晶體管

型號	描述	庫存
SSM3J321T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 5.2A TSM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSV FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.1nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 640pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSM 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存5,346
SSM3J325F,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVI FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.6nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 600mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: S-Mini 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存28,578
SSM3J327R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVI FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.6nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 290pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23F 包裝/箱: SOT-23-3 Flat Leads	庫存209,424
SSM3J328R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVI FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.8nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 840pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23F 包裝/箱: SOT-23-3 Flat Leads	庫存376,188
SSM3J331R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P CH 20V 4A SOT-23F 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVI FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.4nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 630pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23F 包裝/箱: SOT-23-3 Flat Leads	庫存29,940
SSM3J332R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P CH 30V 6A 2-3Z1A 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVI FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 560pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23F 包裝/箱: SOT-23-3 Flat Leads	庫存258,174
SSM3J334R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P CH 30V 4A SOT-23F 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVI FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.9nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23F 包裝/箱: SOT-23-3 Flat Leads	庫存88,086
SSM3J338R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVII FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17.6mOhm @ 6A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23F 包裝/箱: SOT-23-3 Flat Leads	庫存596,922
SSM3J340R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS=-3 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存54,216
SSM3J351R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 3.5A SOT-23F 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVI FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 134mOhm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.1nC @ 10V Vgs（最大）: +10V, -20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23F 包裝/箱: SOT-23-3 Flat Leads	庫存3,870
SSM3J352F,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 X34 SMALL LOW ON RESISTANCE PCH 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVI FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.1nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 210pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.2W (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: S-Mini 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存29,214
SSM3J353F,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANE 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVI FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.4nC @ 4.5V Vgs（最大）: +20V, -25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 159pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 600mW (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: S-Mini 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存5,274
SSM3J355R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVII FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30.1mOhm @ 4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.6nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1030pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23F 包裝/箱: SOT-23-3 Flat Leads	庫存92,052
SSM3J356R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVI FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.3nC @ 10V Vgs（最大）: +10V, -20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 330pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23F 包裝/箱: SOT-23-3 Flat Leads	庫存619,464
SSM3J358R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVII FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22.1mOhm @ 6A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38.5nC @ 8V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1331pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23F 包裝/箱: SOT-23-3 Flat Leads	庫存29,532
SSM3J35AFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 X34 SMALL LOW ON RESISTANCE PCH 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVII FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 42pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SSM 包裝/箱: SC-75, SOT-416	庫存4,194
SSM3J35AMFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 X34 SMALL LOW ON RESISTANCE PCH 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVII FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 42pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: VESM 包裝/箱: SOT-723	庫存3,258
SSM3J35CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 0.25A CST3C 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVII FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 42pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: CST3C 包裝/箱: SOT-1123	庫存105,312
SSM3J35CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: π-MOSVI FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12.2pF @ 3V FET功能: - 功耗（最大值）: 100mW (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: CST3 包裝/箱: SC-101, SOT-883	庫存3,438
SSM3J35MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12.2pF @ 3V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: VESM 包裝/箱: SOT-723	庫存6,822
SSM3J36FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 0.33A SSM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIII FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 330mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.2nC @ 4V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 43pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SSM 包裝/箱: SC-75, SOT-416	庫存8,586
SSM3J36MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIII FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 330mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.2nC @ 4V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 43pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: VESM 包裝/箱: SOT-723	庫存7,164
SSM3J36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS=-2 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存50,580
SSM3J371R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVI FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.4nC @ 4.5V Vgs（最大）: +6V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 630pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23F 包裝/箱: SOT-23-3 Flat Leads	庫存58,908
SSM3J372R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-3 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVI FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 4.5V Vgs（最大）: +12V, -6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 560pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23F 包裝/箱: SOT-23-3 Flat Leads	庫存3,798
SSM3J374R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-3 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVI FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.9nC @ 10V Vgs（最大）: +10V, -20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23F 包裝/箱: SOT-23-3 Flat Leads	庫存29,610
SSM3J375F,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVI FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.6nC @ 4.5V Vgs（最大）: +6V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 600mW (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: S-Mini 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存46,128
SSM3J377R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVI FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.6nC @ 4.5V Vgs（最大）: +6V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 290pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23F 包裝/箱: SOT-23-3 Flat Leads	庫存27,726
SSM3J378R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVI FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.8nC @ 4.5V Vgs（最大）: +6V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 840pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23F 包裝/箱: SOT-23-3 Flat Leads	庫存3,222
SSM3J46CTB(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 2A CST3B 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVI FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 103mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.7nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 290pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: CST3B 包裝/箱: 3-SMD, No Lead	庫存7,200

SSM3J321T(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 5.2A TSM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSV
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.1nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 640pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSM
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存5,346

SSM3J325F,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVI
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 600mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: S-Mini
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存28,578

SSM3J327R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVI
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 290pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23F
包裝/箱: SOT-23-3 Flat Leads

庫存209,424

SSM3J328R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVI
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.8nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 840pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23F
包裝/箱: SOT-23-3 Flat Leads

庫存376,188

SSM3J331R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P CH 20V 4A SOT-23F

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVI
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.4nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 630pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23F
包裝/箱: SOT-23-3 Flat Leads

庫存29,940

SSM3J332R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P CH 30V 6A 2-3Z1A

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVI
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 560pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23F
包裝/箱: SOT-23-3 Flat Leads

庫存258,174

SSM3J334R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P CH 30V 4A SOT-23F

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVI
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.9nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23F
包裝/箱: SOT-23-3 Flat Leads

庫存88,086

SSM3J338R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVII
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17.6mOhm @ 6A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23F
包裝/箱: SOT-23-3 Flat Leads

庫存596,922

SSM3J340R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS=-3

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存54,216

SSM3J351R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 3.5A SOT-23F

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVI
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 134mOhm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.1nC @ 10V
Vgs（最大）: +10V, -20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23F
包裝/箱: SOT-23-3 Flat Leads

庫存3,870

SSM3J352F,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

X34 SMALL LOW ON RESISTANCE PCH

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVI
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.1nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 210pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.2W (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: S-Mini
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存29,214

SSM3J353F,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANE

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVI
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.4nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +20V, -25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 159pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 600mW (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: S-Mini
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存5,274

SSM3J355R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVII
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30.1mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.6nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1030pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23F
包裝/箱: SOT-23-3 Flat Leads

庫存92,052

SSM3J356R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVI
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.3nC @ 10V
Vgs（最大）: +10V, -20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 330pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23F
包裝/箱: SOT-23-3 Flat Leads

庫存619,464

SSM3J358R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVII
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22.1mOhm @ 6A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38.5nC @ 8V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1331pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23F
包裝/箱: SOT-23-3 Flat Leads

庫存29,532

SSM3J35AFS,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

X34 SMALL LOW ON RESISTANCE PCH

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVII
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 42pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SSM
包裝/箱: SC-75, SOT-416

庫存4,194

SSM3J35AMFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

X34 SMALL LOW ON RESISTANCE PCH

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVII
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 42pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: VESM
包裝/箱: SOT-723

庫存3,258

SSM3J35CTC,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 0.25A CST3C

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVII
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 42pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: CST3C
包裝/箱: SOT-1123

庫存105,312

SSM3J35CT,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: π-MOSVI
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12.2pF @ 3V
FET功能: -
功耗（最大值）: 100mW (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: CST3
包裝/箱: SC-101, SOT-883

庫存3,438

SSM3J35MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12.2pF @ 3V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: VESM
包裝/箱: SOT-723

庫存6,822

SSM3J36FS,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 0.33A SSM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSIII
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 330mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.2nC @ 4V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 43pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SSM
包裝/箱: SC-75, SOT-416

庫存8,586

SSM3J36MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSIII
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 330mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.2nC @ 4V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 43pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: VESM
包裝/箱: SOT-723

庫存7,164

SSM3J36TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS=-2

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存50,580

SSM3J371R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVI
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.4nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +6V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 630pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23F
包裝/箱: SOT-23-3 Flat Leads

庫存58,908

SSM3J372R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-3

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVI
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +12V, -6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 560pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23F
包裝/箱: SOT-23-3 Flat Leads

庫存3,798

SSM3J374R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-3

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVI
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.9nC @ 10V
Vgs（最大）: +10V, -20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23F
包裝/箱: SOT-23-3 Flat Leads

庫存29,610

SSM3J375F,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVI
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +6V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 600mW (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: S-Mini
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存46,128

SSM3J377R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVI
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +6V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 290pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23F
包裝/箱: SOT-23-3 Flat Leads

庫存27,726

SSM3J378R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVI
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.8nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +6V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 840pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23F
包裝/箱: SOT-23-3 Flat Leads

庫存3,222

SSM3J46CTB(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 2A CST3B

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVI
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 103mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 290pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: CST3B
包裝/箱: 3-SMD, No Lead

庫存7,200

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