1123	庫存73,422
SSM3K72KCT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 0.4A 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 400mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.6nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: CST3 包裝/箱: SC-101, SOT-883	庫存253,044
SSM3K72KFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 X34 SMALL LOW ON RESISTANCE NCH 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.6nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SSM 包裝/箱: SC-75, SOT-416	庫存141,504
SSM4K27CTTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V .5A CST4 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIII FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 205mOhm @ 250mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 174pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 400mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: CST4 (1.2x0.8) 包裝/箱: 4-SMD, No Lead	庫存5,652
SSM5G10TU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIII FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 213mOhm @ 1A, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.4nC @ 4V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 250pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: UFV 包裝/箱: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead	庫存7,038
SSM5H08TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 SMALL SIGNAL MOSFET N-CH+SBD VDS 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存5,652

SSM3K361TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 3.5A UFM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVIII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 430pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: 175°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: UFM
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads

庫存29,460

SSM3K36FS,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 500MA SSM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSIII
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.23nC @ 4V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 46pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SSM
包裝/箱: SC-75, SOT-416

庫存29,352

SSM3K36MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 500MA VESM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSIII
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.23nC @ 4V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 46pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: VESM
包裝/箱: SOT-723

庫存674,142

SSM3K36TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=20

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存46,494

SSM3K376R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

SMALL LOW RON NCH MOSFETS ID: 4A

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +12V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23F
包裝/箱: SOT-23-3 Flat Leads

庫存24,666

SSM3K37CT,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 0.2A CST3

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSIII
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 100mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: CST3
包裝/箱: SC-101, SOT-883

庫存5,364

SSM3K37FS,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET NCH 20V 200MA SSM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSIII
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 100mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SSM
包裝/箱: SC-75, SOT-416

庫存6,750

SSM3K37MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 0.25A VESM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSIII
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: VESM
包裝/箱: SOT-723

庫存73,968

SSM3K44FS,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8.5pF @ 3V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SSM
包裝/箱: SC-75, SOT-416

庫存48,666

SSM3K44MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=30

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存65,454

SSM3K48FU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS30V

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存8,334

SSM3K56ACT,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 1.4A CST3

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 55pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: CST3
包裝/箱: SC-101, SOT-883

庫存214,116

SSM3K56CT,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET NCH 20V 800MA CST3

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 800mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 55pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: CST3
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存320,646

SSM3K56FS,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 0.8A SSM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 800mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 55pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SSM
包裝/箱: SC-75, SOT-416

庫存2,322

SSM3K56MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 0.8A VESM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 800mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 55pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: VESM
包裝/箱: SOT-723

庫存72,282

SSM3K59CTB,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 2A CST3B

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 215mOhm @ 1A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.1nC @ 4.2V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 130pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: CST3B
包裝/箱: 3-SMD, No Lead

庫存93,162

SSM3K62TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

X34 SMALL LOW ON RESISTANCE NCH

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 800mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 57mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 177pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: UFM
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads

庫存25,878

SSM3K7002BF,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 0.2A S-MINI

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSIV
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 200mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SC-59
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存6,444

SSM3K7002BS,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 200MA SMD

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 200mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: S-Mini
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存5,940

SSM3K7002BSU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V .2A USM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: USM
包裝/箱: SC-70, SOT-323

庫存3,186

SSM3K7002CFU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 0.17A SMD

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.35nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: USM
包裝/箱: SC-70, SOT-323

庫存5,184

SSM3K7002KF,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 0.4A

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 400mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 270mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: S-Mini
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存22,650

SSM3K7002KFU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

LOAD SWITCH CURRENT REDUCTION

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 400mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: USM
包裝/箱: SC-70, SOT-323

庫存21,858

SSM3K72CFS,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 0.17A

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.35nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SSM
包裝/箱: SC-75, SOT-416

庫存4,500

SSM3K72CTC,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 0.15A CST3C

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.35nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: CST3C
包裝/箱: SOT-1123

庫存73,422

SSM3K72KCT,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 0.4A

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 400mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: CST3
包裝/箱: SC-101, SOT-883

庫存253,044

SSM3K72KFS,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

X34 SMALL LOW ON RESISTANCE NCH

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SSM
包裝/箱: SC-75, SOT-416

庫存141,504

SSM4K27CTTPL3

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V .5A CST4

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSIII
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 205mOhm @ 250mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 174pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 400mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: CST4 (1.2x0.8)
包裝/箱: 4-SMD, No Lead

庫存5,652

SSM5G10TU(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSIII
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 213mOhm @ 1A, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.4nC @ 4V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 250pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: UFV
包裝/箱: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead

庫存7,038

SSM5H08TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

SMALL SIGNAL MOSFET N-CH+SBD VDS

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存5,652

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