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SSM6J502NU,LF

SSM6J502NU,LF

僅供參考

型號 SSM6J502NU,LF
PNEDA編號 SSM6J502NU-LF
描述 MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 25,284
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSM6J502NU資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSM6J502NU,LF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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SSM6J502NU規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSVI
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs23.1mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs24.8nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1800pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)1W (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝6-UDFNB (2x2)
包裝/箱6-WDFN Exposed Pad

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

73mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 10V

Vgs(最大)

±8V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.1mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 1.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

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