晶體管

記錄 64,903

頁面 921/2164

型號	描述	庫存
MRFE6S9205HR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 66V 880MHZ NI-880 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 880MHz 增益: 21.2dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.4A 功率-輸出: 58W 電壓-額定: 66V 包裝/箱: NI-880 供應商設備包裝: NI-880	庫存7,002
MRFE6S9205HR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 66V 880MHZ NI-880 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 880MHz 增益: 21.2dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.4A 功率-輸出: 58W 電壓-額定: 66V 包裝/箱: NI-880 供應商設備包裝: NI-880	庫存6,246
MRFE6S9205HSR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 66V 880MHZ NI-880S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 880MHz 增益: 21.2dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.4A 功率-輸出: 58W 電壓-額定: 66V 包裝/箱: NI-880S 供應商設備包裝: NI-880S	庫存6,102
MRFE6S9205HSR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 66V 880MHZ NI-880S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 880MHz 增益: 21.2dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.4A 功率-輸出: 58W 電壓-額定: 66V 包裝/箱: NI-880S 供應商設備包裝: NI-880S	庫存4,050
MRFE6VP100HR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 133V 512MHZ NI780 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 512MHz 增益: 26dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 100mA 功率-輸出: 100W 電壓-額定: 133V 包裝/箱: NI780-4 供應商設備包裝: NI-780-4	庫存3,454
MRFE6VP100HSR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 133V 512MHZ NI780 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 512MHz 增益: 26dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 100mA 功率-輸出: 100W 電壓-額定: 133V 包裝/箱: NI-780S-4 供應商設備包裝: NI-780S-4	庫存7,542
MRFE6VP5150GNR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 133V 230MHZ TO-270 GW 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 230MHz 增益: 26.1dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 100mA 功率-輸出: 150W 電壓-額定: 133V 包裝/箱: TO-270BB 供應商設備包裝: TO-270 WB-4 Gull	庫存5,112
MRFE6VP5150NR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 133V 230MHZ TO-270 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 230MHz 增益: 26.1dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 100mA 功率-輸出: 150W 電壓-額定: 133V 包裝/箱: TO-270AB 供應商設備包裝: TO-270 WB-4	庫存4,158
MRFE6VP5300GNR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 133V 230MHZ TO-270 GW 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 230MHz 增益: 27dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 100mA 功率-輸出: 300W 電壓-額定: 133V 包裝/箱: TO-270BB 供應商設備包裝: TO-270 WB-4 Gull	庫存4,896
MRFE6VP5300NR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 133V 230MHZ TO-270 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 230MHz 增益: 27dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 100mA 功率-輸出: 300W 電壓-額定: 133V 包裝/箱: TO-270AB 供應商設備包裝: TO-270 WB-4	庫存5,724
MRFE6VP5600HR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 230MHz 增益: 25dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 100mA 功率-輸出: 600W 電壓-額定: 130V 包裝/箱: NI-1230-4H 供應商設備包裝: NI-1230-4H	庫存2,322
MRFE6VP5600HR6 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 230MHz 增益: 25dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 100mA 功率-輸出: 600W 電壓-額定: 130V 包裝/箱: NI-1230-4H 供應商設備包裝: NI-1230-4H	庫存2,075
MRFE6VP5600HSR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 230MHz 增益: 25dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 100mA 功率-輸出: 600W 電壓-額定: 130V 包裝/箱: NI-1230-4S 供應商設備包裝: NI-1230-4S	庫存7,614
MRFE6VP5600HSR6 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 230MHz 增益: 25dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 100mA 功率-輸出: 600W 電壓-額定: 130V 包裝/箱: NI-1230-4S 供應商設備包裝: NI-1230-4S	庫存2,880
MRFE6VP61K25GNR6 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF TRANS RF LDMOS 1250W 50V 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 230MHz 增益: 23dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 100mA 功率-輸出: 1250W 電壓-額定: 133V 包裝/箱: OM-1230G-4L 供應商設備包裝: OM-1230G-4L	庫存3,528
MRFE6VP61K25GSR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 133V 230MHZ NI1230GS 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 230MHz 增益: 24dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 100mA 功率-輸出: 1250W 電壓-額定: 133V 包裝/箱: NI-1230S-4 GW 供應商設備包裝: NI-1230S-4 GULL	庫存2,124
MRFE6VP61K25HR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 230MHz 增益: 24dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 100mA 功率-輸出: 1250W 電壓-額定: 133V 包裝/箱: NI-1230 供應商設備包裝: NI-1230	庫存4,266
MRFE6VP61K25HR6 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 230MHz 增益: 24dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 100mA 功率-輸出: 1250W 電壓-額定: 133V 包裝/箱: NI-1230 供應商設備包裝: NI-1230	庫存5,760
MRFE6VP61K25HSR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 230MHz 增益: 24dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 100mA 功率-輸出: 1250W 電壓-額定: 133V 包裝/箱: NI-1230-4S 供應商設備包裝: NI-1230-4S	庫存3,798
MRFE6VP61K25HSR6 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 230MHz 增益: 24dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 100mA 功率-輸出: 1250W 電壓-額定: 133V 包裝/箱: NI-1230S 供應商設備包裝: NI-1230S	庫存5,796
MRFE6VP61K25NR6 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF TRANS RF LDMOS 1250W 50V 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 230MHz 增益: 23dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 100mA 功率-輸出: 1250W 電壓-額定: 133V 包裝/箱: OM-1230-4L 供應商設備包裝: OM-1230-4L	庫存7,902
MRFE6VP6300GSR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 50V 600MHZ NI780-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 600MHz 增益: 25dB 電壓-測試: - 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: - 功率-輸出: 300W 電壓-額定: 50V 包裝/箱: NI-780GS-4L 供應商設備包裝: NI-780GS-4L	庫存6,606
MRFE6VP6300HR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 230MHz 增益: 26.5dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 100mA 功率-輸出: 300W 電壓-額定: 130V 包裝/箱: NI780-4 供應商設備包裝: NI-780-4	庫存5,994
MRFE6VP6300HR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 230MHz 增益: 26.5dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 100mA 功率-輸出: 300W 電壓-額定: 130V 包裝/箱: NI780-4 供應商設備包裝: NI-780-4	庫存16,308
MRFE6VP6300HSR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780S-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 230MHz 增益: 26.5dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 100mA 功率-輸出: 300W 電壓-額定: 130V 包裝/箱: NI-780S-4 供應商設備包裝: NI-780S-4	庫存7,452
MRFE6VP6300HSR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780S-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 230MHz 增益: 26.5dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 100mA 功率-輸出: 300W 電壓-額定: 130V 包裝/箱: NI-780S-4 供應商設備包裝: NI-780S-4	庫存5,184
MRFE6VP6600GNR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF TRANS RF LDMOS 600W 50V 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 230MHz 增益: 24.7dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 100mA 功率-輸出: 600W 電壓-額定: 133V 包裝/箱: OM-780G-4L 供應商設備包裝: OM-780G-4L	庫存4,266
MRFE6VP6600NR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF TRANS RF LDMOS 600W 50V 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 230MHz 增益: 24.7dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 100mA 功率-輸出: 600W 電壓-額定: 133V 包裝/箱: OM780-4 供應商設備包裝: OM780-4	庫存792
MRFE6VP8600HR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 130V 860MHZ NI-1230 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 860MHz 增益: 19.3dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.4A 功率-輸出: 125W 電壓-額定: 130V 包裝/箱: NI-1230 供應商設備包裝: NI-1230	庫存537
MRFE6VP8600HR6 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230H 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 860MHz 增益: 19.3dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.4A 功率-輸出: 125W 電壓-額定: 130V 包裝/箱: NI-1230 供應商設備包裝: NI-1230	庫存5,706

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