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SSM3J328R,LF

SSM3J328R,LF SSM3J328R,LF

僅供參考

型號 SSM3J328R,LF
PNEDA編號 SSM3J328R-LF
描述 MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 376,188
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 17 - 七月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSM3J328R資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSM3J328R,LF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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SSM3J328R規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSVI
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12.8nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds840pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)1W (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-23F
包裝/箱SOT-23-3 Flat Leads

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.27Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

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266nC @ 10V

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

195mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 290µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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