晶體管

型號	描述	庫存
SQM50N04-4M0L_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 40V 50A TO263 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6100pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (D²Pak) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,290
SQM50N04-4M1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 50A TO-263 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.1mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 105nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6715pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (D²Pak) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存15,252
SQM50P03-07_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO263 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 155nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5380pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (D²Pak) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存8,388
SQM50P04-09L_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CHANNEL 40V 50A TO263 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.4mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 145nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6045pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (D²Pak) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存6,696
SQM50P06-15L_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CHANNEL 60V 50A TO263 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 155nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6120pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (D²Pak) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存19,500
SQM50P08-25L_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CHANNEL 80V 50A TO263 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 12.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 137nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5350pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (D²Pak) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存17,556
SQM60030E_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 165nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 375W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存17,436
SQM60N06-15_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 56A TO263 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 56A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2480pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 107W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (D2Pak) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存3,402
SQM60N20-35_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 60A TO263 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 135nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5850pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 375W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (D²Pak) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存15,852
SQM70060EL_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 100nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 166W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,488
SQM85N15-19_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 85A TO263 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 85A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6285pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 375W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (D2Pak) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存17,028
SQM90142E_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 95A TO263 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 95A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.3mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 85nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 375W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (D²Pak) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存21,504
SQP100N04-3M6_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 135nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 120W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存10,428
SQP100P06-9M3L_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 100A TO220AB 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.3mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12010pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 187W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存9,012
SQP10250E_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V TO-220AB 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 53A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 75nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4050pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存6,468
SQP120N06-06_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 119A TO220AB 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 119A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 145nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6495pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 175W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存10,500
SQP120N06-3M5L_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 330nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14700pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存8,628
SQP120N06-6M7_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存13,656
SQP120N10-09_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.5mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8645pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 375W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存15,252
SQP120N10-3M8_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 190nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7230pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存8,004
SQP120P06-6M7L_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存15,984
SQP25N15-52_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 25A TO220AB 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 52mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2360pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 107W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存10,692
SQP50N06-09L_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3065pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 136W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存5,256
SQP50P03-07_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 50A TO220AB 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 155nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5380pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存9,684
SQP60N06-15_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 56A TO220AB 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 56A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2480pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 107W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存16,872
SQP90142E_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 78.5A TO220AB 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 78.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.3mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 85nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存13,770
SQP90P06-07L_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 120A TO220AB 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.7mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14280pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存6,426
SQR40020ER_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH AUTO 40V TO-252 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.33mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8000F @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 107W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-PAK (TO-252) 包裝/箱: TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)	庫存3,420
SQR40030ER_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSF 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252 (DPAK) 包裝/箱: TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)	庫存22,146
SQR40N10-25_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 40A TO263 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3380pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 136W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (D2Pak) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存22,656

SQM50N04-4M0L_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 40V 50A TO263

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6100pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (D²Pak)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,290

SQM50N04-4M1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 50A TO-263

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 105nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6715pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (D²Pak)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存15,252

SQM50P03-07_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO263

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 155nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5380pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (D²Pak)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存8,388

SQM50P04-09L_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHANNEL 40V 50A TO263

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 145nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6045pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (D²Pak)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存6,696

SQM50P06-15L_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHANNEL 60V 50A TO263

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 155nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6120pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (D²Pak)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存19,500

SQM50P08-25L_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHANNEL 80V 50A TO263

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 137nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5350pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (D²Pak)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存17,556

SQM60030E_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 165nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 375W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存17,436

SQM60N06-15_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 56A TO263

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 56A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2480pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 107W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (D2Pak)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存3,402

SQM60N20-35_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 60A TO263

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 135nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5850pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 375W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (D²Pak)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存15,852

SQM70060EL_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 100nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 166W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,488

SQM85N15-19_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 85A TO263

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 85A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6285pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 375W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (D2Pak)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存17,028

SQM90142E_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 95A TO263

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 95A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 85nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 375W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (D²Pak)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存21,504

SQP100N04-3M6_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 135nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 120W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存10,428

SQP100P06-9M3L_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 100A TO220AB

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12010pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 187W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存9,012

SQP10250E_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V TO-220AB

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 53A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 75nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4050pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存6,468

SQP120N06-06_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 119A TO220AB

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 119A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 145nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6495pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 175W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存10,500

SQP120N06-3M5L_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 330nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14700pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存8,628

SQP120N06-6M7_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存13,656

SQP120N10-09_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8645pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 375W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存15,252

SQP120N10-3M8_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 190nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7230pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存8,004

SQP120P06-6M7L_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存15,984

SQP25N15-52_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 25A TO220AB

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 52mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2360pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 107W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存10,692

SQP50N06-09L_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3065pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 136W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存5,256

SQP50P03-07_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 50A TO220AB

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 155nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5380pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存9,684

SQP60N06-15_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 56A TO220AB

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 56A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2480pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 107W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存16,872

SQP90142E_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 78.5A TO220AB

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 78.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 85nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存13,770

SQP90P06-07L_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 120A TO220AB

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14280pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存6,426

SQR40020ER_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH AUTO 40V TO-252

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.33mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8000F @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 107W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-PAK (TO-252)
包裝/箱: TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)

庫存3,420

SQR40030ER_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSF

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252 (DPAK)
包裝/箱: TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)

庫存22,146

SQR40N10-25_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 40A TO263

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3380pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 136W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (D2Pak)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存22,656

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