晶體管

型號	描述	庫存
SSM3J56ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVI FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.6nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 100pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: CST3 包裝/箱: SC-101, SOT-883	庫存4,374
SSM3J56MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 0.8A VESM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVI FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 800mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 100pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: VESM 包裝/箱: SOT-723	庫存1,150,926
SSM3J64CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-1 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVII FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 370mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: CST3C 包裝/箱: SC-101, SOT-883	庫存80,796
SSM3J65CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVII FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 700mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 48pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: CST3C 包裝/箱: SC-101, SOT-883	庫存201,270
SSM3J66MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS-20 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存7,362
SSM3K01T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: π-MOSVI FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 1.6A, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 152pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.25W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSM 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存8,766
SSM3K09FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 X34 PB USM S-MOS (LF) TRANSISTOR 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: π-MOSVI FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 400mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3.3V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 700mOhm @ 200MA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20pF @ 5V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: USM 包裝/箱: SC-70, SOT-323	庫存27,102
SSM3K106TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: π-MOSVI FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 310mOhm @ 600mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 36pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: UFM 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads	庫存3,060
SSM3K116TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIII FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 245pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: UFM 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads	庫存22,986
SSM3K122TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS20V 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存4,986
SSM3K123TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIII FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 3A, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.6nC @ 4V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1010pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: UFM 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads	庫存2,646
SSM3K127TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS30V 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存2,052
SSM3K131TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS30V 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存8,586
SSM3K15ACTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 100MA CST3C 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIII FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13.5pF @ 3V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: CST3C 包裝/箱: SC-101, SOT-883	庫存2,070
SSM3K15ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIII FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13.5pF @ 3V FET功能: - 功耗（最大值）: 100mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: CST3 包裝/箱: SC-101, SOT-883	庫存7,722
SSM3K15ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIII FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13.5pF @ 3V FET功能: - 功耗（最大值）: 100mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: CST3 包裝/箱: SC-101, SOT-883	庫存6,840
SSM3K15AFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 0.1A SSM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIII FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13.5pF @ 3V FET功能: - 功耗（最大值）: 100mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SSM 包裝/箱: SC-75, SOT-416	庫存1,362,366
SSM3K15AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 0.1A SSM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIII FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13.5pF @ 3V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: USM 包裝/箱: SC-70, SOT-323	庫存134,478
SSM3K15AMFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 0.1A U-MOS III 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIII FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13.5pF @ 3V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: VESM 包裝/箱: SOT-723	庫存569,142
SSM3K15CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: π-MOSVI FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7.8pF @ 3V FET功能: - 功耗（最大值）: 100mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: CST3 包裝/箱: SC-101, SOT-883	庫存4,248
SSM3K15F,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 X34 : SMALL LOW ON RESISTANCE NC 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: π-MOSIV FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7.8pF @ 3V FET功能: - 功耗（最大值）: 200mW (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: S-Mini 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存29,868
SSM3K15FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH SGL 30V 0.1A SSM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: π-MOSVI FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7.8pF @ 3V FET功能: - 功耗（最大值）: 200mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SSM 包裝/箱: SC-75, SOT-416	庫存4,122
SSM3K16CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 X34 SMALL LOW ON RESISTANCE NCH 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: CST3C 包裝/箱: SC-101, SOT-883	庫存81,390
SSM3K16CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 X34 PB-F CST3 FET (LF) TRANSISTO 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: π-MOSIV FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9.3pF @ 3V FET功能: - 功耗（最大值）: 100mW (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: CST3 包裝/箱: SC-101, SOT-883	庫存2,322
SSM3K16CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 0.1A CST3 S-MOS 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: π-MOSVI FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9.3pF @ 3V FET功能: - 功耗（最大值）: 100mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: CST3 包裝/箱: SC-101, SOT-883	庫存7,722
SSM3K16FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 0.1A USM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: π-MOSVI FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9.3pF @ 3V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: USM 包裝/箱: SC-70, SOT-323	庫存8,046
SSM3K17FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 50V 0.1A USM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: π-MOSV FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±7V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 3V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: USM 包裝/箱: SC-70, SOT-323	庫存625,428
SSM3K17SU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 50V 100MA USM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 3V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: USM 包裝/箱: SC-70, SOT-323	庫存4,392
SSM3K17SU,LF(D Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 50V 100MA USM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存6,336
SSM3K2615R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 2A SOT23 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: π-MOSV FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3.3V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23F 包裝/箱: SOT-23-3 Flat Leads	庫存559,686

SSM3J56ACT,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVI
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 100pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: CST3
包裝/箱: SC-101, SOT-883

庫存4,374

SSM3J56MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 0.8A VESM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVI
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 800mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 100pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: VESM
包裝/箱: SOT-723

庫存1,150,926

SSM3J64CTC,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-1

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVII
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 370mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: CST3C
包裝/箱: SC-101, SOT-883

庫存80,796

SSM3J65CTC,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVII
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 700mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 48pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: CST3C
包裝/箱: SC-101, SOT-883

庫存201,270

SSM3J66MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS-20

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存7,362

SSM3K01T(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: π-MOSVI
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 1.6A, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 152pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSM
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存8,766

SSM3K09FU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

X34 PB USM S-MOS (LF) TRANSISTOR

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: π-MOSVI
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 400mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3.3V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 700mOhm @ 200MA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20pF @ 5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: USM
包裝/箱: SC-70, SOT-323

庫存27,102

SSM3K106TU(TE85L)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: π-MOSVI
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 310mOhm @ 600mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 36pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: UFM
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads

庫存3,060

SSM3K116TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSIII
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 245pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: UFM
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads

庫存22,986

SSM3K122TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS20V

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存4,986

SSM3K123TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSIII
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 3A, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.6nC @ 4V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1010pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: UFM
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads

庫存2,646

SSM3K127TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS30V

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存2,052

SSM3K131TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS30V

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存8,586

SSM3K15ACTC,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 100MA CST3C

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSIII
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13.5pF @ 3V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: CST3C
包裝/箱: SC-101, SOT-883

庫存2,070

SSM3K15ACT,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSIII
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13.5pF @ 3V
FET功能: -
功耗（最大值）: 100mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: CST3
包裝/箱: SC-101, SOT-883

庫存7,722

SSM3K15ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSIII
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13.5pF @ 3V
FET功能: -
功耗（最大值）: 100mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: CST3
包裝/箱: SC-101, SOT-883

庫存6,840

SSM3K15AFS,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 0.1A SSM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSIII
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13.5pF @ 3V
FET功能: -
功耗（最大值）: 100mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SSM
包裝/箱: SC-75, SOT-416

庫存1,362,366

SSM3K15AFU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 0.1A SSM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSIII
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13.5pF @ 3V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: USM
包裝/箱: SC-70, SOT-323

庫存134,478

SSM3K15AMFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 0.1A U-MOS III

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSIII
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13.5pF @ 3V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: VESM
包裝/箱: SOT-723

庫存569,142

SSM3K15CT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: π-MOSVI
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7.8pF @ 3V
FET功能: -
功耗（最大值）: 100mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: CST3
包裝/箱: SC-101, SOT-883

庫存4,248

SSM3K15F,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

X34 : SMALL LOW ON RESISTANCE NC

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: π-MOSIV
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7.8pF @ 3V
FET功能: -
功耗（最大值）: 200mW (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: S-Mini
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存29,868

SSM3K15FS,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH SGL 30V 0.1A SSM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: π-MOSVI
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7.8pF @ 3V
FET功能: -
功耗（最大值）: 200mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SSM
包裝/箱: SC-75, SOT-416

庫存4,122

SSM3K16CTC,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

X34 SMALL LOW ON RESISTANCE NCH

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: CST3C
包裝/箱: SC-101, SOT-883

庫存81,390

SSM3K16CT,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

X34 PB-F CST3 FET (LF) TRANSISTO

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: π-MOSIV
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9.3pF @ 3V
FET功能: -
功耗（最大值）: 100mW (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: CST3
包裝/箱: SC-101, SOT-883

庫存2,322

SSM3K16CT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 0.1A CST3 S-MOS

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: π-MOSVI
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9.3pF @ 3V
FET功能: -
功耗（最大值）: 100mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: CST3
包裝/箱: SC-101, SOT-883

庫存7,722

SSM3K16FU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 0.1A USM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: π-MOSVI
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9.3pF @ 3V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: USM
包裝/箱: SC-70, SOT-323

庫存8,046

SSM3K17FU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V 0.1A USM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: π-MOSV
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±7V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 3V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: USM
包裝/箱: SC-70, SOT-323

庫存625,428

SSM3K17SU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V 100MA USM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 3V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: USM
包裝/箱: SC-70, SOT-323

庫存4,392

SSM3K17SU,LF(D

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V 100MA USM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存6,336

SSM3K2615R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 2A SOT23

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: π-MOSV
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3.3V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23F
包裝/箱: SOT-23-3 Flat Leads

庫存559,686

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