晶體管

SSM6J53FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 2.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 136mOhm @ 1A, 2.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.6nC @ 4V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 568pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 500mW (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: ES6 (1.6x1.6)
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666

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SSM6J771G,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSP

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVI
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 8.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 31mOhm @ 3A, 8.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1mA, 3V
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.8nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1.2W (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: -
• 包裝/箱: 6-UFBGA, WLCSP

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SSM6J801R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 6A 6-TSOP-F

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVI
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32.5mOhm @ 3A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.8nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: +6V, -8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 840pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 6-TSOP-F
• 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads

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SSM6K202FE,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 4V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 500mW (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: ES6 (1.6x1.6)
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666

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SSM6K204FE,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V ES6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 126mOhm @ 1A, 4V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.4nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±10V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 195pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 500mW (Ta)
• 工作溫度: 150°C
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: ES6
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666

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SSM6K208FE,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS30V

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• FET類型: -
• 技術: -
• 漏極至源極電壓（Vdss）: -
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 供應商設備包裝: -
• 包裝/箱: -

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SSM6K211FE,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSIII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 47mOhm @ 2A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.8nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±10V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 510pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 500mW (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: ES6
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666

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SSM6K217FE,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVII-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 8V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 195mOhm @ 1A, 8V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.1nC @ 4.2V
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 130pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 500mW (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: ES6
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666

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SSM6K341NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 6A 6-UDFNB

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVIII-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.3nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 550pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
• 工作溫度: 150°C
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 6-UDFNB (2x2)
• 包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad

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SSM6K361NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-UDFNB

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVIII-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 430pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
• 工作溫度: 150°C
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 6-UDFNB (2x2)
• 包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad

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SSM6K403TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 4.2A

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSIII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.2A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 3A, 4V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.8nC @ 4V
• Vgs（最大）: ±10V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1050pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 500mW (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: UF6
• 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads

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SSM6K404TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS20V

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• FET類型: -
• 技術: -
• 漏極至源極電壓（Vdss）: -
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 供應商設備包裝: -
• 包裝/箱: -

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SSM6K405TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS20V

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• FET類型: -
• 技術: -
• 漏極至源極電壓（Vdss）: -
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 供應商設備包裝: -
• 包裝/箱: -

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SSM6K406TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

X34 SMALL SIGNAL NCH LOW RON MOS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• FET類型: -
• 技術: -
• 漏極至源極電壓（Vdss）: -
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 供應商設備包裝: -
• 包裝/箱: -

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SSM6K407TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS60V

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• FET類型: -
• 技術: -
• 漏極至源極電壓（Vdss）: -
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 供應商設備包裝: -
• 包裝/箱: -

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SSM6K411TU(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 10A

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 7A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.4nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 710pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1W (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: UF6
• 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads

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SSM6K504NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 9A UDFN6B

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19.5mOhm @ 4A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.8nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 620pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 6-UDFNB (2x2)
• 包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad

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SSM6K513NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET NCH 30V 15A UDFNB

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSIX-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.9mOhm @ 4A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1130pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 6-UDFNB (2x2)
• 包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad

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SSM6K514NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 12A 6-UDFNB

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSIX-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.6mOhm @ 4A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1110pF @ 20V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
• 工作溫度: 150°C
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 6-UDFNB (2x2)
• 包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad

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SSM6K781G,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVII-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 1.5A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 6V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1.6W (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 6-WCSPC (1.5x1.0)
• 包裝/箱: 6-UFBGA, WLCSP

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SSM6P16FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 0.1A ES6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: π-MOSVI
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: ±10V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11pF @ 3V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 150mW (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: ES6
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666

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SSN1N45BBU

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 450V 500MA TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 450V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.25Ohm @ 250mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.5nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±50V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 240pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 900mW (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-92-3
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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SSN1N45BTA

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 450V 500MA TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 450V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.25Ohm @ 250mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.5nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±50V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 240pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 900mW (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-92-3
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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SSP45N20B_FP001

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 35A TO-220

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 17.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 173nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4300pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 176W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220-3
• 包裝/箱: TO-220-3

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SSR1N60BTM

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 900mA (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 450mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.7nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 215pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 28W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: D-Pak
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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SSR1N60BTM_F080

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 900mA (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 450mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.7nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 215pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 28W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: D-Pak
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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SSR1N60BTM-WS

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 900mA (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 450mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.7nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 215pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 28W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: D-Pak
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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SSU1N50BTU

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 520V 1.3A IPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 520V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.3A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.3Ohm @ 650mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 26W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: I-PAK
• 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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SSU1N60BTU-WS

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 0.9A IPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 900mA (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 450mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.7nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 215pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 28W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: I-PAK
• 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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STB100N10F7

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: DeepGATE™, STripFET™ VII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 61nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4369pF @ 50V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 150W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: D2PAK
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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